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公開番号2025098765
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-02
出願番号2023215123
出願日2023-12-20
発明の名称高周波モジュール、及び、通信装置
出願人株式会社村田製作所
代理人弁理士法人北斗特許事務所
主分類H03F 1/26 20060101AFI20250625BHJP(基本電子回路)
要約【課題】ローノイズアンプを含むICチップを備え、信号の干渉を低減させることを可能とする高周波モジュールを提供する。
【解決手段】高周波モジュールは、実装基板と、ICチップと、を備える。ICチップは、複数のスイッチと、複数のローノイズアンプとを備える。実装基板は、第1グランド層23と、第2グランド層と、第1ビア導体群と、第2ビア導体群と、を含む。第1グランド層23は、複数のスリット27を有する。複数のスリット27は、第1スリット271と、第2スリット272と、を含む。第1スリット271は、実装基板2の厚さ方向D1からの平面視で、第1ビア導体V11と、第3ビア導体V21との間に配置されている。第2スリット272は、実装基板2の厚さ方向D1からの平面視で、第2ビア導体V12と、第4ビア導体V22との間に配置されている。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
多層基板であり、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
前記実装基板の前記第１主面に配置されているＩＣチップと、を備え、
前記ＩＣチップは、
複数のスイッチと、
前記複数のスイッチに一対一で接続されている複数のローノイズアンプと、を含み、
前記複数のスイッチは、第１スイッチと、第２スイッチと、を含み、
前記複数のローノイズアンプは、
前記第１スイッチに接続されている第１ローノイズアンプと、
前記第２スイッチに接続されている第２ローノイズアンプと、を含み、
前記実装基板は、
前記第１主面と前記第２主面との間に配置されている第１グランド層と、
前記第１グランド層と前記第２主面との間に配置されている第２グランド層と、
前記複数のスイッチと前記第１グランド層とを接続している第１ビア導体群と、
前記複数のローノイズアンプと前記第１グランド層とを接続している第２ビア導体群と、
前記第１グランド層と前記第２グランド層とを接続している第３ビア導体群と、を含み、
前記第１グランド層は、複数のスリットを有し、
前記第３ビア導体群は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第１ビア導体群及び前記第２ビア導体群の周囲に配置されており、
前記第１ビア導体群は、
前記第１スイッチに接続されている第１ビア導体と、
前記第２スイッチに接続されている第２ビア導体と、を含み、
前記第２ビア導体群は、
前記第１ローノイズアンプに接続されている第３ビア導体と、
前記第２ローノイズアンプに接続されている第４ビア導体と、を含み、
前記複数のスリットは、
前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第１ビア導体と前記第３ビア導体との間に配置されている第１スリットと、
前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第２ビア導体と前記第４ビア導体との間に配置されている第２スリットと、を含み、
前記第１ビア導体、前記第１スリット及び前記第３ビア導体と、前記第２ビア導体、前記第２スリット及び前記第４ビア導体と、は隣接して配置されている、
高周波モジュール。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記第１ビア導体群及び前記第２ビア導体群は、前記第１グランド層と前記第２グランド層とを接続している、
請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記第２グランド層は、複数のスリットを有し、
前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第１グランド層の前記複数のスリットと、前記第２グランド層の前記複数のスリットとは重なる、
請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記第１ビア導体群、前記第２ビア導体群、及び前記第１グランド層の前記複数のスリットは、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記ＩＣチップの端部に配置されている、
請求項１から３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、
前記第１スリットは、前記第１ビア導体と前記第３ビア導体とを結ぶ方向に交差する方向に長尺であり、
前記第１スリットの幅は、前記第１ビア導体と前記第３ビア導体との間の距離以下である、
請求項１から３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第１スリットの長さは、前記第１スリットの前記幅の２倍以上である、
請求項５に記載の高周波モジュール。
【請求項７】
前記ＩＣチップは、前記複数のローノイズアンプに一対一で対応する複数のインダクタを更に含み、
前記複数のインダクタの各々は、前記複数のローノイズアンプのうち対応するローノイズアンプと、前記第２ビア導体群のうち前記対応するローノイズアンプに接続されているビア導体との間に接続されており、
前記実装基板の厚さ方向からの平面視において、前記複数のインダクタのうちの１つのインダクタは、前記第１スリットと重なる、
請求項１から３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項８】
前記第１ビア導体群に含まれる複数のビア導体は、前記第２ビア導体群に含まれる複数のビア導体と一対一で対応し、
前記第１ビア導体群に含まれる前記複数のビア導体の各々と、前記第２ビア導体群のうち対応するビア導体との間に、前記複数のスリットのうち１つのスリットが配置されている、
