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公開番号2025132913
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-10
出願番号2024030805
出願日2024-02-29
発明の名称半導体装置
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人RYUKA国際特許事務所
主分類H10D 84/80 20250101AFI20250903BHJP()
要約【課題】温度センスダイオードに接続されたダイオード配線をノイズから保護するとともに、ダイオード配線の下方の強度を向上させる。
【解決手段】半導体基板を備える半導体装置であって、前記半導体基板は、前記半導体基板の上面の上方に設けられた温度センスダイオードと前記半導体基板の上面の上方に設けられ、前記温度センスダイオードに接続されたダイオード配線と、前記ダイオード配線と前記半導体基板の上面との間の少なくとも一部に設けられた金属層と、前記金属層と前記半導体基板の上面との間に設けられた第1層間絶縁膜と、前記ダイオード配線と前記金属層との間に設けられた第2層間絶縁膜とを有する半導体装置を提供する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
半導体基板を備える半導体装置であって、
前記半導体基板は、
前記半導体基板の上面の上方に設けられた温度センスダイオードと
前記半導体基板の上面の上方に設けられ、前記温度センスダイオードに接続されたダイオード配線と、
前記ダイオード配線と前記半導体基板の上面との間の少なくとも一部に設けられた金属層と、
前記金属層と前記半導体基板の上面との間に設けられた第１層間絶縁膜と、
前記ダイオード配線と前記金属層との間に設けられた第２層間絶縁膜と
を有する半導体装置。
続きを表示（約 760 文字）【請求項２】
前記金属層は、前記温度センスダイオードと前記半導体基板の上面との間の少なくとも一部にも設けられている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記金属層は、アルミニウムよりも硬い金属を含む
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記金属層は、タングステン、チタンまたはタンタルの少なくとも１種類を含む
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体基板の上面の上方に設けられ、前記半導体基板の上面の一部の領域に接触する上面電極を更に備え、
前記上面電極は、前記金属層に接続されている
請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記上面電極は、上面視において、前記ダイオード配線と重ならない
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記金属層は、前記上面電極よりも硬い金属を含む
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記金属層は、前記ダイオード配線および前記温度センスダイオードと重ならない領域で、前記半導体基板の上面に接する
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２層間絶縁膜の側面は、前記上面電極に接している
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記上面電極は、上面視において前記ダイオード配線をはさむ第１部分および第２部分を含み、
前記金属層は、前記第１部分から、前記ダイオード配線の下方を通過して、前記第２部分まで設けられている
請求項６に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、感熱素子下の半導体層の拡散構造に制限されることがなく、感熱素子を半導体基板と電気的に分離して配置できる半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。また、チップ面積の増大を抑えながら、温度検出精度が安定した温度センス部を備える半導体装置が知られている。（例えば、特許文献２参照）。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］特開２００５－２６２７９号公報
［特許文献２］特許第６８７２９３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
温度センスダイオードに接続されたダイオード配線をノイズから保護するとともに、ダイオード配線の下方の強度を向上させる。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するために、本発明の第１の態様においては、半導体基板を備える半導体装置を提供する。上記半導体装置において、前記半導体基板は、前記半導体基板の上面の上方に設けられた温度センスダイオードを有してよい。上記いずれかの半導体装置において、前記半導体基板は、前記半導体基板の上面の上方に設けられ、前記温度センスダイオードに接続されたダイオード配線を有してよい。上記半導体装置において、前記半導体基板は、前記ダイオード配線と前記半導体基板の上面との間の少なくとも一部に設けられた金属層を有してよい。上記半導体装置において、前記半導体基板は、前記金属層と前記半導体基板の上面との間に設けられた第１層間絶縁膜を有してよい。上記半導体装置において、前記半導体基板は、前記ダイオード配線と前記金属層との間に設けられた第２層間絶縁膜を有してよい。
【０００５】
上記いずれかの半導体装置において、前記金属層は、前記温度センスダイオードと前記半導体基板の上面との間の少なくとも一部にも設けられてよい。
【０００６】
上記いずれかの半導体装置において、前記金属層は、アルミニウムよりも硬い金属を含んでよい。
【０００７】
上記いずれかの半導体装置において、前記金属層は、タングステン、チタンまたはタンタルの少なくとも１種類を含んでよい。
【０００８】
上記いずれかの半導体装置は、前記半導体基板の上面の上方に設けられ、前記半導体基板の上面の一部の領域に接触する上面電極を更に備えてよい。上記いずれかの半導体装置において、前記上面電極は、前記金属層に接続されてよい。
【０００９】
上記いずれかの半導体装置において、前記上面電極は、上面視において、前記ダイオード配線と重ならなくてよい。
【００１０】
上記いずれかの半導体装置において、前記金属層は、前記上面電極よりも硬い金属を含んでよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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