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公開番号2025099535
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-03
出願番号2023216249
出願日2023-12-21
発明の名称粘着テープ、積層体及び半導体装置の製造方法
出願人三井化学株式会社
代理人弁理士法人鷲田国際特許事務所
主分類C09J 7/38 20180101AFI20250626BHJP(染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用)
要約【課題】半導体デバイスの加工のばらつきを低減することができる粘着テープを提供する。
【解決手段】第1の粘着層と、第2の粘着層と、前記第1の粘着層と前記第2の粘着層との間に配置された中間層とを有する粘着テープであって、前記中間層は、無機酸化物、無機窒化物、無機酸化窒化物、金属及びシロキサン化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種を含み、前記中間層の厚みは、5nm以上3μm以下である、粘着テープ。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１の粘着層と、第２の粘着層と、前記第１の粘着層と前記第２の粘着層との間に配置された中間層とを有する粘着テープであって、
前記中間層は、無機酸化物、無機窒化物、無機酸化窒化物、金属及びシロキサン化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種を含み、
前記中間層の厚みは、５ｎｍ以上３μｍ以下である、
粘着テープ。
続きを表示（約 770 文字）【請求項２】
前記第１の粘着層上に、１ｃｍ×１ｃｍ×高さ５０μｍの２以上の半導体チップを配置したときに、前記粘着テープの前記２以上の半導体チップが配置された面とは反対側の面からの前記半導体チップの高さのばらつきが５μｍ未満である、
請求項１に記載の粘着テープ。
【請求項３】
前記中間層の、波長３５５ｎｍの光の光線透過率が６０％以上である、
請求項１に記載の粘着テープ。
【請求項４】
前記第１の粘着層は、放射線硬化性粘着剤を含む、
請求項１に記載の粘着テープ。
【請求項５】
請求項１～４のいずれか一項に記載の粘着テープと、
前記粘着テープの前記第１の粘着層上に配置された、半導体デバイスと、
を含む、
積層体。
【請求項６】
前記半導体デバイスは、２以上の半導体チップである、
請求項５に記載の積層体。
【請求項７】
請求項１～４のいずれか一項に記載の粘着テープの前記第２の粘着層と支持体とを貼り合わせ、前記第１の粘着層と半導体デバイスとを貼り合わせる工程と、
前記半導体デバイスを加工する工程と、
前記第１の粘着層と前記加工された半導体デバイスとの間、又は、前記第２の粘着層と前記支持体との間を剥離する工程と、
を含む、
半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の粘着層は、放射線硬化性粘着剤を含み、
前記剥離する工程では、前記第２の粘着層を介して前記第１の粘着層に放射線を照射して前記放射線硬化性粘着剤を硬化させることにより、前記第１の粘着層と前記加工された半導体デバイスとを剥離する、
請求項７に記載の半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、粘着テープ、積層体及び半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
粘着テープは、例えば半導体装置の製造工程において、部材や部品の仮固定等に使用されている。
【０００３】
例えば、半導体チップは、半導体ウエハの裏面を研磨機により研磨して、半導体ウエハの厚さを３０～６００μｍ程度まで薄くした後、裏面に電極等を形成し、ダイシングしてチップ化して製造される。ここで、裏面の研削加工を行う際には、半導体ウエハの表面に粘着テープを貼り付けたり、粘着テープを介して支持体を貼り付けたりしてすることにより、半導体ウエハの破損を防止し、研磨等の加工を容易にしている。
【０００４】
また、半導体パッケージは、２以上の半導体チップを粘着テープで支持した状態で樹脂封止した後、得られた封止体の裏面を所定の厚さになるまで研削する工程を経て製造されることがある。
【０００５】
このような工程で使用される粘着テープには、加工時には半導体ウエハや半導体チップ等の被着体を強固に固定できるだけの高い粘着力を有しつつ、加工後には糊残りなく剥離できることが求められる。
【０００６】
このような粘着テープとして、例えば特許文献１では、基材と、その両面に配置された２つの粘着剤層とを有する粘着テープが開示されている。具体的には、基材として厚み１００μｍの透明ＰＥＴフィルムと、光硬化性のアクリル系粘着剤を含む２つの粘着剤層とを含む粘着テープが開示されている。そして、当該粘着テープに光を照射することで、粘着力を低下させて、容易に剥離できることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
特開２００３－２３１８７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のような粘着テープを用いて半導体ウエハや封止体の裏面研削を行うと、加工にばらつきが生じることがある。それにより、半導体ウエハの面内で厚みのばらつきが生じたり、２以上の半導体チップ間で厚みのばらつきが生じたりすることがあった。
【０００９】
本発明の目的は、半導体デバイスの加工のばらつきを低減することができる粘着テープ、積層体及び半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
［１］第１の粘着層と、第２の粘着層と、前記第１の粘着層と前記第２の粘着層との間に配置された中間層とを有する粘着テープであって、前記中間層は、無機酸化物、無機窒化物、無機酸化窒化物、金属及びシロキサン化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種を含み、前記中間層の厚みは、５ｎｍ以上３μｍ以下である、粘着テープ。
［２］前記第１の粘着層上に、１ｃｍ×１ｃｍ×高さ５０μｍの２以上の半導体チップを配置したときに、前記粘着テープの前記２以上の半導体チップが配置された面とは反対側の面からの前記半導体チップの高さのばらつきが５μｍ未満である、［１］に記載の粘着テープ。
［３］前記中間層の、波長３５５ｎｍの光の光線透過率が６０％以上である、［１］又は［２］に記載の粘着テープ。
［４］前記第１の粘着層は、放射線硬化性粘着剤を含む、［１］～［３］のいずれかに記載の粘着テープ。
［５］［１］～［４］のいずれかに記載の粘着テープと、前記粘着テープの前記第１の粘着層上に配置された、半導体デバイスと、を含む、積層体。
［６］前記半導体デバイスは、２以上の半導体チップである、［５］に記載の積層体。
［７］［１］～［４］のいずれかに記載の粘着テープの前記第２の粘着層と支持体とを貼り合わせ、前記第１の粘着層と半導体デバイスとを貼り合わせる工程と、前記半導体デバイスを加工する工程と、前記第１の粘着層と前記加工された半導体デバイスとの間、又は、前記第２の粘着層と前記支持体との間を剥離する工程と、を含む、半導体装置の製造方法。
［８］前記第１の粘着層は、放射線硬化性粘着剤を含み、前記剥離する工程では、前記第２の粘着層を介して前記第１の粘着層に放射線を照射して前記放射線硬化性粘着剤を硬化させることにより、前記第１の粘着層と前記加工された半導体デバイスとを剥離する、［７］に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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