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公開番号2025072542
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-09
出願番号2025018436,2023545308
出願日2025-02-06,2022-01-12
発明の名称基板処理装置用ガス供給装置
出願人ジュスンエンジニアリングカンパニーリミテッド
代理人弁理士法人はるか国際特許事務所
主分類C23C 16/52 20060101AFI20250430BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】ガス供給機構に故障が発生したり異常動作が発生したりすることを確認できる基板処理装置用ガス供給装置を提供する。
【解決手段】第1ガス噴射部にガスを供給する第1ガス供給部、第2ガス噴射部にガスを供給する第2ガス供給部、制御部、及び貯蔵部を含み、前記第1ガス供給部が、第1供給ライン、複数の第1ガス供給機構、及び前記第1供給ラインの第1圧力を測定する第1測定機構を含み、前記第2ガス供給部は、第2供給ライン、複数の第2ガス供給機構、及び前記第2供給ラインの第2圧力を測定する第2測定機構を含み、前記第1測定機構は、前記第1圧力が第1基準値から外れているか否かを確認し、前記第2測定機構は、前記第2圧力が第2基準値から外れているか否かを確認し、前記貯蔵部は、圧力データを蓄積し、前記制御部は、前記第1基準値と前記第2基準値を変更することを特徴とする、基板処理装置用ガス供給装置。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
第１ガス噴射部にガスを供給するための第１ガス供給部、
第２ガス噴射部にガスを供給するための第２ガス供給部、
制御部、及び
貯蔵部を含み、
前記第１ガス供給部が、前記第１ガス噴射部に連結した第１供給ライン、前記第１供給ラインに連結した複数の第１ガス供給機構、及び前記第１供給ラインの第１圧力を測定する第１測定機構を含み、
前記第２ガス供給部は、前記第２ガス噴射部に連結した第２供給ライン、前記第２供給ラインに連結した複数の第２ガス供給機構、及び前記第２供給ラインの第２圧力を測定する第２測定機構を含み、
前記第１測定機構は、前記第１圧力が前記制御部により設定された第１基準値から外れているか否かを確認し、
前記第２測定機構は、前記第２圧力が前記制御部により設定された第２基準値から外れているか否かを確認し、
前記貯蔵部は、前記第１測定機構及び前記第２測定機構のそれぞれが測定した圧力データを蓄積し、
前記制御部は、前記貯蔵部に蓄積された圧力データを用いて前記第１基準値と前記第２基準値を変更することを特徴とする、基板処理装置用ガス供給装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記第１ガス供給部が、前記第１供給ラインにパージガスを供給する第１パージ機構を含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置用ガス供給装置。
【請求項３】
前記第１パージ機構が、前記第１供給ラインに連続的にパージガスを供給することを特徴とする、請求項２に記載の基板処理装置用ガス供給装置。
【請求項４】
前記第１測定機構が、前記第１パージ機構と前記第１ガス供給機構の間で前記第１供給ラインに連結したことを特徴とする、請求項２に記載の基板処理装置用ガス供給装置。
【請求項５】
前記第１測定機構が、前記第１供給ラインにプロセスガスが供給される場合に、前記第１圧力が前記第１基準値から外れているか否かを確認することを特徴とする、請求項２に記載の基板処理装置用ガス供給装置。
【請求項６】
前記第１測定機構が、前記第１圧力のうち、第１ガス圧力が前記第１基準値から外れているか否かを確認することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置用ガス供給装置。
【請求項７】
前記第１測定機構が、前記第１ガス供給機構ごとに異なる前記第１基準値と前記第１圧力を比較することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置用ガス供給装置。
【請求項８】
前記第１測定機構が、前記第１圧力が前記第１基準値から外れたことを確認すると、前記第１ガス供給機構は、ガスの供給を中断することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置用ガス供給装置。
【請求項９】
前記第１ガス供給部が、前記第１ガス供給機構のうち、前記第１圧力が前記第１基準値から外れたガスを噴射した前記第１ガス供給機構を検出する第１検出機構を含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置用ガス供給装置。
【請求項１０】
前記第１ガス供給機構のうちのいずれか１つの第１ガス供給機構と前記第２ガス供給機構のうちのいずれか１つの第２ガス供給機構が、第１連結機構を介して互いに連結していて、
前記第１測定機構が、前記第１連結機構に連結した前記第１ガス供給機構が噴射したガスによって前記第１圧力が前記第１基準値から外れたことを確認すると、前記第１連結機構は、ガスの供給量を調整することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置用ガス供給装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に対する蒸着工程、エッチング工程などの処理工程を行う基板処理装置に関するものである。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
一般に、太陽電池（ＳｏｌａｒＣｅｌｌ）、半導体素子、フラットパネルディスプレイなどを製造するためには、基板上に所定の薄膜層、薄膜回路パターン、または光学パターンを形成しなければならない。このため、基板に特定物質の薄膜を蒸着する蒸着工程、感光性物質を用いて薄膜を選択的に露出させるフォト工程、選択的に露出した部分の薄膜を除去してパターンを形成するエッチング工程などの基板に対する処理工程が行われる。
【０００３】
このような基板に対する処理工程は、基板処理装置により行われる。前記基板処理装置は、ガス供給装置から供給されたガスを用いて前記基板に対する処理工程を行う。
【０００４】
図１は、従来技術によるガス供給装置の概略構成図である。
【０００５】
図１を参照すると、従来技術によるガス供給装置１００は、基板処理装置２００に連結した第１供給ライン１１０、前記第１供給ライン１１０に連結した第１ガス供給機構１２０、前記基板処理装置２００に連結した第２供給ライン１３０、および前記第２供給ライン１３０に連結した第２ガス供給機構１４０を含む。
【０００６】
前記第２ガス供給機構１４０と前記第１ガス供給機構１２０は、互いに連結している。これにより、前記第２ガス供給機構１４０と前記第１ガス供給機構１２０は、前記基板処理装置２００に対して並列構造で連結する。
【０００７】
この場合、前記第２ガス供給機構１４０と前記第１ガス供給機構１２０のいずれか１つに故障が発生したり異常動作が発生しても、前記第２ガス供給機構１４０と前記第１ガス供給機構１２０のうち、正常に動作する残りの１つを介して前記基板処理装置２００へのガスの供給が継続して行われる。
【０００８】
したがって、従来技術に係るガス供給装置１００は、前記第２ガス供給機構１４０と前記第１ガス供給機構１２０の中のいずれか１つで故障が発生したか異常動作が発生したことを前記処理工程を行う途中では確認することが難しく、前記処理工程が完了した後に基板の品質検査を通じて確認することになるため、被害損失が増加するという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上述したような問題点を解決するために案出されたものであり、ガス供給機構に故障が発生したり異常動作が発生したりすることを確認できる基板処理装置用ガス供給装置を提供するためのものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述したような課題を解決するために、本発明は以下のような構成を含むことができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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