特許ウォッチ

公開番号2025114264
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-05
出願番号2024008858
出願日2024-01-24
発明の名称半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法
出願人三菱電機株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/683 20060101AFI20250729BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ステージから半導体ウエハを容易に離すことができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は、保護部を有し、レーザー光が照射される半導体ウエハを固定する真空吸着領域と、半導体ウエハの保護部と接する側に設けられた硬質系非粘着材と、を有し、保護部が接するように半導体ウエハが載置されるステージを備え、半導体ウエハの半径をdmm、保護部が発泡する領域である発泡領域の幅をbmm、硬質系非粘着材が劣化する領域を劣化領域の幅をcmmとした場合、真空吸着領域が半導体ウエハの半径の{d-(b+c)}/d倍の半径を有し半導体ウエハと中心を同じくする円内に収められたものである。よって、ステージから半導体ウエハを容易に離すことができる。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
保護部を有し、レーザー光が照射される半導体ウエハを固定する真空吸着領域と、前記半導体ウエハの前記保護部と接する側に設けられた硬質系非粘着材と、を有し、前記保護部が接するように前記半導体ウエハが載置されるステージを備え、
前記半導体ウエハの半径をｄｍｍ、前記保護部が発泡する領域である発泡領域の幅をｂｍｍ、前記硬質系非粘着材が劣化する領域を劣化領域の幅をｃｍｍとした場合、前記真空吸着領域が前記半導体ウエハの半径の｛ｄ－（ｂ＋ｃ）｝／ｄ倍の半径を有し半導体ウエハと中心を同じくする円内に収められた、
半導体製造装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記半導体ウエハが１２インチである場合、前記真空吸着領域が前記半導体ウエハの半径の１１／１５倍の半径を有し半導体ウエハと中心を同じくする円内に収められた、
請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記半導体ウエハが８インチである場合、前記真空吸着領域が前記半導体ウエハの半径の３／５倍の半径を有し半導体ウエハと中心を同じくする円内に収められた、
請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記半導体ウエハが６インチである場合、前記真空吸着領域が前記半導体ウエハの半径の７／１５倍の半径を有し半導体ウエハと中心を同じくする円内に収められた、
請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記ステージは、前記半導体ウエハを吸着する吸着孔を有する、
請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記ステージの前記半導体ウエハに接する面は、前記半導体ウエハの前記ステージに接する面よりも小さい、
請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項７】
前記ステージは、前記真空吸着領域内に、前記半導体ウエハを前記ステージから離す方向に前記半導体ウエハを移動させるリフトピンを備えた、
請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項８】
前記硬質系非粘着材は、シリコン及び酸素を含有した材料を含む、
請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項９】
前記半導体ウエハに前記レーザー光を照射するレーザー装置をさらに備えた、
請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
半導体ウエハに保護部を形成する保護部形成工程と、
硬質系非粘着材と、前記半導体ウエハの半径をｄｍｍ、前記保護部が発泡する領域である発泡領域の幅をｂｍｍ、前記硬質系非粘着材が劣化する領域を劣化領域の幅をｃｍｍとした場合、半導体ウエハの半径の｛ｄ－（ｂ＋ｃ）｝／ｄ倍の半径を有し半導体ウエハと中心を同じくする円内に収められた真空吸着領域と、を有するステージに、前記保護部が前記硬質系非粘着材に接するように前記半導体ウエハを載置する載置工程と、
前記半導体ウエハの前記ステージと接する側と反対側からレーザー光を照射して熱処理を行う熱処理工程と、
前記ステージに設けられたリフトピンを移動させ、前記半導体ウエハを前記ステージから離すリフト工程と、を含む、
半導体装置の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、熱処理を行う半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法に関するものである。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
従来技術では、上面に複数の吸引口が開口しており、上面から下面まで達する複数に貫通孔のそれぞれの中にリフトピンが収容されているステージが開示されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２３－０３４６２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ステージ上に半導体ウエハを載置して熱処理を行った際に、ステージに接している保護部が発泡してステージに貼り付き、熱処理後にステージから半導体ウエハを離すことが困難になるという課題があった。
【０００５】
本開示は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、ステージから半導体ウエハを容易に離すことができる半導体製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示に係る半導体製造装置は、保護部を有し、レーザー光が照射される半導体ウエハを固定する真空吸着領域と、半導体ウエハの保護部と接する側に設けられた硬質系非粘着材と、を有し、保護部が接するように半導体ウエハが載置されるステージを備え、半導体ウエハの半径をｄｍｍ、保護部が発泡する領域である発泡領域の幅をｂｍｍ、硬質系非粘着材が劣化する領域を劣化領域の幅をｃｍｍとした場合、真空吸着領域が半導体ウエハの半径の｛ｄ－（ｂ＋ｃ）｝／ｄ倍の半径を有し半導体ウエハと中心を同じくする円内に収められたものである。
【０００７】
また、本開示に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハに保護部を形成する保護部形成工程と、硬質系非粘着材と、半導体ウエハの半径をｄｍｍ、保護部が発泡する領域である発泡領域の幅をｂｍｍ、硬質系非粘着材が劣化する領域を劣化領域の幅をｃｍｍとした場合、半導体ウエハの半径の｛ｄ－（ｂ＋ｃ）｝／ｄ倍の半径を有し半導体ウエハと中心を同じくする円内に収められた真空吸着領域と、を有するステージに、保護部が硬質系非粘着材に接するように前記半導体ウエハを載置する載置工程と、半導体ウエハのステージと接する側と反対側からレーザー光を照射して熱処理を行う熱処理工程と、ステージに設けられたリフトピンを移動させ、半導体ウエハを前記ステージから離すリフト工程と、を含むものである。
【発明の効果】
【０００８】
本開示に係る半導体製造装置によれば、ステージから半導体ウエハを容易に離すことができる。また、本開示に係る半導体装置の製造方法によれば、ステージから半導体ウエハを容易に離すことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本開示の実施の形態１に係る半導体製造装置の上面図である。
本開示の実施の形態１に係る半導体製造装置及び半導体ウエハの断面図である。
本開示の実施の形態１に係る半導体製造装置及び半導体ウエハの断面図である。
本開示の実施の形態１に係る半導体製造装置及び半導体ウエハの断面図である。
本開示の実施の形態１に係る半導体製造装置の真空吸着領域を説明する図である。
本開示の実施の形態１に係る半導体製造装置の真空吸着領域を説明する図である。
本開示の実施の形態１に係る半導体製造装置の構成図である。
本開示の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本開示の実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。なお、図面は模式的に示したものであり、異なる図面にそれぞれ示されているサイズ及び位置の相互関係は、必ずしも記載されたものに限定されず、適宜変更され得る。また、以下の説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称及び機能も同一又は同様のものとする。よって、それらについての詳細な説明を省略する場合がある。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許