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公開番号2025072527
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-09
出願番号2025017920,2023029379
出願日2025-02-05,2023-02-28
発明の名称電子デバイスの製造方法、および、カバーガラス
出願人デクセリアルズ株式会社
代理人弁理士法人青海国際特許事務所
主分類H10F 39/12 20250101AFI20250430BHJP()
要約【課題】アウトガスの発生を抑制して、カバーガラスの光学特性の劣化を抑制する。
【解決手段】電子デバイスの製造方法は、光重合成分を含む未硬化の光硬化性樹脂の硬化物からなる反射防止層が形成されたカバーガラスを加熱するベーキング工程と、センサ素子の受光面に対向する位置に、ベーキング工程後のカバーガラスを設置して、センサモジュールを組み立てる組立工程と、センサモジュールを実装基板上に載置して、250℃以上の温度で加熱することにより、センサモジュールを実装基板にはんだ付けするリフロー工程と、を含み、リフロー工程より前にベーキング工程を行うことにより、リフロー工程において、カバーガラスの反射防止層から発生するアウトガスのうち、光重合成分に由来するアウトガスの発生率は、反射防止層の質量に対して0.3質量%以下である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
カバーガラスにより覆われたセンサ素子が実装基板上に実装された電子デバイスの製造方法において、
前記カバーガラスは、
ガラス基板と、
前記ガラス基板の少なくとも一側の表面に設けられ、凹凸の平均周期が可視光波長以下である微細凹凸構造を有する反射防止層と、
を備え、
前記製造方法は、
（１）前記ガラス基板の少なくとも一側の表面に設けられ、未硬化の光硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層に対して、原盤の前記微細凹凸構造を転写する転写工程と、
（２）前記微細凹凸構造が転写された前記未硬化樹脂層に光を照射することにより、前記未硬化樹脂層を硬化させて、前記光硬化性樹脂の硬化物からなる前記反射防止層を形成する硬化工程と、
（３）前記反射防止層が形成された前記カバーガラスを加熱するベーキング工程と、
（４）前記センサ素子の受光面に対向する位置に、前記ベーキング工程後の前記カバーガラスを設置して、センサモジュールを組み立てる組立工程と、
（５）前記センサモジュールを前記実装基板上に載置して、２５０℃以上の温度で加熱することにより、前記センサモジュールを前記実装基板にはんだ付けするリフロー工程と、
を含み、
前記未硬化の光硬化性樹脂は、
光重合成分を含み、
前記光重合成分は、樹脂（Ａ）および樹脂（Ｂ）を含み、
前記樹脂（Ａ）は、フェニル基を有する単官能のアクリレートモノマーであり、
前記樹脂（Ｂ）は、２官能以上のアクリレートモノマーであり、
前記光重合成分全体に対する、前記樹脂（Ａ）の含有率は、１０質量％超、４０質量％以下であり、
前記光重合成分全体に対する、前記樹脂（Ｂ）の含有率は、６０質量％以上、９０質量％未満であり、
前記リフロー工程より前に前記ベーキング工程を行うことにより、前記リフロー工程において、前記カバーガラスの前記反射防止層から発生するアウトガスのうち、前記光重合成分に由来するアウトガスの発生率は、前記反射防止層の質量に対して０．３質量％以下である、電子デバイスの製造方法。
続きを表示（約 1,800 文字）【請求項２】
前記リフロー工程において、前記カバーガラスの前記反射防止層から発生するアウトガスのうち、前記樹脂（Ａ）に由来するアウトガスの発生率は、０．２質量％未満である、請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記樹脂（Ｂ）は、分子内に環状構造を有するモノマーである、請求項１または２に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記ベーキング工程では、前記反射防止層が形成された前記カバーガラスを、１５０℃以上、２５０℃未満の温度で、１０分以上加熱する、請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記反射防止層は、前記ガラス基板の両側の表面に設けられ、
前記転写工程では、前記ガラス基板の両側の表面に設けられた前記未硬化樹脂層に対して、前記原盤の前記微細凹凸構造を転写する、請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記センサ素子は、イメージセンサである、請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
カバーガラスにより覆われたセンサ素子が実装基板上に実装された電子デバイスの製造方法において、
前記カバーガラスは、
ガラス基板と、
前記ガラス基板の少なくとも一側の表面に設けられ、凹凸の平均周期が可視光波長以下である微細凹凸構造を有する反射防止層と、
を備え、
前記製造方法は、
（１）前記ガラス基板の少なくとも一側の表面に設けられ、未硬化の光硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層に対して、原盤の前記微細凹凸構造を転写する転写工程と、
（２）前記微細凹凸構造が転写された前記未硬化樹脂層に光を照射することにより、前記未硬化樹脂層を硬化させて、前記光硬化性樹脂の硬化物からなる前記反射防止層を形成する硬化工程と、
（３）前記反射防止層が形成された前記カバーガラスを加熱するベーキング工程と、
（４）前記センサ素子の受光面に対向する位置に、前記ベーキング工程後の前記カバーガラスを設置して、センサモジュールを組み立てる組立工程と、
（５）前記センサモジュールを前記実装基板上に載置して、２５０℃以上の温度で加熱することにより、前記センサモジュールを前記実装基板にはんだ付けするリフロー工程と、
を含み、
前記未硬化の光硬化性樹脂は、
光重合成分を含み、
前記光重合成分は、樹脂（Ａ）および樹脂（Ｂ）を含み、
前記樹脂（Ａ）は、フェニル基を有する単官能のアクリレートモノマーであり、
