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公開番号2025079190
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-21
出願番号2023191718
出願日2023-11-09
発明の名称膜形成方法、物品の製造方法及び膜形成装置
出願人キヤノン株式会社
代理人弁理士法人大塚国際特許事務所
主分類H01L 21/027 20060101AFI20250514BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】型と基板との間の空間に良好な膜厚分布を有する硬化性組成物の膜を形成するのに有利な技術を提供する。
【解決手段】型と基板との間の空間に硬化性組成物の膜を形成する膜形成方法であって、前記基板上に硬化性組成物の複数の液滴を離散的に配置する配置工程と、前記配置工程の後、前記複数の液滴が隣接する液滴と結合して液膜を形成し、且つ、前記液膜に含まれる溶剤が揮発するまで待機する待機工程と、前記待機工程の後、前記液膜と前記型とを接触させる接触工程と、前記接触工程の後、前記液膜を硬化させて硬化膜を形成する硬化工程と、前記硬化工程の後、前記硬化膜から前記型を引き離す離型工程と、を有し、前記待機工程において、前記基板の面に平行な気体の流れを含む気流を形成し、前記気流を前記液膜にふれさせる、ことを特徴とする膜形成方法を提供する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
型と基板との間の空間に硬化性組成物の膜を形成する膜形成方法であって、
前記基板上に硬化性組成物の複数の液滴を離散的に配置する配置工程と、
前記配置工程の後、前記複数の液滴が隣接する液滴と結合して液膜を形成し、且つ、前記液膜に含まれる溶剤が揮発するまで待機する待機工程と、
前記待機工程の後、前記液膜と前記型とを接触させる接触工程と、
前記接触工程の後、前記液膜を硬化させて硬化膜を形成する硬化工程と、
前記硬化工程の後、前記硬化膜から前記型を引き離す離型工程と、
を有し、
前記待機工程において、前記基板の面に平行な気体の流れを含む気流を形成し、前記気流を前記液膜にふれさせる、
ことを特徴とする膜形成方法。
続きを表示（約 940 文字）【請求項２】
前記待機工程において、０．５秒以上１０秒以下の間、前記気流を前記液膜にふれさせる、ことを特徴とする請求項１に記載の膜形成方法。
【請求項３】
前記待機工程において、前記基板を保持するステージを前記基板の面に平行な方向に駆動することによって、前記気流を形成する、ことを特徴とする請求項１に記載の膜形成方法。
【請求項４】
前記待機工程において、前記ステージを前記基板の面内で互いに異なる少なくとも２つの方向に駆動することによって、前記気流を形成する、ことを特徴とする請求項３に記載の膜形成方法。
【請求項５】
前記少なくとも２つの方向は、互いに相反する２つの方向を含む、ことを特徴とする請求項４に記載の膜形成方法。
【請求項６】
前記待機工程において、前記基板を保持するステージを、前記基板の面に平行な第１方向、及び、前記第１方向と相反する第２方向に往復させる駆動を複数回行うことによって、前記気流を形成する、ことを特徴とする請求項１に記載の膜形成方法。
【請求項７】
前記基板は、前記膜を形成すべきショット領域を含み、
前記待機工程は、
前記液膜が前記ショット領域の全域をカバーするまでの第１工程と、
前記第１工程の後、前記全域をカバーした前記液膜に含まれる溶剤が揮発するまで待機する第２工程と、
を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の膜形成方法。
【請求項８】
前記待機工程では、前記溶剤の揮発速度が面内で均一なるように、前記気流を前記液膜にふれさせる、ことを特徴とする請求項１に記載の膜形成方法。
【請求項９】
前記気流は、層流を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の膜形成方法。
【請求項１０】
前記型は、パターンを含み、
前記接触工程では、前記型の前記パターンと前記液膜とを接触させ、
前記硬化工程では、前記型の前記パターンに対応するパターンを有する硬化膜を形成する、
ことを特徴とする請求項１に記載の膜形成方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜形成方法、物品の製造方法及び膜形成装置に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＭＥＭＳなどでは、微細化の要求が高まり、微細加工技術として、インプリント技術（光インプリント技術）が注目されている。インプリント技術では、微細な凹凸パターンが表面に形成された型（モールド）を、基板上に供給（塗布）された硬化性組成物に接触させた状態で、硬化性組成物を硬化させる。これにより、型のパターンを硬化性組成物の硬化膜に転写し、パターンを基板上に形成する。インプリント技術によれば、基板上に数ナノメートルオーダーの微細なパターン（構造体）を形成することができる。
【０００３】
また、半導体デバイスを製造するためのフォトリソグラフィ工程においては、基板を平坦化することも必要とされる。例えば、近年注目されているフォトリソグラフィ技術である極端紫外線露光技術（ＥＵＶ）では、微細化に伴って投影像が結像される焦点深度が浅くなるため、硬化性組成物が供給される基板の表面の凹凸は、数十ｎｍ以下に抑えなければならない。インプリント技術においても、硬化性組成物の充填性や線幅精度の向上のために、ＥＵＶと同程度の平坦性が要求される。平坦化技術として、凹凸を有する基板上に、凹凸に対応する分量の硬化性組成物の液滴を離散的に滴下し、平坦面を有する型を接触させた状態で硬化性組成物を硬化させることで、平坦な表面を得る技術が知られている。
【０００４】
これらの技術において、型と基板との間に硬化性組成物を充填する時間を短縮するために、型と基板上の硬化性組成物とを接触させる前に、硬化性組成物の液滴同士が結合して液膜となるような硬化性組成物を用いる技術が知られている（特許文献１参照）。このような硬化性組成物を用いるプロセスでは、型を硬化性組成物に接触させる前に、硬化性組成物に含まれている溶剤を揮発させる工程が必要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０２２－１８８７３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来のプロセスにおいては、硬化性組成物に含まれている溶剤が揮発する環境によって、基板上に形成される硬化性組成物の液膜に大きな膜厚むらが発生してしまう場合がある。
【０００７】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、型と基板との間の空間に良好な膜厚分布を有する硬化性組成物の膜を形成するのに有利な技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての膜形成方法は、型と基板との間の空間に硬化性組成物の膜を形成する膜形成方法であって、前記基板上に硬化性組成物の複数の液滴を離散的に配置する配置工程と、前記配置工程の後、前記複数の液滴が隣接する液滴と結合して液膜を形成し、且つ、前記液膜に含まれる溶剤が揮発するまで待機する待機工程と、前記待機工程の後、前記液膜と前記型とを接触させる接触工程と、前記接触工程の後、前記液膜を硬化させて硬化膜を形成する硬化工程と、前記硬化工程の後、前記硬化膜から前記型を引き離す離型工程と、を有し、前記待機工程において、前記基板の面に平行な気体の流れを含む気流を形成し、前記気流を前記液膜にふれさせる、ことを特徴とする。
【０００９】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、例えば、型と基板との間の空間に良好な膜厚分布を有する硬化性組成物の膜を形成するのに有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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