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公開番号2025074051
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-13
出願番号2024187770
出願日2024-10-24
発明の名称銀粉及び樹脂硬化型導電性ペースト
出願人DOWAエレクトロニクス株式会社
代理人個人,個人
主分類B22F 1/00 20220101AFI20250502BHJP(鋳造;粉末冶金)
要約【課題】電性ペーストにした場合に、低温で焼成しても低い体積抵抗率を付与可能な銀粉の提供。
【解決手段】本発明は、表面処理剤を含み、BET比表面積に対する酸素量の比が0.11以上であり、結晶子径が30nm以上38nm以下である、銀粉である。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
表面処理剤を含み、
ＢＥＴ比表面積に対する酸素量の比が０．１１以上であり、
結晶子径が３０ｎｍ以上３８ｎｍ以下である、銀粉。
続きを表示（約 360 文字）【請求項２】
ＢＥＴ比表面積に対するＩｇ－ｌｏｓｓの比が０．５１以上である、請求項１に記載の銀粉。
【請求項３】
レーザー回折法による体積基準の累積５０％径Ｄ
５０
が０．１μｍ以上１．０μｍ以下であり、
レーザー回折法による体積基準の累積９０％径Ｄ
９０
が１．２μｍ以下である、請求項１に記載の銀粉。
【請求項４】
ＢＥＴ比表面積が０．９０ｍ
２
／ｇ以上２．５０ｍ
２
／ｇ以下である、請求項１に記載の銀粉。
【請求項５】
樹脂硬化型導電性ペーストに用いる、請求項１～４の何れかに記載の銀粉。
【請求項６】
請求項１～４の何れかに記載の銀粉を含む、樹脂硬化型導電性ペースト。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、銀粉及び樹脂硬化型導電性ペーストに関する。
続きを表示（約 990 文字）【背景技術】
【０００２】
近年では、ヘテロジャンクション（ＨＪＴ）型太陽電池が注目されており、ＨＪＴ型太陽電池等では、一般に、銀粉を用いた樹脂硬化型導電性ペーストを大気雰囲気下において２００℃程度という比較的低温で焼成して硬化させることにより電極や導体パターンを形成している。
【０００３】
例えば、特許文献１では、所定の製造法によって得られる、平均粒子径（Ｄ
ＳＥＭ
）が３０～１００ｎｍであり、タップ密度が３．０ｇ／ｃｍ
３
以上である、銀微粒子が提案されており、該銀微粒子を樹脂硬化型導電性ペースト等に用いることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１３－１５９８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、電極や導体パターン等を形成する際の焼成温度を低温化すると、抵抗値が上昇するという問題が生じ得る。そのため、銀粉を含む導電性ペーストは、焼成温度を低温化した場合であっても、体積抵抗率の上昇を抑制し、１５０℃～２００℃の低温での焼成においても低い体積抵抗率を有することが望ましい。
【０００６】
そこで、本発明は、導電性ペーストにした場合に、低温で焼成しても低い体積抵抗率を付与可能な銀粉を提供することを目的とする。
また、本発明は、低温で焼成しても低い体積抵抗率が得られる樹脂硬化型導電性ペーストを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上述の課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、本発明者は、以下に述べる本発明を完成させた。
【０００８】
即ち、上述の課題を解決するための本発明の要旨構成は以下の通りである。
【０００９】
［１］表面処理剤を含み、
ＢＥＴ比表面積に対する酸素量の比が０．１１以上であり、
結晶子径が３０ｎｍ以上３８ｎｍ以下である、銀粉。
【００１０】
［２］ＢＥＴ比表面積に対するＩｇ－ｌｏｓｓの比が０．５１以上である、［１］に記載の銀粉。
（【００１１】以降は省略されています）

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