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公開番号2025075688
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-15
出願番号2023187036
出願日2023-10-31
発明の名称半導体装置
出願人三安ジャパンテクノロジー株式会社
代理人個人
主分類H10D 30/66 20250101AFI20250508BHJP()
要約【課題】終端構造において、プロセスを煩雑化せずに、耐圧を確保しつつ、省スペース化を図ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、n型およびp型の一方の炭化珪素で形成されたドレイン層と、前記ドレイン層の上にn型およびp型の一方の炭化珪素で形成されたドリフト層と、を備え、チップの終端構造において、前記ドリフト層の側壁部は、内側に向かって湾曲または傾斜し、前記側壁部において、少なくとも上部は、逆テーパー状である。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
ｎ型およびｐ型の一方の炭化珪素で形成されたドレイン層と、
前記ドレイン層の上にｎ型およびｐ型の一方の炭化珪素で形成されたドリフト層と、
を備え、
終端構造において、
前記ドリフト層の側壁部は、内側に向かって湾曲または傾斜し、
前記側壁部において、少なくとも上部は、逆テーパー状である半導体装置。
続きを表示（約 470 文字）【請求項２】
前記側壁部において、上部の曲率半径は、下部の曲率半径よりも小さい請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記側壁部において、上部の傾斜角度は、下部の傾斜角度よりも大きい請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記側壁部において、前記ドレイン層の側は、垂直である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記側壁部において、前記ドレイン層の側は、順テーパー状である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記側壁部の表面に形成され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度のｎ型およびｐ型の他方の不純物層、
を備えた請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
絶縁破壊強度が炭化珪素以上であり、前記不純物層の表面に形成された絶縁層、
を備えた請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
絶縁破壊強度が炭化珪素以上であり、前記側壁部の表面に形成された絶縁層、
を備えた請求項１に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関連する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、半導体装置を開示する。当該半導体装置のような縦型の高電圧素子においては、電界分布を緩和するために、表面のチップ端近傍に多くの周回パターンを配置している。
【０００３】
特許文献２は、半導体装置を開示する。当該半導体装置においては、絶縁膜は、複数の第２半導体層のうちの横方向の終端に位置する第２半導体層の側面、または複数の第３半導体層のうちの終端に位置する第３半導体層の側面に設けられる。半導電性膜は、絶縁膜の側面に設けられる。半導電性膜は、第１電極および第２電極と電気的に接続される。半導電性膜は、第２半導体層の抵抗率および第３半導体層の抵抗率よりも高く、絶縁膜の抵抗率よりも低い抵抗率をもつ。当該構造を備えることで、終端のカット位置によって耐圧が左右されない半導体装置が提供され得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１８－１８６１６０号公報
特開２０１８－２０６９１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の半導体装置において、終端構造は、多くの周回パターンを配置している。このような終端構造は、チップ面積において、大きな割合を占める。このため、半導体装置の終端構造の省スペース化を図ることが困難である。
【０００６】
特許文献２に記載の半導体装置において、終端構造の側壁部を工夫することで、周回パターンを削減して省スペース化を図った構造が提案されているが、側面に所定の導電率を持った半導体層を形成する必要があるなど、プロセスが複雑化する。
【０００７】
本開示は、上述の課題を解決するためになされた。本開示の目的は、終端構造において、耐圧を確保しつつ、省スペース化を図ることができ、かつ、プロセスを複雑化させない半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示に係る半導体装置は、
ｎ型およびｐ型の一方の炭化珪素で形成されたドレイン層と、
前記ドレイン層の上にｎ型およびｐ型の一方の炭化珪素で形成されたドリフト層と、
を備え、
終端構造において、
前記ドリフト層の側壁部は、内側に向かって湾曲または傾斜し、
前記側壁部において、少なくとも上部は、逆テーパー状である。
【０００９】
前記側壁部において、上部の曲率半径は、下部の曲率半径よりも小さいことが、本開示の一形態とされる。
【００１０】
前記側壁部において、上部の傾斜角度は、下部の傾斜角度よりも大きいことが、本開示の一形態とされる。
（【００１１】以降は省略されています）

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