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公開番号2025140006
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-29
出願番号2024039138
出願日2024-03-13
発明の名称洗浄組成物及び洗浄組成物の製造方法
出願人株式会社レゾナック
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類C11D 7/32 20060101AFI20250919BHJP(動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく)
要約【課題】ウェハ上の金属バンプに対する腐食性が低減された洗浄組成物を提供する。
【解決手段】第四級フッ化アルキルアンモニウムのアルコール付加物、及び非プロトン性溶媒を含有する洗浄組成物。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
第四級フッ化アルキルアンモニウムのアルコール付加物、及び非プロトン性溶媒を含有する洗浄組成物。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記第四級フッ化アルキルアンモニウムのアルコール付加物が、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ｉｓｏ－ブタノール、ｓｅｃ－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、ｎ－ペンタノール、ｉｓｏ－ペンタノール、ネオペンチルアルコール、ｔｅｒｔ－アミルアルコール、ｎ－ヘキサノール、及び１－アダマンタノールからなる群より選択される少なくとも１種のアルコールの付加物である、請求項１に記載の洗浄組成物。
【請求項３】
前記第四級フッ化アルキルアンモニウムのアルコール付加物が、ｔｅｒｔ－ブタノールの付加物である、請求項１に記載の洗浄組成物。
【請求項４】
前記洗浄組成物中の、前記第四級フッ化アルキルアンモニウムの含有量に対する、水分の含有量の質量比（水分／第四級フッ化アルキルアンモニウム）が、０．２０以下である、請求項１に記載の洗浄組成物。
【請求項５】
前記第四級フッ化アルキルアンモニウムが、下記式
Ｒ
６
Ｒ
７
Ｒ
８
Ｒ
９
Ｎ
＋
Ｆ
－
（式中、Ｒ
６
～Ｒ
９
は、それぞれ独立してメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、及びｎ－ブチル基からなる群より選択されるアルキル基を表す。）
で表されるフッ化テトラアルキルアンモニウムである、請求項１～４のいずれか一項に記載の洗浄組成物。
【請求項６】
前記洗浄組成物１００質量％に対する前記第四級フッ化アルキルアンモニウムの含有量が、０．０１～１５質量％である、請求項１～４のいずれか一項に記載の洗浄組成物。
【請求項７】
前記非プロトン性溶媒の少なくとも１種が（Ａ）Ｎ，Ｎ－二置換アミド化合物である、請求項１～４のいずれか一項に記載の洗浄組成物。
【請求項８】
前記非プロトン性溶媒の少なくとも１種が（Ｂ）エーテル化合物である、請求項１～４のいずれか一項に記載の洗浄組成物。
【請求項９】
前記洗浄組成物１００質量％に対する前記非プロトン性溶媒の合計含有量が、６５～９９質量％である、請求項１～４のいずれか一項に記載の洗浄組成物。
【請求項１０】
接着性ポリマーを洗浄する洗浄組成物である、請求項１～４のいずれか一項に記載の洗浄組成物。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、洗浄組成物及びこれを用いて接着性ポリマーを洗浄する方法に関する。本開示はさらに、洗浄組成物の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体の高密度化のための三次元実装技術においては、半導体ウェハの１枚当たりの厚さが薄くされ、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）により結線された複数の半導体ウェハが積層されている。具体的には、半導体デバイスを形成したデバイスウェハのデバイスを形成させていない面（裏面ともいう。）を研磨によって薄型化した後、裏面にＴＳＶを含む電極形成が行われる。
【０００３】
デバイスウェハの裏面の研磨工程においては、デバイスウェハに機械的強度を付与するために、キャリアウェハとも呼ばれる支持ウェハがデバイスウェハの半導体デバイス形成面に接着剤を用いて仮接着される。デバイスウェハの仮接着用途には、耐熱性の良好なポリオルガノシロキサン化合物を接着性ポリマーとして含む接着剤が使用される。研磨工程後、必要に応じてデバイスウェハの裏面に、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ等を含む金属配線若しくは電極パッド、酸化膜、窒化膜等の無機膜、又はポリイミド等を含む樹脂層が形成される。その後、デバイスウェハの裏面を、リングフレームにより固定された、アクリル粘着層を有するテープに貼り合わせることにより、デバイスウェハがテープに固定される。その後、デバイスウェハは支持ウェハから分離され、デバイスウェハ上の接着剤は剥離され、デバイスウェハ上の接着剤の残留物は洗浄剤を用いて洗浄除去される。
【０００４】
半導体ウェハと他の半導体ウェハ、パッケージ基板等との電気的接続は、バンプボール等の金属バンプを介して形成することができる。半導体ウェハが金属バンプを有する場合、洗浄組成物には、金属バンプに対する腐食性が低いことが要求される。特許文献１及び２には、バンプボール等の金属に対する腐食性が抑制された洗浄組成物が提案されている。
【０００５】
特許文献１（特開２０２１－１６１１９６号公報）には、チアゾール系化合物からなる金属腐食抑制剤を含む洗浄剤組成物が記載されている。
【０００６】
特許文献２（韓国特許公開第２０１８－００６６５５０号）には、バンプボールへの損傷を減少させるためにフッ素系界面活性剤を添加した洗浄組成物が記載されている。
【０００７】
特許文献３（特開２０２３－７６５１１号公報）には、洗浄組成物中の水分量を低減させる方法として、市販品のモレキュラーシーブス、シリカゲル、及びアルミナからなる群から選ばれる乾燥剤と、第四級フッ化アルキルアンモニウムの水和物を含む洗浄組成物とを接触させる方法が記載されている。
【０００８】
特許文献４（特開平６－３１６５５１号公報）には、テトラブチルアンモニウムフルオライドの水和物に多量のアルコールを加えた後、アルコールを減圧留去することにより水和水をアルコールに置換し、テトラブチルアンモニウムフルオライドのアルコール付加物を得る方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
特開２０２１－１６１１９６号公報
韓国特許公開第２０１８－００６６５５０号
特開２０２３－７６５１１号公報
特開平６－３１６５５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
デバイスウェハ上に残留したポリオルガノシロキサン化合物を分解洗浄するための洗浄組成物には、テトラブチルアンモニウムフルオライド三水和物（ＴＢＡＦ・３Ｈ
２
Ｏ）などの第四級フッ化アルキルアンモニウムの水和物が使用される。特にポリオルガノシロキサン化合物のエッチング速度を高めたい場合には、反応活性種であるフッ化物イオンの濃度を高めることが有効である。しかし、高濃度の第四級フッ化アルキルアンモニウムを含む洗浄組成物を用いた場合、ウェハ上の金属バンプが腐食する問題が生じていた。
（【００１１】以降は省略されています）

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