前記樹脂（Ｂ）は、２官能以上のアクリレートモノマーであり、
前記光重合成分全体に対する、前記樹脂（Ａ）の含有率は、１０質量％超、４０質量％以下であり、
前記光重合成分全体に対する、前記樹脂（Ｂ）の含有率は、６０質量％以上、９０質量％未満であり、
前記ベーキング工程では、前記反射防止層が形成された前記カバーガラスを、１５０℃以上、２５０℃未満の温度で、１０分以上加熱する、電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記リフロー工程において、前記カバーガラスの前記反射防止層から発生するアウトガスのうち、前記光重合成分に由来するアウトガスの発生率が、前記反射防止層の質量に対して０．３質量％以下となるように、前記リフロー工程より前に前記ベーキング工程を行う、請求項７に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項９】
電子デバイスの実装基板上に実装されるセンサ素子を覆うカバーガラスであって、
ガラス基板と、
前記ガラス基板の少なくとも一側の表面に設けられ、凹凸の平均周期が可視光波長以下である微細凹凸構造を有し、光硬化性樹脂の硬化物からなる反射防止層と、
を備え、
前記光硬化性樹脂の硬化物は、樹脂（Ａ）および樹脂（Ｂ）の重合物であり、
前記樹脂（Ａ）は、フェニル基を有する単官能のアクリレートモノマーであり、
前記樹脂（Ｂ）は、２官能以上のアクリレートモノマーであり、
前記重合物に含まれる前記樹脂（Ａ）に由来する残存モノマーの含有率は、０．２５質量％以下である、カバーガラス。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスの製造方法、および、カバーガラスに関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
センサ素子が実装基板上に実装された電子デバイスは、例えば、スマートフォン等の携帯端末、自動車、監視システム等に設けられる。電子デバイスにおいて、センサ素子の感度を向上させるために、センサ素子は、反射防止機能を有するカバーガラスによって覆われている。
【０００３】
反射防止機能を有するカバーガラスとして、微細凹凸構造を有する樹脂製の反射防止層を備えるカバーガラスが開発されている。このようなカバーガラスは、原盤と基材との間に、硬化性樹脂組成物を供給して硬化させ、原盤の微細凹凸構造を硬化性樹脂組成物の表面に転写すること（ナノインプリント法）によって製造される（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１５－２１４１０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記電子デバイスを製造する際、まず、センサ素子の受光面に対向する位置に、カバーガラスを設置して、センサモジュールを組み立てる。そして、センサモジュールを実装基板上に載置して加熱することにより、センサモジュールを実装基板にはんだ付け（リフロー）する。
【０００６】
このように、リフローの際、センサモジュールを加熱することになるが、この加熱によってカバーガラスの反射防止層からアウトガスが発生する。アウトガスは、カバーガラスの光学特性を劣化させる、特に、４００ｎｍ以上の波長の光の透過率を低下させるという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、アウトガスの発生を抑制して、カバーガラスの光学特性の劣化を抑制することが可能な、電子デバイスの製造方法、および、カバーガラスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、
カバーガラスにより覆われたセンサ素子が実装基板上に実装された電子デバイスの製造方法において、
前記カバーガラスは、
ガラス基板と、
前記ガラス基板の少なくとも一側の表面に設けられ、凹凸の平均周期が可視光波長以下である微細凹凸構造を有する反射防止層と、
を備え、
前記製造方法は、
（１）前記ガラス基板の少なくとも一側の表面に設けられ、未硬化の光硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層に対して、原盤の前記微細凹凸構造を転写する転写工程と、
（２）前記微細凹凸構造が転写された前記未硬化樹脂層に光を照射することにより、前記未硬化樹脂層を硬化させて、前記光硬化性樹脂の硬化物からなる前記反射防止層を形成する硬化工程と、
（３）前記反射防止層が形成された前記カバーガラスを加熱するベーキング工程と、
（４）前記センサ素子の受光面に対向する位置に、前記ベーキング工程後の前記カバーガラスを設置して、センサモジュールを組み立てる組立工程と、
（５）前記センサモジュールを前記実装基板上に載置して、２５０℃以上の温度で加熱することにより、前記センサモジュールを前記実装基板にはんだ付けするリフロー工程と、
を含み、
前記未硬化の光硬化性樹脂は、
光重合成分を含み、
前記光重合成分は、樹脂（Ａ）および樹脂（Ｂ）を含み、
前記樹脂（Ａ）は、フェニル基を有する単官能のアクリレートモノマーであり、
前記樹脂（Ｂ）は、２官能以上のアクリレートモノマーであり、
前記光重合成分全体に対する、前記樹脂（Ａ）の含有率は、１０質量％超、４０質量％以下であり、
前記光重合成分全体に対する、前記樹脂（Ｂ）の含有率は、６０質量％以上、９０質量％未満であり、
前記リフロー工程より前に前記ベーキング工程を行うことにより、前記リフロー工程において、前記カバーガラスの前記反射防止層から発生するアウトガスのうち、前記光重合成分に由来するアウトガスの発生率は、前記反射防止層の質量に対して０．３質量％以下である、電子デバイスの製造方法が提供される。
【０００９】
前記リフロー工程において、前記カバーガラスの前記反射防止層から発生するアウトガスのうち、前記樹脂（Ａ）に由来するアウトガスの発生率は、０．２質量％未満であってもよい。
【００１０】
前記樹脂（Ｂ）は、分子内に環状構造を有するモノマーであってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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