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公開番号2025070607
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-02
出願番号2023181064
出願日2023-10-20
発明の名称エピタキシャル成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法
出願人株式会社SUMCO
代理人弁理士法人とこしえ特許事務所
主分類H01L 21/205 20060101AFI20250424BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】カセット内の最終プロセス処理を終了してから次のカセットのウェーハの成膜処理を開始するまでの待機時間が変動しても、所望の品質を確保する。
【解決手段】カセット21に収納された複数のウェーハWを1枚ずつ処理する反応炉11と、前記反応炉を制御する制御部19と、前記カセットをセットするロードポート20とを備え、所定の頻度で、次のウェーハの成膜処理を開始する前に、前記反応炉の内部を気相エッチングして生成物を除去するクリーニング処理を実施する。カセットの最終プロセスを終了する前に次のカセットの成膜処理が予約設定されていない場合には、最終プロセスを終了してから次のウェーハの成膜処理を開始する前に、前記反応炉を所定温度に維持するための温度維持処理レシピにより反応炉を制御する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
カセットに収納された複数のウェーハを１枚ずつ処理する反応炉と、
前記反応炉を含むエピタキシャル成長装置で成膜するための処理条件を制御する制御手段と、
前記カセットをセットするロードポートと、を含み、
前記反応炉で前記ウェーハの主面にエピタキシャル膜を成膜し、
所定の頻度で、次の成膜処理を開始する前に、前記反応炉の内部を気相エッチングして生成物を除去するために前記反応炉をクリーニング処理し、
前記ロードポートにセットされるカセットを、決められた順番で処理するエピタキシャル成長装置において、
前記カセットの最終プロセスが終了した際に次のカセットの成膜処理が予約設定されているか否かを判定し、
次のカセットの成膜処理が予約設定されていないと判定したときは、前記最終プロセスを終了してから次の成膜処理を開始する前に、前記反応炉を所定温度に維持するための温度維持処理レシピにより前記反応炉を制御するエピタキシャル成長装置。
続きを表示（約 840 文字）【請求項２】
前記カセットを次のカセットに交換する場合に、前記カセットの最終プロセスが終了した際に次のカセットの成膜処理が予約設定されているか否かを判定し、
次のカセットの成膜処理の予約設定がされていないと判定したときは、前記最終プロセスを終了してから次のカセットの成膜処理を開始する前に、前記温度維持処理レシピにより前記反応炉を制御する請求項１に記載のエピタキシャル成長装置。
【請求項３】
前記温度維持処理レシピは、前記クリーニング処理を含んだレシピである請求項１又は２に記載のエピタキシャル成長装置。
【請求項４】
カセットに収納された複数のウェーハを反応炉にて１枚ずつ処理し、前記ウェーハの主面にエピタキシャル膜を成膜する成膜工程と、
所定の頻度で、次の成膜処理を開始する前に、前記反応炉の内部を気相エッチングして生成物を除去するクリーニング処理工程と、を含み、
ロードポートにセットされるカセットを、決められた順番に従い処理するエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記カセットの最終プロセスが終了した際に次のカセットの成膜処理が予約設定されているか否かを判定し、
次のカセットの成膜処理が予約設定されていないと判定したときは、前記最終プロセスを終了してから次の成膜処理を開始する前に、前記反応炉を所定温度に維持するように温度を制御するための温度維持処理を実施するエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記カセットを次のカセットに交換する場合に、前記カセットの最終プロセスが終了した際に次のカセットの成膜処理が予約設定されているか否かを判定し、
次のカセットの成膜処理が予約設定されていないと判定したときは、前記最終プロセスを終了してから次のカセットの成膜処理を開始する前に、前記温度維持処理を実施する請求項４に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャル成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法に関するものである。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
