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公開番号2025076788
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-16
出願番号2023188647
出願日2023-11-02
発明の名称基板処理方法及び基板処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類H10K 71/20 20230101AFI20250509BHJP()
要約【課題】生産性を向上する基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】(A)複数の電極が基板表面に配置された電極アレイを有する基板を準備する工程と、(B)前記電極アレイの全体に発光層、電極層、及び封止層を形成する工程と、(C)複数の前記電極のうち一の種類の電極の上において第1の厚さを有するマスクを前記封止層の上に形成する工程と、(D)前記マスクを用いて前記基板にエッチング処理を施し、前記一の種類の電極、前記発光層、前記電極層、及び前記封止層が積層された積層体を形成する工程と、を有する、基板処理方法。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
（Ａ）複数の電極が基板表面に配置された電極アレイを有する基板を準備する工程と、
（Ｂ）前記電極アレイの全体に発光層、電極層、及び封止層を形成する工程と、
（Ｃ）複数の前記電極のうち一の種類の電極の上において第１の厚さを有するマスクを前記封止層の上に形成する工程と、
（Ｄ）前記マスクを用いて前記基板にエッチング処理を施し、前記一の種類の電極、前記発光層、前記電極層、及び前記封止層が積層された積層体を形成する工程と、を有する、
基板処理方法。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
前記（Ｃ）工程は、
前記一の種類の電極の上にのみ前記マスクを形成する、
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記（Ａ）工程の後、前記（Ｂ）工程の前に、
（Ｅ）複数の前記電極のうち第１の種類の電極に対応する位置に開口部を有する第１封止層を形成する工程、をさらに有し、
前記（Ｂ）工程は、
前記電極アレイの全体に発光層、電極層、及び第２封止層を形成し、
前記（Ｃ）工程は、
前記第１の種類の電極の上において前記第１の厚さを有し、複数の前記電極のうち第２の種類の電極の上において開口を有し、その他の前記電極の上において前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さを有するマスクを前記第２封止層の上に形成し、
前記（Ｄ）工程は、
前記第１の種類の電極、前記発光層、前記電極層、及び前記第２封止層が積層された積層体を形成するとともに、前記第１封止層に前記第２の種類の電極に対応する位置に開口部を形成する、
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記（Ｂ）工程から前記（Ｄ）工程を繰り返す、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記電極アレイは、３種類の前記電極を含む、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項６】
３種類の前記電極は、赤色を発光する前記積層体の前記電極、青色を発光する前記積層体の前記電極、緑色を発光する前記積層体の前記電極を含む、
請求項５に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記マスクは、フォトレジストマスクである、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記工程（Ｄ）は、
前記マスクの厚さが前記第２の厚さを有する領域において、前記第２封止層、前記電極層及び前記発光層を除去し、
前記マスクの開口を有する領域において、前記第２封止層、前記電極層、前記発光層及び前記第１封止層を除去する、
請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項９】
複数の電極が基板表面に配置された電極アレイを有し、基板表面に第１発光層、第１電極層及び第１封止層が積層され、複数の前記電極のうち一の種類の電極の上において前記第１封止層の上にマスクを有する基板を処理する基板処理装置であって、
前記マスクを用いて前記基板にエッチング処理を施し、前記一の種類の電極、前記第１発光層、前記第１電極層、及び前記第１封止層が積層された積層体を形成するエッチング処理モジュールと、
前記エッチング処理が施された前記基板に第２発光層の形成処理を施す発光層形成処理モジュールと、
前記第２発光層が形成された前記基板に第２電極層の形成処理を施す電極層形成処理モジュールと、
前記第２電極層が形成された前記基板に第２封止層の形成処理を施す封止層形成処理モジュールと、
前記エッチング処理モジュール、前記発光層形成処理モジュール及び前記封止層形成処理モジュールを連結する真空搬送モジュールと、を備える、
基板処理装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、有機発光ダイオードディスプレイなどのディスプレイに利用されうるサブピクセル回路およびサブピクセル回路を形成する方法が開示されている。上記サブピクセルは隣接するＰＤＬ（Pixel Defining Layer）構造上に形成されたオーバーハング構造を利用して有機ＥＬ（Electro Luminescence）層の塗分けをおこない、形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公報２０２２／００７７２５７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一の側面では、本開示は、生産性を向上する基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、（Ａ）複数の電極が基板表面に配置された電極アレイを有する基板を準備する工程と、（Ｂ）前記電極アレイの全体に発光層、電極層、及び封止層を形成する工程と、（Ｃ）複数の前記電極のうち一の種類の電極の上において第１の厚さを有するマスクを前記封止層の上に形成する工程と、（Ｄ）前記マスクを用いて前記基板にエッチング処理を施し、前記一の種類の電極、前記発光層、前記電極層、及び前記封止層が積層された積層体を形成する工程と、を有する、基板処理方法を提供することができる。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、生産性を向上する基板処理方法及び基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
第１実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャート。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
第1積層体の形成工程における基板の断面模式図の他の一例。
第２実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャート。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
第1積層体の形成工程における基板の断面模式図の他の一例。
第１基板処理システムの構成を示す平面図の一例。
第２基板処理システムの構成を示す平面図の一例。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
上述した特許文献１の技術ではオーバーハング構造形成においてフォトリソグラフィ処理の回数が増加することによる工程数の増加や、ウェットエッチング処理時の水分や大気中の酸素の影響によるアノード電極の劣化のおそれがある。
【０００９】
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【００１０】
＜第１実施形態＞
基板に複数種類の有機ＥＬ素子を形成する基板処理方法の一例について、図１から図１５を用いて説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャートである。図２から図１５は、各工程における基板の断面模式図の一例である。
（【００１１】以降は省略されています）

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