特許ウォッチ

公開番号2025073257
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-13
出願番号2023183866
出願日2023-10-26
発明の名称放射線撮像装置
出願人キヤノン株式会社
代理人個人
主分類H10F 39/18 20250101AFI20250502BHJP()
要約【課題】画素のリペアの確実性及び/又は開口率を向上させることができるようにする。
【解決手段】放射線撮像装置は、各々が光電変換素子とスイッチング素子を含む複数の画素と、前記複数の画素の光電変換素子にバイアス電圧を供給するバイアス配線と、前記複数の画素のうちの一部の画素の光電変換素子と前記バイアス配線との間を絶縁するため、前記一部の画素の光電変換素子と前記バイアス配線との間の接続部の少なくとも一部が除去された第1の除去部とを有し、前記複数の画素のうちの他部の画素の光電変換素子と前記バイアス配線との間は電気的に接続されている。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
各々が光電変換素子とスイッチング素子を含む複数の画素と、
前記複数の画素の光電変換素子にバイアス電圧を供給するバイアス配線と、
前記複数の画素のうちの一部の画素の光電変換素子と前記バイアス配線との間を絶縁するため、前記一部の画素の光電変換素子と前記バイアス配線との間の接続部の少なくとも一部が除去された第１の除去部とを有し、
前記複数の画素のうちの他部の画素の光電変換素子と前記バイアス配線との間は電気的に接続されていることを特徴とする放射線撮像装置。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
前記複数の画素の光電変換素子により変換された電気信号が前記複数の画素のスイッチング素子を介して出力される信号配線と、
前記一部の画素のスイッチング素子と前記信号配線との間を絶縁するため、前記一部の画素のスイッチング素子と前記信号配線との間の接続部の少なくとも一部が除去された第２の除去部とをさらに有し、
前記他部の画素のスイッチング素子と前記信号配線との間は電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
前記一部の画素の光電変換素子と前記バイアス配線との間の接続部は、正射影において前記光電変換素子と重なる位置に設けられることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記一部の画素の光電変換素子と前記バイアス配線との間の接続部の少なくとも一部は、前記バイアス配線と前記光電変換素子との間の絶縁膜に設けられたコンタクトホール内部に設けられることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】
前記スイッチング素子の上部には、前記光電変換素子が設けられていないことを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】
前記一部の画素は欠陥画素であり、
前記他部の画素は正常画素であることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
各々が光電変換素子とスイッチング素子を含む複数の画素と、
前記複数の画素の光電変換素子にバイアス電圧を供給するバイアス配線と、
前記複数の画素の光電変換素子により変換された電気信号が前記複数の画素のスイッチング素子を介して出力される信号配線と、
前記スイッチング素子を駆動する駆動配線と、
前記スイッチング素子と前記信号配線との間を接続する第１の接続部と、
前記スイッチング素子と前記駆動配線との間を接続する第２の接続部と、
前記スイッチング素子と前記光電変換素子との間を接続する第３の接続部とを有し、
前記第１の接続部の長さは、前記第２の接続部の長さ及び前記第３の接続部の長さより長いことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項８】
前記光電変換素子と前記バイアス配線との間を接続する第４の接続部をさらに有し、
前記第４の接続部は、正射影において前記光電変換素子と重なる位置に設けられることを特徴とする請求項７に記載の放射線撮像装置。
【請求項９】
前記第４の接続部の少なくとも一部は、前記バイアス配線と前記光電変換素子との間の絶縁膜に設けられたコンタクトホール内部に設けられることを特徴とする請求項８に記載の放射線撮像装置。
【請求項１０】
前記スイッチング素子の上部には、前記光電変換素子が設けられていないことを特徴とする請求項７に記載の放射線撮像装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、放射線撮像装置に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
絶縁基板上にアモルファスシリコンなどで形成された薄膜トランジスタなどのスイッチング素子及び光電変換素子を二次元行列状に配置したセンサ基板と、放射線を可視光に変換するシンチレータとを組み合わせた放射線撮像装置が広く用いられている。放射線撮像装置の製造工程では、パーティクルやプロセス不具合による配線ショート、断線等の画素欠陥がある確率で発生する。したがって、欠陥の発生を少なくするための工程管理、プロセス開発とともに、欠陥画素の特定箇所をリペアすることで欠陥画素及び周囲の正常画素からの異常出力を抑制する、画素リペア技術が用いられる。
【０００３】
例えば、特許文献１には、信号配線とＴＦＴとの接続部と、画素電極とＴＦＴの接続部を除去するリペア方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００４－１７９６４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１には、次の課題（１）及び（２）がある。
【０００６】
（１）リペアの確実性
画素は、複数のリーク経路のうちのいずれかの発生により欠陥画素となる。しかし、特許文献１では、全てのリーク経路に対して画素リペアをできるのではなく、一部のリーク経路に対しては画素リペアを行うことができない。
【０００７】
（２）開口率
特許文献１の画素リペア方法では、画素リペアを行う領域を確保するため、光電変換素子の面積が小さくなり、開口率が低下してしまう。
【０００８】
本開示の目的は、画素のリペアの確実性及び／又は開口率を向上させることができるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
放射線撮像装置は、各々が光電変換素子とスイッチング素子を含む複数の画素と、前記複数の画素の光電変換素子にバイアス電圧を供給するバイアス配線と、前記複数の画素のうちの一部の画素の光電変換素子と前記バイアス配線との間を絶縁するため、前記一部の画素の光電変換素子と前記バイアス配線との間の接続部の少なくとも一部が除去された第１の除去部とを有し、前記複数の画素のうちの他部の画素の光電変換素子と前記バイアス配線との間は電気的に接続されている。
【発明の効果】
【００１０】
本開示によれば、画素のリペアの確実性及び／又は開口率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許