請求項１から３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【請求項９】
請求項１に記載の高周波モジュールと、
前記高周波モジュールに接続されている信号処理回路と、
を備える通信装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は高周波モジュール及び通信装置に関し、特に、ローノイズアンプを含むＩＣチップを備える高周波モジュール及び高周波モジュールを備える通信装置に関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、送信用電力増幅器（パワーアンプ）を含む半導体素子（ＩＣチップ）を備える高周波モジュールが記載されている。特許文献１に記載の高周波モジュールでは、１つの送信用電力増幅器に電圧を供給する２つの電圧供給線路の間に、干渉防止用接地パターンが配置されている。また、特許文献１に記載の高周波モジュールでは、干渉防止用接地パターンにおいて、２つの電圧供給線路と対向する２つの領域の間にスリットが設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００５－２１７５８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の高周波モジュールにおいて、ＩＣチップがローノイズアンプを含む場合には、電圧供給線路間の干渉だけでなく、受信信号の経路の間においても信号の干渉が生じる場合がある。
【０００５】
本発明は、ローノイズアンプを含むＩＣチップを備える高周波モジュール、及び高周波モジュールを備える通信装置において、信号の干渉を低減させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、ＩＣチップと、を備える。前記実装基板は、多層基板であり、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記ＩＣチップは、前記実装基板の前記第１主面に配置されている。前記ＩＣチップは、複数のスイッチと、複数のローノイズアンプと、を含む。前記複数のローノイズアンプは、前記複数のスイッチに一対一で接続されている。前記複数のスイッチは、第１スイッチと、第２スイッチと、を含む。前記複数のローノイズアンプは、第１ローノイズアンプと、第２ローノイズアンプと、を含む。前記第１ローノイズアンプは、前記第１スイッチに接続されている。前記第２ローノイズアンプは、前記第２スイッチに接続されている。前記実装基板は、第１グランド層と、第２グランド層と、第１ビア導体群と、第２ビア導体群と、第３ビア導体群と、を含む。前記第１グランド層は、前記第１主面と前記第２主面との間に配置されている。前記第２グランド層は、前記第１グランド層と前記第２主面との間に配置されている。前記第１ビア導体群は、前記複数のスイッチと前記第１グランド層とを接続している。前記第２ビア導体群は、前記複数のローノイズアンプと前記第１グランド層とを接続している。前記第３ビア導体群は、前記第１グランド層と前記第２グランド層とを接続している。前記第１グランド層は、複数のスリットを有する。前記第３ビア導体群は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第１ビア導体群及び前記第２ビア導体群の周囲に配置されている。前記第１ビア導体群は、第１ビア導体と、第２ビア導体と、を含む。前記第１ビア導体は、前記第１スイッチに接続されている。前記第２ビア導体は、前記第２スイッチに接続されている。前記第２ビア導体群は、第３ビア導体と、第４ビア導体と、を含む。前記第３ビア導体は、前記第１ローノイズアンプに接続されている。前記第４ビア導体は、前記第２ローノイズアンプに接続されている。前記複数のスリットは、第１スリットと、第２スリットと、を含む。前記第１スリットは、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第１ビア導体と前記第３ビア導体との間に配置されている。前記第２スリットは、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第２ビア導体と前記第４ビア導体との間に配置されている。前記第１ビア導体、前記第１スリット及び前記第３ビア導体と、前記第２ビア導体、前記第２スリット及び前記第４ビア導体と、は隣接して配置されている。
【０００７】
本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、前記高周波モジュールに接続されている信号処理回路と、を備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様に係る高周波モジュール及び通信装置によれば、信号の干渉を低減させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、実施形態１に係る高周波モジュールの要部の断面図である。
図２は、同上の高周波モジュールにおけるＩＣチップの透視平面図である。
図３は、同上の高周波モジュールにおける実装基板の平面図である。
図４は、同上の高周波モジュールにおける第１グランド層の平面図である。
図５は、同上の高周波モジュールにおける第２グランド層の平面図である。
図６は、同上の高周波モジュールにおける第１グランド層の拡大平面図である。
図７は、同上の高周波モジュールを備える通信装置の回路構成図である。
図８は、実施形態２に係る高周波モジュールにおける第１グランド層の平面図である。
図９は、実施形態３に係る高周波モジュールにおける第１グランド層の平面図である。
図１０は、実施形態４に係る高周波モジュールにおける高周波モジュールの要部の断面図である。
図１１は、同上の高周波モジュールにおける第２グランド層の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施形態に係る高周波モジュール及び通信装置について、図面を用いて説明する。以下の実施形態において参照する各図は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
（【００１１】以降は省略されています）

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