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公開番号2025085469
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-05
出願番号2023199368
出願日2023-11-24
発明の名称発光装置および発光装置の製造方法
出願人豊田合成株式会社
代理人弁理士法人あいち国際特許事務所
主分類H10H 20/857 20250101AFI20250529BHJP()
要約【課題】拡大電極のクラックが抑制された発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、下面に電極(p側パッド電極101A、n側パッド電極101B)を有する発光素子10と、シリコーン樹脂を母材とする材料によって形成され、発光素子10の少なくとも上面と側面とを覆う封止部11と、発光素子10の電極と封止部に接し、電極よりも面積の広い拡大電極12と、を有し、拡大電極12は、導電性ペーストの硬化物であり、導電性ペーストの硬化温度とシリコーン樹脂のガラス転移温度との差が50℃以下である。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
下面に電極を有する発光素子と、
シリコーン樹脂を母材とする材料によって形成され、前記発光素子の少なくとも上面と側面とを覆う封止部と、
前記発光素子の前記電極と前記封止部に接し、前記電極よりも面積の広い拡大電極と、を有し、
前記拡大電極は、導電性ペーストの硬化物であり、
前記導電性ペーストの硬化温度と前記シリコーン樹脂のガラス転移温度との差が５０℃以下である、発光装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記シリコーン樹脂のガラス転移温度は、１００℃以上であり、
前記導電性ペーストの硬化温度は、１５０℃以下である請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記導電性ペーストは、Ｃｕペーストである、請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記封止部の下面の端部に切り欠きを有し、前記拡大電極は、前記切り欠きの側面に沿って形成されている、請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光素子は、ｐ側コンタクト電極とｎ側コンタクト電極とを有し、
前記拡大電極は、前記ｐ側コンタクト電極および前記ｎ側コンタクト電極と接している、請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記封止部の上面に設けられた密着層と、
前記密着層上に設けられた反射層と、をさらに有する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記封止部と同じ母材である材料によって形成され、前記反射層の側面および上面を覆う被覆膜をさらに有し、
前記封止部と前記被覆膜によって前記反射層が密封されている、請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
第１テープ上に発光素子を前記発光素子の電極側が第１テープに接触するように配置して固定する発光素子固定工程と、
前記発光素子の少なくとも上面と側面とを覆うようにシリコーン樹脂を母材とする材料を塗布し、前記シリコーン樹脂を硬化させて封止部を形成する封止部形成工程と、
前記封止部上に第２テープを貼り付け、前記第１テープを除去し、前記第１テープと接していた側を露出面とする反転工程と、
前記発光素子の前記電極と前記封止部に接し、前記電極よりも面積の広い領域に、導電性ペーストを塗布し、熱処理によって前記導電性ペーストを硬化させて拡大電極を形成する拡大電極形成工程と、を有し、
前記導電性ペーストの硬化温度と、前記シリコーン樹脂のガラス転移温度との差は５０℃以下であり、
前記拡大電極形成工程における前記熱処理の温度は、前記導電性ペーストの硬化温度＋１０℃以下である、発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記封止部形成工程後、前記反転工程前に、前記封止部上に密着層を形成し、前記密着層上に反射層を形成する反射層形成工程をさらに有する、請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記反射層形成工程後、前記反転工程前に、前記反射層の上面と側面を覆うようにして前記封止部と同じ母材である材料を塗布し、硬化させて被覆膜を形成する被覆膜形成工程をさらに有する、請求項９に記載の発光装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置および発光装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
チップスケールパッケージ（ＣＳＰ）と呼ばれる発光装置が知られている。ＣＳＰは、発光素子の少なくとも上面（電極側とは反対側の面）と側面とがシリコーン樹脂からなる封止部で覆われ、下面（電極側の面）の電極は覆われない構造である。ＣＳＰではリードフレームやワイヤ、サブマウントなどが必要ないため、小型化、低コスト化が可能である。
【０００３】
ＣＳＰの小型化により、使用される発光素子のサイズも小さくなる。また、ＣＳＰを実装基板に実装する際、発光素子の電極と実装側の電極とが直接接続される。そのため、発光素子のサイズの縮小によって電極のサイズも小さくなると、実装側との接合面積が小さくなり、実装性が低下する。
【０００４】
そこで特許文献１のように、発光素子の電極と封止部に接し、発光素子の電極よりも面積の広い拡大電極を形成し、外部との接合面積を広くして実装性を向上させることが考えられる。特許文献１には、拡大電極として金属粉を樹脂材料や溶剤に分散させた導電性ペーストを使用することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１８－１０７２８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に記載の方法では、硬化させた導電性ペーストにクラックが発生して高抵抗化したり、硬化させた導電性ペーストが封止部から剥がれてしまう場合があった。
【０００７】
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたものであり、導電性ペーストのクラックが抑制された発光装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、
下面に電極を有する発光素子と、
シリコーン樹脂を母材とする材料によって形成され、前記発光素子の少なくとも上面と側面とを覆う封止部と、
前記発光素子の前記電極と前記封止部に接し、前記電極よりも面積の広い拡大電極と、を有し、
前記拡大電極は、導電性ペーストの硬化物であり、
前記導電性ペーストの硬化温度と前記シリコーン樹脂のガラス転移温度との差が５０℃以下である、発光装置にある。
【０００９】
本発明の他態様は、
第１テープ上に発光素子を前記発光素子の電極側が第１テープに接触するように配置して固定する発光素子固定工程と、
前記発光素子の少なくとも上面と側面とを覆うようにシリコーン樹脂を母材とする材料を塗布し、前記シリコーン樹脂を硬化させて封止部を形成する封止部形成工程と、
前記封止部上に第２テープを貼り付け、前記第１テープを除去し、前記第１テープと接していた側を露出面とする反転工程と、
前記発光素子の前記電極と前記封止部に接し、前記電極よりも面積の広い領域に、導電性ペーストを塗布し、熱処理によって前記導電性ペーストを硬化させて拡大電極を形成する拡大電極形成工程と、を有し、
前記導電性ペーストの硬化温度と、前記シリコーン樹脂のガラス転移温度との差は５０℃以下であり、
前記拡大電極形成工程における前記熱処理の温度は、前記導電性ペーストの硬化温度＋１０℃以下である、発光装置の製造方法にある。
【発明の効果】
【００１０】
上記態様では、発光素子の電極と封止部に接し、電極よりも面積の広い拡大電極を設け、拡大電極を導電性ペーストの硬化物とし、樹脂のガラス転移温度と導電性ペーストの硬化温度との差を１００℃以下としている。そのため、線膨張係数差による拡大電極のクラックを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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