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公開番号2025079673
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-22
出願番号2023192497
出願日2023-11-10
発明の名称噴射ノズル構造のウェーハ残留ガス除去装置
出願人ヴイエムインコーポレイテッド
代理人個人
主分類H01L 21/673 20060101AFI20250515BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】噴射ノズル構造のウェーハ残留ガス除去装置を提供すること。
【解決手段】噴射ノズル構造のウェーハ残留ガス除去装置に関し、噴射ノズル構造のウェーハ残留ガス除去装置は、ハウジング11の内部に形成される積載空間12の前側に形成されながら、それぞれが水平方向に沿って線形に延びる少なくとも1つの噴射ノズル(15_1ないし15_N、16_1ないし16_N);及びそれぞれの噴射ノズル(15_1ないし15_N)の延長方向に沿って形成された多数個の噴射ホール(21_1ないし21_L);を含み、多数個の噴射ホール(21_1ないし21_N)から噴射されるガスまたはCDAによってウェーハの表面に残存するガスまたは汚染物質が除去される。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
ハウジング１１の内部に形成される積載空間１２の前側に形成されながら、それぞれが水平方向に沿って線形に延びる少なくとも１つの噴射ノズル（１５＿１ないし１５＿Ｎ、１６＿１ないし１６＿Ｎ）と、
それぞれの噴射ノズル（１５＿１ないし１５＿Ｎ）の延長方向に沿って形成された多数個の噴射ホール（２１＿１ないし２１＿Ｌ）と、を含み、
多数個の噴射ホール（２１＿１ないし２１＿Ｎ）から噴射されるガスまたはＣＤＡによってウェーハの表面に残存するガスまたは汚染物質が除去される
ことを特徴とする噴射ノズル構造のウェーハ残留ガス除去装置。
続きを表示（約 930 文字）【請求項２】
少なくとも１つの噴射ノズル（１５＿１ないし１５＿Ｎ、１６＿１ないし１６＿Ｎ）は、垂直方向に配される多数個からなる
請求項１に記載の噴射ノズル構造のウェーハ残留ガス除去装置。
【請求項３】
少なくとも１つの噴射ノズル（１５＿１ないし１５＿Ｎ、１６＿１ないし１６＿Ｎ）は、互いに対向するように配される第１グループ噴射ノズル（１５＿１ないし１５＿Ｎ）及び第２グループ噴射ノズル（１６＿１ないし１６＿Ｎ）からなる
請求項１に記載の噴射ノズル構造のウェーハ残留ガス除去装置。
【請求項４】
多数個の噴射ホール（２１＿１ないし２１＿Ｎ）は、噴射ノズル（１５＿１ないし１５＿１、１６＿１ないし１６＿Ｎ）の延長方向に沿って螺旋状に位置するように形成される
請求項１に記載の噴射ノズル構造のウェーハ残留ガス除去装置。
【請求項５】
少なくとも１つの噴射ノズル（１５＿１ないし１５＿Ｎ、１６＿１ないし１６＿Ｎ）は、周り方向に沿って回転自在である
請求項１に記載の噴射ノズル構造のウェーハ残留ガス除去装置。
【請求項６】
少なくとも１つの噴射ノズル（１５＿１ないし１５＿Ｎ、１６＿１ないし１６＿Ｎ）のそれぞれは、ハウジング１１の側面から内側方向に延びながら、外側に傾斜する
請求項１に記載の噴射ノズル構造のウェーハ残留ガス除去装置。
【請求項７】
積載空間１２に配されてウェーハ（Ｗ）を積載させる多数個の積載部材（５１＿１ないし５１＿Ｋ）をさらに含み、それぞれの積載部材（５１＿１ないし５１＿Ｋ）の端部にウェーハ（Ｗ）と接触される球状、錐状または半球状の接触チップ（５２＿１ないし５２＿Ｋ）が形成される
請求項１に記載の噴射ノズル構造のウェーハ残留ガス除去装置。
【請求項８】
ハウジング１１の裏面に形成される排出モジュール６１をさらに含み、排出モジュール６１は、多数個の貫通ホール（６３＿１ないし６３＿Ｎ）が均一に形成された排出プレート６２を含む
