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公開番号2025113358
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-01
出願番号2025083782,2023138693
出願日2025-05-20,2019-07-26
発明の名称基板処理装置およびシャッタ機構
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/3065 20060101AFI20250725BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】開口部を拡大できるとともに、弁体を均一な力で押し付けることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、チャンバと、サセプタと、弁体と、第1の導電性部材と、上部部材と、昇降機構とを備える。チャンバは、側壁に開口が形成された円筒状のチャンバである。サセプタは、チャンバ内に配置され被処理基板を載置するサセプタであって、その上面周囲にはエッジリングが位置する。弁体は、開口を開閉する環状の弁体である。第1の導電性部材は、弁体の上部に環状に配置される。上部部材は、チャンバ上部の内壁に沿って設けられ、環状に配置される導電性を有する上部部材である。昇降機構は、弁体を昇降させる2つ以上の昇降機構である。開口は、少なくともエッジリングが通過できる寸法を有する。弁体を上昇させたとき、第1の導電性部材は上部部材と上下方向に当接する。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
基板処理装置であって、
側壁に開口が形成された円筒状のチャンバと、
前記チャンバ内に配置され被処理基板を載置するサセプタであって、その上面周囲にはエッジリングが位置する、前記サセプタと、
前記開口を開閉する環状の弁体と、
前記弁体の上部に環状に配置される第１の導電性部材と、
前記チャンバ上部の内壁に沿って設けられ、環状に配置される導電性を有する上部部材と、
前記弁体を昇降させる２つ以上の昇降機構と、
を備え、
前記開口は、少なくとも前記エッジリングが通過できる寸法を有し、
前記弁体を上昇させたとき、前記第１の導電性部材は前記上部部材と上下方向に当接する、
基板処理装置。
続きを表示（約 760 文字）【請求項２】
前記昇降機構は、３つ以上である、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記昇降機構は、等間隔に配置される、
請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記開口を介して前記被処理基板が搬送される、
請求項１～３のいずれか１つに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記エッジリングの周囲に位置するカバーリングをさらに有し、
前記開口は、前記カバーリングを搬送できる寸法を有する、
請求項１～４のいずれか１つに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記開口は、搬送室側に位置する、
請求項１～５のいずれか１つに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記弁体の断面は、略Ｌ字状である、
請求項１～６のいずれか１つに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記上部部材は、ステンレススチール、またはニッケル合金で被覆された部分を有する、
請求項１～７のいずれか１つに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第１の導電性部材は、コンダクタンスバンド、スパイラル、またはコイルスプリングである、
請求項１～８のいずれか１つに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記チャンバと前記サセプタとの間に設けられた環状のバッフルと、
前記バッフルの下方に位置し、導電性を有する下部部材と、
前記弁体の下部に環状に設けられ、前記下部部材に当接する第２の導電性部材と、
をさらに有する、
請求項１～９のいずれか１つに記載の基板処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイス用の被処理基板であるウエハに所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置が知られている。プラズマ処理装置は、例えばウエハを収容するチャンバを備え、チャンバ内には、ウエハを載置し下部電極として機能する載置台と、載置台に対向する上部電極とが配置されている。また、載置台および上部電極の少なくとも一方には高周波電源が接続され、載置台および上部電極は処理室内空間に高周波電力を印加する。プラズマ処理装置では、処理室内空間に供給された処理ガスを高周波電力によってプラズマにしてイオン等を発生させ、発生させたイオン等をウエハに導いて、ウエハに所望のプラズマ処理、例えばエッチング処理を施す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１５－１２６１９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、開口部を拡大できるとともに、弁体を均一な力で押し付けることができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様による基板処理装置は、チャンバと、サセプタと、弁体と、第１の導電性部材と、上部部材と、昇降機構とを備える。チャンバは、側壁に開口が形成された円筒状のチャンバである。サセプタは、チャンバ内に配置され被処理基板を載置するサセプタであって、その上面周囲にはエッジリングが位置する。弁体は、開口を開閉する環状の弁体である。第１の導電性部材は、弁体の上部に環状に配置される。上部部材は、チャンバ上部の内壁に沿って設けられ、環状に配置される導電性を有する上部部材である。昇降機構は、弁体を昇降させる２つ以上の昇降機構である。開口は、少なくともエッジリングが通過できる寸法を有する。弁体を上昇させたとき、第１の導電性部材は上部部材と上下方向に当接する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、開口部を拡大できるとともに、弁体を均一な力で押し付けることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
図１は、本開示の一実施形態における基板処理装置の一例を示す図である。
図２は、本実施形態におけるシャッタ機構の断面の一例を示す部分拡大図である。
図３は、本実施形態におけるシャッタ機構の外観の一例を示す図である。
図４は、本実施形態におけるチャンバの外観の一例を示す図である。
図５は、本実施形態におけるチャンバの外観の一例を示す図である。
図６は、本実施形態におけるチャンバの外観の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、開示するシャッタ機構および基板処理装置の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により開示技術が限定されるものではない。
【０００９】
プラズマ処理装置では、チャンバの側壁に、半導体ウエハの搬入・搬出用の開口部が設けられ、開口部を開閉するゲートバルブが配置される。ゲートバルブの開閉により半導体ウエハの搬入および搬出が行われる。チャンバ内には、エッチング副生物（デポ）が付着することを防止するデポシールドがチャンバの内壁に沿って設けられ、チャンバの開口部の位置に合わせて、デポシールドにも開口部が設けられる。
【００１０】
ゲートバルブは、チャンバの外側（搬送室側）に配置されているので、開口部が搬送室側に突出した空間が形成される。チャンバ内で生成されたプラズマが開口部の空間まで拡散すると、プラズマの均一性が悪化したり、そのプラズマによりゲートバルブのシール部材が劣化する。そのため、チャンバおよびデポシールドの開口部は、シャッタによって遮断されるように構成される。また、シャッタは、例えばシャッタの駆動部が開口部の下方に配置され、駆動部により開閉駆動される。
（【００１１】以降は省略されています）

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