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公開番号2025091902
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-19
出願番号2023207435
出願日2023-12-08
発明の名称検査方法、樹脂組成物の製造方法、及びレジスト組成物又は熱硬化性組成物の製造方法
出願人東京応化工業株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G01N 33/44 20060101AFI20250612BHJP(測定;試験)
要約【課題】微細な欠陥の発見できる検査方法、当該検査方法により欠陥数を低減した樹脂溶液、当該検査方法により欠陥数を低減したレジスト組成物、当該樹脂組成物の製造方法、及び当該レジスト組成物の製造方法の提供。
【解決手段】高分子化合物と溶剤Vとを含有する前駆組成物Vをろ過する工程Vと、前記前駆組成物を含む樹脂組成物Xを基板Xに塗布して塗膜Xを形成する工程X1と、有機溶剤X、アルカリ現像液X及び水からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む除去用溶剤Xを使用して前記塗膜Xを前記基板Xから除去する工程X2と、前記塗膜Xを除去した後の前記基板X上の欠陥の数を、欠陥検査装置を使用して測定する工程X3と、を含む検査方法。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
高分子化合物と溶剤Ｖとを含有する前駆組成物Ｖをろ過する工程Ｖと、
前記前駆組成物を含む樹脂組成物Ｘを基板Ｘに塗布して塗膜Ｘを形成する工程Ｘ１と、
有機溶剤Ｘ、アルカリ現像液Ｘ及び水からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む除去用溶剤Ｘを使用して前記塗膜Ｘを前記基板Ｘから除去する工程Ｘ２と、
前記塗膜Ｘを除去した後の前記基板Ｘ上の欠陥の数を、欠陥検査装置を使用して測定する工程Ｘ３と、を含む検査方法。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
更に、前記前駆組成物Ｖを含有するレジスト組成物又は熱硬化性組成物を基板Ｚに塗布して塗膜Ｚを形成する工程Ｚ１と、
有機溶剤Ｚ、アルカリ現像液Ｚ及び水からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む除去用溶剤Ｚを使用して前記塗膜Ｚを前記基板Ｚから除去する工程Ｚ２と、
前記塗膜Ｚを除去した後の前記基板Ｚ上の欠陥の数を、前記欠陥検査装置を使用して測定する工程Ｚ３と、を含む、請求項１に記載の検査方法。
【請求項３】
更に、前記工程Ｘ１又は前記工程Ｚ１の前に、前記工程Ｘ１又は前記工程Ｚ１で使用する前記基板Ｘ又は前記基板Ｚに対して、前記欠陥検査装置を使用して前記基板Ｘ又は前記基板Ｚ上の欠陥の数を測定する工程Ｙ１を含む、請求項１又は２に記載の検査方法。
【請求項４】
前記工程Ｙ１による欠陥の検出結果と前記工程Ｘ３による欠陥の検出結果の位置座標を重ね合わせ、前記工程Ｘ３による欠陥数から、前記工程Ｙ１で求めた欠陥数を差し引き、前記樹脂組成物Ｘ由来の欠陥数を測定する工程Ｘ４を含む、請求項３に記載の検査方法。
【請求項５】
前記工程Ｘ３、前記工程Ｚ３及び前記工程Ｙ１からなる群より選ばれる少なくとも１種において測定する欠陥の大きさが１２．５ｎｍ以上である、請求項１又は２に記載の検査方法。
【請求項６】
前記樹脂組成物が非感光性である、請求項１又は２に記載の検査方法。
【請求項７】
前記樹脂組成物が、前記高分子化合物と前記溶剤Ｖからなる、請求項１又は２に記載の検査方法。
【請求項８】
前記工程Ｘ２は、前記塗膜Ｘが活性光線又は放射線の照射による露光処理をされていない状態で適用される、請求項１又は２に記載の検査方法。
【請求項９】
前記工程Ｘ２は、前記塗膜Ｘが活性光線又は放射線の照射による露光処理をした状態で適用される、請求項１又は２に記載の検査方法。
【請求項１０】
高分子化合物と溶剤Ｖとを含有する樹脂溶液であって、
下記測定条件で測定する、１ｃｍ
２
あたりの１２．５ｎｍ以上の大きさの欠陥の数が２個以下である、樹脂溶液。
（測定条件）
（１）高分子化合物と溶剤Ｖとを含有する前駆組成物をろ過する。
（２）前記前駆組成物を含む樹脂組成物Ｘを基板Ｘに塗布して塗膜Ｘを形成する。
（３）有機溶剤、アルカリ現像液及び水からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む除去用溶剤Ｘを使用して前記塗膜Ｘを前記基板Ｘから除去する。
