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公開番号2025079044
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-21
出願番号2023191451
出願日2023-11-09
発明の名称解析装置、解析方法、およびプログラム
出願人三星電子株式会社,Samsung Electronics Co.,Ltd.
代理人IBC一番町弁理士法人,個人
主分類G01N 23/20 20180101AFI20250514BHJP(測定;試験)
要約【課題】X線の散乱強度分布を解析する時間を低減する解析装置、解析方法、およびプログラムを提供する。
【解決手段】実施形態に係る解析装置100は、対象構造を表現するメッシュデータから、同じ電子密度に対応付けられた複数のメッシュで構成されたプリミティブな構造のパラメータを抽出する抽出部110であって、前記プリミティブな構造に当てられたX線の散乱強度分布の解析解は前記パラメータに基づき算出可能である、抽出部110と、パラメータに基づいて、対象構造に当てられたX線の散乱強度分布を算出する算出部120とを備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
対象構造を表現するメッシュデータから、同じ電子密度に対応付けられた複数のメッシュで構成されたプリミティブな構造のパラメータを抽出する抽出部であって、前記プリミティブな構造に当てられたＸ線の散乱強度分布の解析解は前記パラメータに基づき算出可能である、前記抽出部と、
前記パラメータに基づいて、前記対象構造に当てられたＸ線の散乱強度分布を算出する算出部と
を備える解析装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記対象構造は、電子密度パターンが互いに一致する第１の部分構造および第２の部分構造を含み、
前記抽出部は、前記第１の部分構造に含まれる前記プリミティブな構造の前記パラメータを記憶装置に書き込み、
前記算出部は、前記第２の部分構造に含まれる前記プリミティブな構造の前記パラメータとして、前記記憶装置から読み出された前記パラメータを使用する
をさらに備える請求項１に記載の解析装置。
【請求項３】
前記対象構造は、複数のプリミティブな構造を含み、
前記算出部は、前記複数のプリミティブな構造の各々についての前記解析解を算出する処理を複数のプロセッサコアのいずれに割り当てて、前記複数のプロセッサコアで並列処理を実行する
請求項１または２に記載の解析装置。
【請求項４】
前記算出部は、基準電子密度に基づいて前記散乱強度分布を算出し、
前記基準電子密度は、他の電子密度と比べて多くのプリミティブな構造に対応付けられる、または前記基準電子密度は、他の電子密度と比べて多くのメッシュに対応付けられる
請求項１または２のいずれかに記載の解析装置。
【請求項５】
前記基準電子密度に対応付けられるプリミティブな構造の数は、他のどの電子密度に対応付けられるプリミティブな構造の数よりも多い、または、前記基準電子密度に対応付けられるメッシュの数は、他のどの電子密度に対応付けられるメッシュの数よりも多い
請求項４に記載の解析装置。
【請求項６】
対象構造を表現するメッシュデータから、同じ電子密度に対応付けられた複数のメッシュで構成されたプリミティブな構造のパラメータを抽出するステップ－ａであって、前記プリミティブな構造に当てられたＸ線の散乱強度分布は前記パラメータに基づき算出可能である、前記ステップ－ａと、
前記パラメータに基づいて、前記対象構造に当てられたＸ線の散乱強度分布を算出するステップ－ｂと
を含む解析方法。
【請求項７】
コンピュータに、
対象構造を表現するメッシュデータから、同じ電子密度に対応付けられた複数のメッシュで構成されたプリミティブな構造のパラメータを抽出する処理－ａであって、前記プリミティブな構造に当てられたＸ線の散乱強度分布の解析解は前記パラメータに基づき算出可能である、前記処理－ａと、
前記パラメータに基づいて、前記対象構造に当てられたＸ線の散乱強度分布を算出する処理－ｂと
を実行させるプログラム。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、解析装置、解析方法、およびプログラムに関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、透過型小角Ｘ線散乱技術を用いた計測技術を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２３－１２９１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
Ｘ線の散乱強度分布を解析する時間を低減する技術が望まれている。
【０００５】
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、Ｘ線の散乱強度分布の解析に要する時間を低減する解析装置、解析方法、およびプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施形態の解析装置は、
対象構造を表現するメッシュデータから、同じ電子密度に対応付けられた複数のメッシュで構成されたプリミティブな構造のパラメータを抽出する抽出部であって、前記プリミティブな構造に当てられたＸ線の散乱強度分布の解析解は前記パラメータに基づき算出可能である、前記抽出部と、
前記パラメータに基づいて、前記対象構造に当てられたＸ線の散乱強度分布を算出する算出部と
を備える。
【０００７】
一実施形態の解析方法は、
対象構造を表現するメッシュデータから、同じ電子密度に対応付けられた複数のメッシュで構成されたプリミティブな構造のパラメータを抽出するステップ－ａであって、前記プリミティブな構造に当てられたＸ線の散乱強度分布の解析解は前記パラメータに基づき算出可能である、前記ステップ－ａと、
前記パラメータに基づいて、前記対象構造に当てられたＸ線の散乱強度分布を算出するステップ－ｂと
を含む。
【０００８】
一実施形態のプログラムは、
コンピュータに、
対象構造を表現するメッシュデータから、同じ電子密度に対応付けられた複数のメッシュで構成されたプリミティブな構造のパラメータを抽出する処理－ａであって、前記プリミティブな構造に当てられたＸ線の散乱強度分布の解析解は前記パラメータに基づき算出可能である、前記処理－ａと、
前記パラメータに基づいて、前記対象構造に当てられたＸ線の散乱強度分布を算出する処理－ｂと
を実行させる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、Ｘ線の散乱強度分布の解析に要する時間を低減する解析装置、解析方法、およびプログラムを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
対象構造にＸ線を当てた際の散乱ベクトルを説明するための図である。
実施形態１にかかる解析装置の構成を示すブロック図である。
対象構造の一例を説明するための図である。
複数のメッシュが融合された後の状態を説明するための図である。
対象構造の一例を示す斜視図である。
実施形態１にかかる解析方法の検証結果を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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