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公開番号2025079972
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-23
出願番号2023192890
出願日2023-11-13
発明の名称信号伝達装置、電子機器及び車両
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人佐野特許事務所
主分類H03K 17/691 20060101AFI20250516BHJP(基本電子回路)
要約【課題】一次回路系と二次回路系との間で伝達される信号のノイズを減少させる。
【解決手段】信号生成回路(411x)は、スイッチ出力段(412)と、電流制限回路(418a、418b)と、を備える。スイッチ出力段(412)は、スイッチング動作を通じて第1電圧と第2電圧との間でパルス駆動されるパルス信号(PS)を生成するように構成されている。電流制限回路(418a、418b)は、第1電圧の印加端とスイッチ出力段(412)との間に接続されてスイッチ出力段(412)に流れる電流(I2)を制限するように構成されている。
【選択図】図11
特許請求の範囲【請求項１】
スイッチング動作を通じて第１電圧と第２電圧との間でパルス駆動されるパルス信号を生成するように構成されたスイッチ出力段と、
前記第１電圧の印加端と前記スイッチ出力段との間に接続されて前記スイッチ出力段に流れる電流を制限するように構成された電流制限回路と、
を備える信号生成回路。
続きを表示（約 750 文字）【請求項２】
前記電流制限回路は、前記第１電圧の印加端と前記スイッチ出力段との間に接続される抵抗器を含む請求項１に記載の信号生成回路。
【請求項３】
前記電流制限回路は、第１端を前記第１電圧の印加端に接続され、第２端を前記スイッチ出力段に接続され、かつ第３端を基準電圧の印加端に接続されて、前記第１端と前記第３端との電位差に応じてオン／オフするスイッチ素子を含み、
前記基準電圧は、前記第１電圧未満である請求項１または２に記載の信号生成回路。
【請求項４】
前記スイッチ素子は、前記第１端をソース端子、前記第２端をドレイン端子、前記第３端をゲート端子とするＭＯＳＦＥＴである請求項３に記載の信号生成回路。
【請求項５】
前記第２電圧は、接地電圧である請求項１または２に記載の信号生成回路。
【請求項６】
送信回路と、
受信回路と、
前記送信回路と前記受信回路との間を絶縁しつつ相互間で前記パルス信号を伝達するように構成される絶縁素子と、
を備え、
前記送信回路は、請求項１に記載の信号生成回路を含む信号伝達装置。
【請求項７】
前記送信回路が集積化される第１チップと、
前記受信回路が集積化される第２チップと、
前記絶縁素子が集積化される第３チップと、
をさらに備え、
前記第１チップ、前記第２チップ、および前記第３チップは、単一のパッケージに封止される、請求項６に記載の信号伝達装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載の信号伝達装置を備える電子機器。
【請求項９】
請求項８に記載の電子機器を備える車両。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本明細書中に開示されている発明は、信号伝達装置、電子機器及び車両に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、一次回路系と二次回路系との間を電気的に絶縁しつつ、一次回路系と二次回路系との間で信号を伝達する信号伝達装置がある。このような信号伝達装置は、様々なアプリケーション（電源装置又はモータ駆動装置など）に用いられている。
【０００３】
なお、上記に関連する従来技術の一例としては、特許文献１を挙げることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
国際公開第２０２２／０７０９４４号公報
【０００５】
［概要］
特許文献１で開示されている信号伝達装置の一次回路系に相当する半導体装置は、一次回路系と二次回路系との間で伝達される信号のノイズに関して、さらなる検討の余地があった。
【０００６】
本明細書中に開示されている信号生成回路は、スイッチ出力段と、電流制限回路と、を備える。スイッチ出力段は、スイッチング動作を通じて第１電圧と第２電圧との間でパルス駆動されるパルス信号を生成するように構成されている。電流制限回路は、第１電圧の印加端とスイッチ出力段との間に接続されてスイッチ出力段に流れる電流を制限するように構成されている。
【０００７】
本明細書中に開示されている電子機器は、上記構成の信号伝達装置を備える。
【０００８】
本明細書中に開示されている車両は、上記構成の電子機器を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、信号伝達装置の基本構成を示す図である。
図２は、トランスチップの基本構造を示す図である。
図３は、２チャンネル型のトランスチップとして用いられる半導体装置の斜視図である。
図４は、図３に示す半導体装置の平面図である。
図５は、図３の半導体装置において低電位コイルが形成された層を示す平面図である。
図６は、図３の半導体装置において高電位コイルが形成された層を示す平面図である。
図７は、図６に示すVIII-VIII線に沿う断面図である。
図８は、図７に示す領域XIIIの拡大図（分離構造）を示す図である。
図９は、トランスチップのレイアウト例を模式的に示す図である。
図１０は、比較例の信号伝達装置４００Ｙの構成を示すブロック図である。
図１１は、本開示の第１実施形態に係る信号伝達装置４００Ｘの構成を示すブロック図である。
図１２は、本開示の第２実施形態に係る信号伝達装置４００Ｘの構成を示すブロック図である。
図１３は、車両の外観を示す図である。
【００１０】
［詳細な説明］
＜信号伝達装置（基本構成）＞
図１は、信号伝達装置の基本構成を示す図である。本構成例の信号伝達装置２００は、一次回路系２００ｐ（ＶＣＣ１－ＧＮＤ１系）と二次回路系２００ｓ（ＶＣＣ２－ＧＮＤ２系）との間を絶縁しつつ、一次回路系２００ｐから二次回路系２００ｓにパルス信号を伝達し、二次回路系２００ｓに設けられたスイッチ素子（不図示）のゲートを駆動する半導体集積回路装置（いわゆる絶縁ゲートドライバＩＣ）である。例えば、信号伝達装置２００は、コントローラチップ２１０と、ドライバチップ２２０と、トランスチップ２３０と、を単一のパッケージに封止して成る。
（【００１１】以降は省略されています）

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