（４）前記塗膜Ｘを除去した後の前記基板Ｘ上の欠陥の数を、欠陥検査装置を使用して測定する。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、検査方法、樹脂溶液、レジスト組成物又は熱硬化性組成物、樹脂組成物の製造方法、及びレジスト組成物又は熱硬化性組成物の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスは、フォトリソグラフィ技術を用いて、基板上に微細な電子回路パターンを形成して製造されることが知られている。
具体的には、感活性光線性又は感放射線性組成物（以下「レジスト組成物」ともいう。）を用いて得られるレジスト膜を基板上に形成した後、レジスト膜に対して、光を照射する露光処理、現像液を用いた現像処理、及び、必要に応じてリンス液を用いたリンス処理等の各種処理を行うことにより、パターン状のレジスト膜が得られる。このようにして得られたパターン状のレジスト膜をマスクとして、各種処理を施して電子回路パターンを形成する。
このような半導体デバイス形成工程において、得られる半導体デバイスの歩留まりをより向上させるため、欠陥の発生を抑制できるパターン形成方法が求められている。近年、１０ｎｍノード以下の半導体デバイスの製造が検討されており、この傾向は更に顕著になっている。
【０００３】
ところで、パターンに欠陥が生じる原因の一つとして、レジスト組成物に含まれる異物が挙げられる。
例えば、特許文献１には、塗布材料の塗布前後あるいはそのいずれかに、基板等の被塗布部材に異物が付着しているかを自動的に検査し、良否の選別を行って不良品を次工程へ搬送しないようにする方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開昭６０－１７７６２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、近年、電子回路パターンの更なる微細化が進んでおり、僅かな異物でも微細な欠陥の原因となり、半導体デバイスの性能に多大な影響を与える場合がある。そのため、半導体デバイスの製造プロセスにおいて、微細な欠陥の発見できる検査方法が求められていた。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、微細な欠陥の発見できる検査方法、当該検査方法により欠陥数を低減した樹脂溶液、当該検査方法により欠陥数を低減したレジスト組成物又は熱硬化性組成物、当該樹脂組成物の製造方法、及び当該レジスト組成物又は熱硬化性組成物の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第１の態様は、高分子化合物と溶剤Ｖとを含有する前駆組成物Ｖをろ過する工程Ｖと、前記前駆組成物を含む樹脂組成物Ｘを基板Ｘに塗布して塗膜Ｘを形成する工程Ｘ１と、有機溶剤Ｘ、アルカリ現像液Ｘ及び水からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む除去用溶剤Ｘを使用して前記塗膜Ｘを前記基板Ｘから除去する工程Ｘ２と、前記塗膜Ｘを除去した後の前記基板Ｘ上の欠陥の数を、欠陥検査装置を使用して測定する工程Ｘ３と、を含む検査方法である。
【０００８】
本発明の第２の態様は、高分子化合物と溶剤Ｖとを含有する樹脂溶液であって、下記測定条件で測定する、１ｃｍ
２
あたりの１２．５ｎｍ以上の大きさの欠陥の数が２個以下である、樹脂溶液。
（測定条件）
（１）高分子化合物と溶剤Ｖとを含有する前駆組成物をろ過する。
（２）前記前駆組成物を含む樹脂組成物Ｘを基板Ｘに塗布して塗膜Ｘを形成する。
（３）有機溶剤、アルカリ現像液及び水からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む除去用溶剤Ｘを使用して前記塗膜Ｘを前記基板Ｘから除去する。
（４）前記塗膜Ｘを除去した後の前記基板Ｘ上の欠陥の数を、欠陥検査装置を使用して測定する。
【０００９】
本発明の第３の態様は、前記第２の態様にかかる樹脂溶液を含有するレジスト組成物又は熱硬化性組成物である。
【００１０】
本発明の第４の態様は、高分子化合物と溶剤Ｖとを含有する前駆組成物をろ過する工程Ｖと、前記前駆組成物を含む樹脂組成物Ｘを基板Ｘに塗布して塗膜Ｘを形成する工程Ｘ１と、有機溶剤、アルカリ現像液及び水からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む除去用溶剤Ｘを使用して前記塗膜Ｘを前記基板Ｘから除去する工程Ｘ２と、前記塗膜Ｘを除去した後の前記基板Ｘ上の欠陥の数を、欠陥検査装置を使用して測定する工程Ｘ３と、前記工程Ｘ３において所定の欠陥の数を満たす樹脂組成物を提供する工程Ｒ１を含む、樹脂組成物の製造方法である。
（【００１１】以降は省略されています）

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