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公開番号2025078427
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-20
出願番号2023190984
出願日2023-11-08
発明の名称Zr系膜の成膜方法
出願人株式会社トリケミカル研究所
代理人弁理士法人来知国際特許事務所,個人,個人
主分類C23C 16/50 20060101AFI20250513BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】三次元化(立体化)した個所の表面に、均一な厚さで、Zr濃度が高いZr系膜を成膜できる技術を提供する。
【解決手段】Zr系膜を成膜する方法であって、成膜室内にZr(NR₁R₂)₄[R₁とR₂とは同じても異なっていても良い。R₁,R₂はH又は炭素数が1～10の炭化水素基である。R₁,R₂の少なくとも一つは炭化水素基である。]と活性水素とが供給されて基板上にZr系膜が成膜されるZr系膜の成膜方法。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
Ｚｒ系膜を成膜する方法であって、
成膜室内にＺｒ源と活性水素とが供給されて基板上にＺｒ系膜が成膜される
Ｚｒ系膜の成膜方法。
続きを表示（約 740 文字）【請求項２】
前記Ｚｒ源と前記活性水素との反応により、前記基板上にＺｒ系膜が成膜される
請求項１のＺｒ系膜の成膜方法。
【請求項３】
成膜された前記Ｚｒ系膜におけるＣ濃度は元素比率で１％未満、Ｎ濃度は元素比率で１％未満、Ｏ濃度は元素比率で２０％以下である
請求項１または請求項２のＺｒ系膜の成膜方法。
【請求項４】
前記活性水素はプラズマ照射によって得られてなる
請求項１または請求項２のＺｒ系膜の成膜方法。
【請求項５】
前記活性水素は水素に活性化エネルギーが印加されて得られてなる
請求項１または請求項２のＺｒ系膜の成膜方法。
【請求項６】
前記活性化エネルギーが放射線である
請求項５のＺｒ系膜の成膜方法。
【請求項７】
前記成膜方法は原子層堆積法である
請求項１または請求項２のＺｒ系膜の成膜方法。
【請求項８】
前記成膜方法は化学気相成長法である
請求項１または請求項２のＺｒ系膜の成膜方法。
【請求項９】
前記Ｚｒ源がアミノジルコニウムである
請求項１または請求項２のＺｒ系膜の成膜方法。
【請求項１０】
前記アミノジルコニウムがＺｒ（ＮＲ
１
Ｒ
２
）
４
［Ｒ
１
とＲ
２
とは同じても異なっていても良い。Ｒ
１
，Ｒ
２
はＨ又は炭素数が１～１０の炭化水素基である。］である
請求項８のＺｒ系膜の成膜方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明はＺｒ系膜に関する技術である。
続きを表示（約 920 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体分野、触媒分野、その他の様々な分野において、Ｚｒが用いられている。Ｚｒ系膜の使用分野は広がって行くであろう。
【０００３】
Ｚｒ系膜は、スパッタ法あるいは蒸着法などの物理的蒸着法（ＰＶＤ）が採用されて、成膜されて来た。ＲＳＣＡｄｖ., ２０２２，１２，１４２３５－１４２４５（非特許文献１）は、スパッタ法によるＺｒ膜の成膜技術を提案している。前記Ｚｒ膜は抵抗変化メモリに用いられている。
【０００４】
前記スパッタ法などの物理的蒸着法（ＰＶＤ）では、半導体分野における高度に微細化あるいは三次元化（立体化）した個所の表面に、均一な厚さのＺｒ膜を成膜できて無い。
【０００５】
触媒などにあっても、凹凸あるいは細孔を有する担体の表面に、均一な厚さのＺｒ膜を成膜できて無い。粉体表面に均一な厚さのＺｒ膜を成膜できて無い。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
RSCAdv., 2022,12,14235-14245
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前記ＰＶＤ法によるＺｒ膜の成膜には問題が有る事から、化学気相成長法（ＣＶＤ）や原子層堆積法（ＡＬＤ）の利用が考えられるであろうか。
【０００８】
しかし、是まで、ＣＶＤ法やＡＬＤ法によるＺｒ膜の成膜技術は聴く事が無かった。
【０００９】
従って、本発明が解決しようとする課題は、ＣＶＤ法またはＡＬＤ法によるＺｒ濃度が高いＺｒ系膜の成膜技術を提供する事である。特に、三次元化（立体化）した個所の表面に、均一な厚さで、Ｚｒ濃度が高いＺｒ系膜を成膜できる技術を提供する事である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、
Ｚｒ系膜を成膜する方法であって、
成膜室内にＺｒ源と活性水素とが供給されて基板上にＺｒ系膜が成膜される
Ｚｒ系膜の成膜方法を提案する。
（【００１１】以降は省略されています）

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