請求項１に記載の噴射ノズル構造のウェーハ残留ガス除去装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、噴射ノズル構造のウェーハ残留ガス除去装置に係り、具体的に、線形噴射ノズルから噴射されるガスによってウェーハの表面に付着された残留ガスまたは汚染物質を除去させる噴射ノズル構造のウェーハ残留ガス除去装置に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体業界で多種のガスが使われ、工程以後、ウェーハに残っている残留ガスが大気中に流出される。流出されたガスは、追加的な副産物を生成することができ、これにより、工程に悪影響を及ぼすことができる。また、工程に使用するガスの一部は、有毒ガスなので、有毒ガスが拡散されれば、作業者の健康を害する恐れがある。ウェーハは、ＦＯＵＰ（ＦｒｏｎｔＯｐｅｎｉｎｇＵｎｉｆｉｅｄＰｏｄ）を通じて装備に供給され、工程以後、ウェーハの残留ガスを除去するために、ウェーハは、サイドストレージ（ＳｉｄｅＳｔｏｒａｇｅ）に保管された後、ＦＯＵＰに移動することができる。また、工程進行したウェーハがＦＯＵＰに直ちに保管になれば、残留ガスが工程前のウェーハに影響を及ぼすことができるので、工程前後、ウェーハの分離のために、ウェーハがサイドストレージに保管される。このようなサイドストレージは、残留ガスの除去のために、窒素またはＣＤＡ（ＣｌｅａｎＤｒｙＡｉｒ）の噴霧のための手段及びウェーハの保管のための手段を含みうる。
【０００３】
ウェーハ表面の残留ガスまたは異物の除去と関連して、特許文献１は、ウェーハ残留ガス除去装置について開示する。特許文献２は、半導体生産工程過程でエッチング工程を据え置きウェーハを一時的に保管し、汚染物質を排出させる排出装置について開示する。特許文献３は、フューム除去装置について開示する。このような先行技術は、ウェーハの残留ガスまたは汚染物質を効果的に除去しにくいという短所を有する。したがって、このような先行技術が有した問題点を解決することができる残留ガスまたは汚染物質が除去される除去装置が作られる必要がある。
【０００４】
本発明は、先行技術が有した問題点を解決するためのものであって、下記のような目的を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
大韓民国特許登録番号１０－０９８９８８７（ジーエス（株）、２０１０．１０．２６．公告）ウェーハ残留ガス除去装置
大韓民国特許登録番号１０－１８７４８０９（キム・ウォンギ、２０１８．０７．０５．公告）汚染物質排出装置
大韓民国特許公開番号１０－２０１５－００８７１５２（ウ・ボムジェ、２０１５．０７．２９．公開）フューム除去装置
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、入口に形成された少なくとも１つの噴射ノズルに形成された多数個の噴射ホールから噴霧される窒素またはＣＤＡによってウェーハの表面に残存するガスまたは汚染物質を効果的に除去させる噴射ノズル構造のウェーハ残留ガス除去装置を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の適切な実施形態によれば、噴射ノズル構造のウェーハ残留ガス除去装置は、ハウジングの内部に形成される積載空間の前側に形成されながら、それぞれが水平方向に沿って線形に延びる少なくとも１つの噴射ノズル；及びそれぞれの噴射ノズルの延長方向に沿って形成された多数個の噴射ホール；を含み、多数個の噴射ホールから噴射されるガスまたはＣＤＡによってウェーハの表面に残存するガスまたは汚染物質が除去される。
【０００８】
本発明の他の適切な実施形態によれば、少なくとも１つの噴射ノズルは、垂直方向に配される多数個からなる。
【０００９】
本発明のさらに他の適切な実施形態によれば、少なくとも１つの噴射ノズルは、互いに対向するように配される第１グループ噴射ノズル及び第２グループ噴射ノズルからなる。
【００１０】
本発明のさらに他の適切な実施形態によれば、多数個の噴射ホールは、噴射ノズルの延長方向に沿って螺旋状に位置するように形成される。
（【００１１】以降は省略されています）

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