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公開番号2025091515
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-19
出願番号2023206750
出願日2023-12-07
発明の名称樹脂めっき材及びその製造方法
出願人ウシオ電機株式会社
代理人弁理士法人ユニアス国際特許事務所
主分類C23C 18/20 20060101AFI20250612BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】基材の表面に実質的に凹凸を設けることなく、基材とめっき層との接着強度を従来よりも向上した樹脂めっき材を提供する。
【解決手段】樹脂めっき材は、絶縁性の樹脂材料を含む基材と、基材の表面から20nm以上の深さにわたって形成され、nmオーダーの大きさの空隙を含み、触媒を担持してなる微孔層と、基材の上層に形成された無電解めっき層とを備える。無電解めっき層の一部は、基材の表面と基材の表面から20nm以上の深さ位置との間の領域に位置する微孔層内に入り込んでいる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
絶縁性の樹脂材料を含む基材と、
前記基材の表面から２０ｎｍ以上の深さにわたって形成され、ｎｍオーダーの大きさの空隙を含み、触媒を担持してなる微孔層と、
前記基材の上層に形成された無電解めっき層とを備え、
前記無電解めっき層の一部が、前記基材の表面と前記基材の表面から２０ｎｍ以上の深さ位置との間の領域に位置する前記微孔層内に入り込んでいることを特徴とする、樹脂めっき材。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記無電解めっき層の一部が前記微孔層内に入り込む領域の深さ範囲は、１００ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の樹脂めっき材。
【請求項３】
前記微孔層は、前記基材の表面から３０ｎｍ以上の深さにわたって形成されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の樹脂めっき材。
【請求項４】
前記微孔層は、前記基材の表面と、前記基材の表面から１９０ｎｍ以下の深さ位置との範囲内の領域に、形成されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の樹脂めっき材。
【請求項５】
請求項１に記載の樹脂めっき材の製造方法であって、
熱硬化性を示す前記基材を準備する工程（ａ）と、
前記基材を、１００℃より高く、前記基材のガラス転移温度より低い温度で加熱する工程（ｂ）と、
前記工程（ｂ）の後、前記基材の表面に主波長２００ｎｍ以下の紫外線を照射して、前記基材の表面から２０ｎｍ以上の深さ領域にわたって、前記基材にｎｍオーダーの大きさの空隙を形成して、前記基材の一部に前記微孔層を形成する工程（ｃ）と、
前記基材の表面、及び前記基材内の前記微孔層が形成された領域に前記触媒を担持させる工程（ｄ）と、
前記基材の表面から、前記触媒を介して無電解めっき層を形成する工程（ｅ）を有することを特徴とする、樹脂めっき材の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の樹脂めっき材の製造方法であって、
前記基材を準備する工程（ａ）と、
前記基材を、５０℃より高く、前記基材のガラス転移点温度より低い温度で加熱する工程（ｂ）と、
前記工程（ｂ）と共に実行され、前記基材の表面に主波長２００ｎｍ以下の紫外線を照射して、前記基材の表面から２０ｎｍ以上の深さ領域にわたって、前記基材にｎｍオーダーの大きさの空隙を形成して、前記基材の一部に前記微孔層を形成する工程（ｃ）と、
前記基材の表面、及び前記基材内の前記微孔層が形成された領域に前記触媒を担持させる工程（ｄ）と、
前記基材の表面から、前記触媒を介して無電解めっき層を形成する工程（ｅ）を有することを特徴とする、樹脂めっき材の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ａ）は、前記工程（ｂ）よりも低温で前記基材を加熱する工程を含むことを特徴とする、請求項５に記載の、樹脂めっき材の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂めっき材及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
絶縁性の樹脂材料の表面に配線パターンを設けた配線基板が知られている。この配線基板は、従来、基材となる樹脂上にシード層と呼ばれる無電解めっき層を設け、その上層に電解めっき層を設けることで得られる。
【０００３】
安定的な電気特性を得るためには、樹脂と無電界めっき層（シード層）とは強固に密着される必要がある。従来、密着性を高めるために、樹脂の表面を粗化することで凹凸を設け、凹凸が形成された樹脂の表面にシード層を形成する方法が知られている。凹凸の存在に由来するアンカー効果によって、樹脂とシード層は強固に固定される。
【０００４】
ところで、近年開発が進行している５Ｇ通信と呼ばれるシステムにおいては、極めて高い周波数の電気信号が利用される。このような高周波の電流は、表皮効果と呼ばれる現象により導体の中心部は流れにくく、導体の表層部のみを流れる。導体の表面に凹凸が存在していると、信号伝送路が長くなる結果、伝送損失が増大する。従って、特に高周波の信号を扱うことが予定されている配線基板は、導体の表面の凹凸をなるべく少なくすることが要求される。
【０００５】
上記の事情を踏まえ、本発明者らは、以下の特許文献１及び２の技術を提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２０２３－０８０４８０号公報
特開２０２３－０８０４８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、基材の表面に実質的に凹凸を設けることなく、基材とめっき層との接着強度を従来よりも向上した樹脂めっき材を提供することを目的とする。また、本発明は、そのような樹脂めっき材の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る樹脂めっき材は、
絶縁性の樹脂材料を含む基材と、
前記基材の表面から２０ｎｍ以上の深さにわたって形成され、ｎｍオーダーの大きさの空隙を含み、触媒を担持してなる微孔層と、
前記基材の上層に形成された無電解めっき層とを備え、
前記無電解めっき層の一部が、前記基材の表面と前記基材の表面から２０ｎｍ以上の深さ位置との間の領域に位置する前記微孔層内に入り込んでいることを特徴とする。
【０００９】
上記構成によれば、基材の表面領域に形成された微孔層の内部に、２０ｎｍ以上の深さにわたって無電解めっき層の一部が入り込む、これにより、基材と無電解めっき層との間に、ナノレベルのアンカー効果が発現し、両者が強固に固定される。
【００１０】
樹脂めっき材をパッケージ基板として利用し、このパッケージ基板の上面に微細な配線を形成するに際しては、セミアミディティブ法が用いられるのが一般的である。この方法では、配線予定領域に形成されたレジストを除去した後、配線予定領域に配線パターンが形成される。その後、配線予定領域以外に形成されたレジストが除去され、配線予定領域以外に形成された無電解めっき層のエッチングが行われる。このとき、絶縁特性を担保する観点から、触媒残渣の除去も行われる。
（【００１１】以降は省略されています）

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