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公開番号2025079672
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-22
出願番号2023192496
出願日2023-11-10
発明の名称シャローエッチングプロセスチャンバ
出願人ヴイエムインコーポレイテッド
代理人個人
主分類H01L 21/3065 20060101AFI20250515BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】シャローエッチングプロセスチャンバを提供すること。
【解決手段】シャローエッチングプロセスチャンバは、チャンバ空間11の内部に配されたサセプタ;サセプタの両側に形成されたリフトリング13;及びリフトリング13の昇降のための移動手段;を含み、リフトリング13の昇降によってウェーハ(W)がサセプタの上側で昇降自在である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
チャンバ空間１１の内部に配されたサセプタと、
サセプタの両側に形成されたリフトリング１３と、
リフトリング１３の昇降のための移動手段と、を含み、
リフトリング１３の昇降によってウェーハ（Ｗ）がサセプタの上側で昇降自在である
ことを特徴とするシャローエッチングプロセスチャンバ。
続きを表示（約 840 文字）【請求項２】
チャンバ空間１１の上部に配された内部シャワーヘッド１７ａ及び外部シャワーヘッド１７ｂをさらに含み、内部シャワーヘッド１７ａにシャワーヘッドヒーター１７１が配される
請求項１に記載のシャローエッチングプロセスチャンバ。
【請求項３】
内部シャワーヘッド１７ａ及び外部シャワーヘッド１７ｂの間に配されるバッフル１８をさらに含む
請求項２に記載のシャローエッチングプロセスチャンバ。
【請求項４】
上昇するリフトリング１３は、バッフル１８に接触される
請求項３に記載のシャローエッチングプロセスチャンバ。
【請求項５】
上昇したリフトリング１３によって内部シャワーヘッド１７ａとウェーハ（Ｗ）との間に工程空間が形成される
請求項１に記載のシャローエッチングプロセスチャンバ。
【請求項６】
リフトリング１３の内部に配されるリングヒーター１３１をさらに含む
請求項１に記載のシャローエッチングプロセスチャンバ。
【請求項７】
移動手段は、線形ギア１４ａ、１４ｂ及び線形ギア１４ａ、１４ｂに沿って移動可能なリフト軸１５ａ、１５ｂを含む
請求項１に記載のシャローエッチングプロセスチャンバ。
【請求項８】
内部シャワーヘッド１７ａ及び内部シャワーヘッド１７ａの上側部分を取り囲むように昇降自在な移動ガス壁４２をさらに含む
請求項１に記載のシャローエッチングプロセスチャンバ。
【請求項９】
バッフル１８に流動経路が形成される
請求項１に記載のシャローエッチングプロセスチャンバ。
【請求項１０】
リフトリング１３は、バッフル１８の底面に接するか、バッフル１８の底面の一部に接するか、バッフル１８の底面と内側面とに接する
請求項４に記載のシャローエッチングプロセスチャンバ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、シャローエッチングプロセスチャンバに係り、具体的に、エッチング工程過程でエッチング工程空間の調節が可能なシャローエッチングプロセスチャンバに関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程が微細化され、３Ｄ構造に立体化されながら、一部のエッチング工程で薄い酸化膜質を除去するか、非常に高い縱横比で薄い膜質を除去する技術が要求されている。また、相対的に広いパターンと狭いパターンとのエッチング量の差であるローディングエフェクトを最小化にするために、原子層レベルで徐々にローディングエフェクトなしに繰り返してエッチングする技術が開発されている。このような高縦横比の原子層エッチング技術としてＡＬＥ（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＥｔｃｈｉｎｇ）、ＡＬＲ（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＲｅｍｏｖａｌ）または乾式クリーニング（ＤｒｙＣｌｅａｎｉｎｇ）のような技術が開発過程にある。このようなシャローエッチング（ｓｈａｌｌｏｗｅｔｃｈｉｎｇ）工程の共通点は、８０℃以下の低温で自己制限変形（ＳｅｌｆＬｉｍｉｔｅｄＭｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）反応による吸着段階と、１２０℃以上の高温で変形（Ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）された原子層レベルの薄い膜質を除去する除去段階と、を含む。公知のシャローエッチングのための装備は、吸着段階と除去段階とをいずれも熱工程（ＴｈｅｒｍａｌＰｒｏｃｅｓｓ）に進行し、このような装備は、工程時間が多く必要となって生産性に限界があるという短所を有する。また、プラズマエネルギーで吸着段階を進行し、熱エネルギーで除去段階を進行する装備が開発されて、低温と高温とを段階的に変化させる試みがさまざまな方法で試みられている。ＡＬＥと関連して、特許文献１は、半導体基板をプロセッシングするための方法及び装置について開示する。また、特許文献２は、マイクロ電子ワークピース上にパターン化された構造体の形成を含むマイクロ電子ワークピースの製造方法について開示する。しかし、先行技術は、高効率と生産性とを同時に満足させることができるＡＬＥまたは乾式クリーニング技術について開示しない。
【０００３】
本発明は、先行技術の問題点を解決するためのものであって、下記のような目的を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
大韓民国特許公開番号１０－２０１７－０１２４０８７（ラムリサーチコーポレーション、２０１７．１１．０９．公開）ＡＬＥ及び選択的蒸着を使用して基板のエッチング
大韓民国特許公開番号１０－２０２０－０１１６２７３（東京エレクトロン株式会社、２０２０．１０．０７．公開）タングステンまたは他の金属層の原子層エッチング
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、プラズマエネルギーを使用する低温の吸着段階を高効率と生産性とを同時に満足させながら進行しうるシャローエッチングプロセスチャンバを提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の適切な実施形態によれば、シャローエッチングプロセスチャンバは、チャンバ空間の内部に配されたサセプタ（ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ）；サセプタの両側に形成されたリフトリング；及びリフトリングの昇降のための移動手段；を含み、リフトリングの昇降によってウェーハがサセプタの上側で昇降自在である。
【０００７】
本発明の他の適切な実施形態によれば、チャンバ空間１１の上部に配された内部シャワーヘッド及び外部シャワーヘッドをさらに含み、内部シャワーヘッドにシャワーヘッドヒーターが配される。
【０００８】
本発明の他の適切な実施形態によれば、内部シャワーヘッド及び外部シャワーヘッドの間に配されるバッフルをさらに含む。
【０００９】
本発明のさらに他の適切な実施形態によれば、上昇するリフトリングは、バッフルに接触される。
【００１０】
本発明のさらに他の適切な実施形態によれば、上昇したリフトリングによって内部シャワーヘッドとウェーハとの間に工程空間が形成される。
（【００１１】以降は省略されています）

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