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公開番号2025072854
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-12
出願番号2023183257
出願日2023-10-25
発明の名称半導体装置、電力変換装置、及び半導体装置の製造方法
出願人三菱電機株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類G01N 27/12 20060101AFI20250501BHJP(測定;試験)
要約【課題】電極を容易に形成できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の上面に設けられた表面電極と、半導体基板の上面に設けられ、表面電極を囲うように設けられた陽極電極と、半導体基板の上面に設けられ、陽極電極を囲うように設けられた陰極電極と、陽極電極と陰極電極との間に設けられた物理量検出膜と、を備えたものである。よって、電極を容易に形成できる半導体装置を得ることができる。
また、半導体装置の製造方法は、半導体基板の上面に表面電極を形成する工程と、前記半導体基板の上面に、表面電極を囲うように陽極電極を形成する工程と、前記半導体基板の上面に、陽極電極を囲うように陰極電極を形成する工程と、陽極電極と陰極電極との間に物理量検出膜を形成する工程と、を含むものである。よって、電極を容易に形成できる半導体装置を得ることができる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の上面に設けられた表面電極と、
前記半導体基板の上面に設けられ、前記表面電極を囲うように設けられた陽極電極と、
前記半導体基板の上面に設けられ、前記陽極電極を囲うように設けられた陰極電極と、
前記陽極電極と前記陰極電極との間に設けられた物理量検出膜と、を備えた、
半導体装置。
続きを表示（約 760 文字）【請求項２】
前記物理量検出膜が、さらに前記陽極電極と前記表面電極との間に設けられた、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体基板の上面に設けられ、前記陰極電極を囲うように設けられたガードリングをさらに備えた、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記物理量検出膜が、さらに前記ガードリングを覆うように設けられた、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記表面電極と前記陽極電極との間に、ゲート電極を備えた、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記物理量検出膜は、ポリイミド、フェノール樹脂、シリカゲル、又はシリコン酸化膜で形成された、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記表面電極が複数設けられた、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記表面電極と前記陰極電極とが一体に形成された、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記表面電極と前記陰極電極とが別体として設けられ、前記半導体基板を介して電気的に接続されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
半導体基板と、
前記半導体基板の上面に設けられた表面電極と、
前記半導体基板の上面に設けられ、前記表面電極を囲うように設けられた陽極電極と、
前記半導体基板の上面に設けられ、前記陽極電極を囲うように設けられた陰極電極と、
前記陽極電極と前記表面電極との間に設けられた物理量検出膜と、を備えた、
半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、物理量を検出する構成を備えた半導体装置、電力変換装置、及び半導体装置の製造方法に関するものである。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
従来技術では、素子形成基板の一表面側に形成された多孔質層からなる感応部と、感応部の厚み方向の一面側に形成された一対の櫛形状の電極であって各電極それぞれの櫛歯部が他方の電極の櫛溝部に入り込んだ一対の櫛形状の電極と、を備えた湿度センサが開示されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００６－１５３５１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、湿度センサを半導体装置に適用する場合、電極が櫛形状であるために、緻密な電極形成が必要となり、電極の形状が複雑となるという課題があった。
【０００５】
本開示は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、電極を容易に形成できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示に係る半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の上面に設けられた表面電極と、半導体基板の上面に設けられ、表面電極を囲うように設けられた陽極電極と、半導体基板の上面に設けられ、陽極電極を囲うように設けられた陰極電極と、陽極電極と陰極電極との間に設けられた物理量検出膜と、を備えたものである。
【０００７】
また、本開示に係る半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の上面に設けられた表面電極と、半導体基板の上面に設けられ、表面電極を囲うように設けられた陽極電極と、半導体基板の上面に設けられ、陽極電極を囲うように設けられた陰極電極と、陽極電極と表面電極との間に設けられた物理量検出膜と、を備えたものである。
【０００８】
また、本開示に係る電力変換装置は、上記半導体装置を有し、入力される電力を変換して出力する主変換回路と、主変換回路を制御する制御信号を主変換回路に出力する制御回路と、を備えたものである。
【０００９】
また、本開示に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の上面に表面電極を形成する工程と、前記半導体基板の上面に、表面電極を囲うように陽極電極を形成する工程と、前記半導体基板の上面に、陽極電極を囲うように陰極電極を形成する工程と、陽極電極と陰極電極との間に物理量検出膜を形成する工程と、を含むものである。
【発明の効果】
【００１０】
本開示に係る半導体装置によれば、電極を容易に形成できる半導体装置を得ることができる。また、本開示に係る電力変換装置によれば、電極を容易に形成できる電力変換装置を得ることができる。また、本開示に係る半導体装置の製造方法によれば、電極を容易に形成できる半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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