エピタキシャルシリコンウェーハは、シリコンウェーハをＣＶＤ装置の反応炉に搬入し、トリクロロシラン等のシリコン原料ガスを導入し、シリコンウェーハの主面に単結晶シリコン膜を気相成長させることにより製造される。このとき、シリコンウェーハの表面のみならず反応炉の内部にもシリコンが付着し、成膜処理を繰り返すことでシリコン生成物が徐々に堆積することから、生成物を除去するためのクリーニング処理が定期的に行われる（特許文献１参照）。この従来技術は、カセットに収納されたウェーハの枚数とマルチデポ回数とに応じ、クリーニング処理のエッチング時間を補正し、カセットの最終ウェーハの後に行われるクリーニング処理を適正化するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－１０３７５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来技術では、カセットの最終ウェーハの後に行われるクリーニング処理は適正化できるものの、成膜処理が終了したカセットと次に成膜処理するカセットとの間の処理については考慮されていない。このため、次のカセットの成膜処理の予約設定が出来ていないと装置の待機時間は長くなる。待機時間が長くなることにより炉体温度などの諸条件が変動するので、所定のレシピでエピタキシャル成長処理を行うと、所望の品質を有するエピタキシャルウェーハが得られないという問題がある。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、カセットの最終プロセスを終了してから次の成膜処理を開始するまでの待機時間が変動しても、所望の品質を有するエピタキシャルウェーハを製造できるエピタキシャル成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、カセットに収納された複数のウェーハを１枚ずつ処理する反応炉と、
前記反応炉を含むエピタキシャル成長装置で成膜するための処理条件を制御する制御手段と、
前記カセットをセットするロードポートと、を含み、
前記反応炉で前記ウェーハの主面にエピタキシャル膜を成膜し、
所定の頻度で、次の成膜処理を開始する前に、前記反応炉の内部を気相エッチングして生成物を除去するために前記反応炉をクリーニング処理し、
前記ロードポートにセットされるカセットを、決められた順番で処理するエピタキシャル成長装置において、
前記カセットの最終プロセスが終了した際に次のカセットの成膜処理が予約設定されているか否かを判定し、
次のカセットの成膜処理が予約設定されていないと判定したときは、前記最終プロセスを終了してから次のカセットの成膜処理を開始する前に、前記反応炉を所定温度に維持するための温度維持処理レシピにより前記反応炉を制御するエピタキシャル成長装置によって上記課題を解決する。
【０００７】
上記発明において、前記カセットを次のカセットに交換する場合に、前記カセットの最終プロセスが終了した際に次のカセットの成膜処理が予約設定されているか否かを判定し、
次のカセットの成膜処理の予約設定がされていないと判定したときは、前記最終プロセスを終了してから次のカセットの成膜処理を開始する前に、前記温度維持処理レシピにより前記反応炉を制御することがより好ましい。
【０００８】
上記発明において、前記温度維持処理レシピは、前記クリーニング処理を含んだレシピでもよい。
【０００９】
また本発明は、カセットに収納された複数のウェーハを反応炉にて１枚ずつ処理し、前記ウェーハの主面にエピタキシャル膜を成膜する成膜工程と、
所定の頻度で、次の成膜処理を開始する前に、前記反応炉の内部を気相エッチングして生成物を除去するクリーニング処理工程と、を含み、
ロードポートにセットされるカセットを、決められた順番に従い処理するエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記カセットの最終プロセスが終了した際に次のカセットの成膜処理が予約設定されているか否かを判定し、
次のカセットの成膜処理が予約設定されていないと判定したときは、前記最終プロセスを終了してから次のカセットの成膜処理を開始する前に、前記反応炉を所定温度に維持するように温度を制御するための温度維持処理を実施するエピタキシャルウェーハの製造方法によって上記課題を解決する。
【００１０】
上記発明において、前記カセットを次のカセットに交換する場合に、前記カセットの最終プロセスが終了した際に次のカセットの成膜処理が予約設定されているか否かを判定し、
次のカセットの成膜処理が予約設定されていないと判定したときは、前記最終プロセスを終了してから次のカセットの成膜処理を開始する前に、前記温度維持処理を実施することがより好ましい。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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