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公開番号2025042800
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-28
出願番号2023149944
出願日2023-09-15
発明の名称ワークの研削方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人東京アルパ特許事務所
主分類B24B 49/04 20060101AFI20250321BHJP(研削;研磨)
要約【課題】上面側に透明部材を有するワークの上面高さを光学的に非接触で測定しながら該ワークの表面を研削することができるワークの研削方法を提供すること。
【解決手段】上面側にSiO₂層(透明部材)Fを有するワークWの上面を研削する研削方法は、チャックテーブル10にSiO₂層Fを上にしてワークWを保持させる保持工程と、傷つけ砥石25b1をワークWの上面に当接させて回転させることによって該上面に傷をつける傷つけ工程と、該傷つけ工程の後、非接触高さ測定器50によってワークWの上方から測定光L1をSiO₂層Fに向けて投光してワークWの上面で反射した反射光L2を受光することによってワークWの上面高さを測定しながら、ワークWの上面を該上面が所定高さになるまで研削砥石25b2によって研削することによって、ワークWの上面につけられた傷を除去する研削工程を含む。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
上面側に透明部材を有するワークまたは全体が透明部材で構成されたワークの上面を研削砥石で研削するワークの研削方法であって、
チャックテーブルに被研削面を上にして前記ワークを保持させる保持工程と、
前記ワークの上面高さを非接触高さ測定器で測定しつつ前記上面高さが所定の高さになるまで前記ワークを前記研削砥石で研削する研削工程と、からなるワークの研削方法。
続きを表示（約 750 文字）【請求項２】
前記研削工程の前までに前記ワークの上面全面に傷つけ砥石で傷をつける傷つけ工程と、該傷つけ工程の後、前記非接触高さ測定器によって前記ワークの上方から測定光を前記透明部材に向けて投光して前記ワークの上面で反射した反射光を受光することによって前記ワークの上面高さを測定しながら、前記ワークの上面を該上面が所定高さになるまで前記研削砥石によって研削することによって、前記ワークの上面につけられた前記傷を除去する研削工程と、
からなる、請求項１記載のワークの研削方法。
【請求項３】
前記傷つけ工程の前に、前記チャックテーブルに保持された前記ワークの上面高さを接触高さ測定器によって測定する上面高さ測定工程を実施し、
前記傷つけ工程において、前記傷つけ砥石の下面を前記上面高さ測定工程で測定した前記ワークの上面高さに位置づけ、該傷つけ砥石によって前記ワークの上面に傷をつける請求項２記載のワークの研削方法。
【請求項４】
前記研削工程において、前記非接触高さ測定器によって測定された前記ワークの上面高さと、前記接触高さ測定器によって測定された前記チャックテーブルの保持面の高さとの差によって、前記ワークの厚みを算出する請求項３記載のワークの研削方法。
【請求項５】
シリコン部材の上面に前記透明部材としてＳｉＯ
２
層を備える前記ワークの前記ＳｉＯ
２
層の上面を研削する請求項１～４の何れかに記載のワークの研削方法。
【請求項６】
全体が前記透明部材で構成される前記ワークは、石英ガラス、ＳｉＣ、サファイア、ダイアモンドのいずれかである、請求項１記載のワークの研削方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、上面側に透明部材を有するワークまたは全体が透明部材で構成されたワークの上面を研削するワークの研削方法に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの高集積化、低消費電力化、高速化、高信頼性などを実現することができるＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板などの貼合わせウェーハ（積層ウェーハまたは複合ウェーハ）が実用化されている（例えば、特許文献１，２参照）。例えば、ＳＯＩ基板は、シリコン基板である２枚のウェーハを、両者の間に絶縁層としてのＳｉＯ
２
層を介在させて貼り合わせて構成される。
【０００３】
具体的には、ＳＯＩ基板は、一方のウェーハの上面にプラズマＣＶＤ法などによってＳｉＯ
２
層を形成し、該ＳｉＯ
２
層の表面を研削した後に研磨し、このＳｉＯ
２
層の表面に他方のウェーハを重ねて両者をフュージョンボンディングなどの方法によって貼り合わせ、最後に両ウェーハを所定の厚みに研削することによって得られる。
【０００４】
ここで、支持ウェーハと被研削ウェーハとを間にＳｉＯ
２
層を介在させて貼り合わせる前に、支持ウェーハの上面に形成されたＳｉＯ
２
層を研削する場合、チャックテーブルに保持された支持ウェーハのＳｉＯ
２
層の上面とチャックテーブルの保持面に接触式厚み測定器（ハイトゲージ）のプローブをそれぞれ接触させ、これらのプローブによって測定されたＳｉＯ
２
層の上面高さとチャックテーブルの保持面の高さとの差からＳｉＯ
２
層を含んだ支持ウェーハの厚みを求め、この厚みが所定厚みになるまでＳｉＯ
２
層の上面を研削するようにしている。しかし、ＳｉＯ
２
層の上面にプローブを接触させて該上面に高さを測定するとＳｉＯ
２
層の上面に接触痕が残り、ＳＯＩ基板の性能低下を招く可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１８－０５６４５９号公報
特開２０２３－０８３６０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、ＳｉＯ
２
層の上面の研削において、該ＳｉＯ
２
層の上面高さを光学的に非接触で測定することが考えられるが、透明なＳｉＯ
２
層の上面で測定光が反射しないため、ＳｉＯ
２
層の上面高さを測定することができないという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、その目的は、上面側に透明部材を有するワークまたは全体が透明部材で構成されたワークの上面高さを光学的に非接触で測定しながら該ワークの表面を研削することができるワークの研削方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するための本発明は、上面側に透明部材を有するワークまたは全体が透明部材で構成されたワークの上面を研削砥石で研削するワークの研削方法であって、チャックテーブルに被研削面を上にして前記ワークを保持させる保持工程と、前記ワークの上面高さを非接触高さ測定器で測定しつつ前記上面高さが所定の高さになるまで前記ワークを前記研削砥石で研削する研削工程と、からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、保持工程においてチャックテーブルに保持されたワークの上面に形成された透明部材または全体が透明部材によって構成されたワークの上面に、次の傷つけ工程において傷つけ砥石を接触させて該上面に傷をつけるようにしたため、非接触高さ測定器から出射する測定光が透明部材（全体が透明部材で構成されたワーク）の上面で反射する。このため、透明部材（または、全体が透明部材で構成されたワーク）の上面で反射した反射光を受光する非接触高さ測定器によって透明部材または全体が透明部材によって構成されたワークの上面高さを光学的に非接触で測定することができる。
【００１０】
そして、次の研削工程において、非接触高さ測定器によって透明部材（または全体が透明部材によって構成されたワーク）の上面高さを光学的に非接触で測定しながら、透明部材（または全体が透明部材によって構成されたワーク）の上面につけられた傷を研削砥石によって除去しながら、透明部材（または全体が透明部材によって構成されたワーク）の上面高さが所定の高さになるまで該透明部材またはワークを研削砥石によって研削することができる。このとき、チャックテーブルの保持面に接触高さ測定器のプローブを接触させ、接触高さ測定器によって測定される保持面の高さと非接触で測定される透明部材の上面高さとの差によって、透明部材を含むワークまたは全体が透明部材によって構成されたワークの厚みを測定しながら、ワークの厚みが所定厚みになるまで透明部材または全体が透明部材によって構成されたワークの上面を研削砥石によって研削することができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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