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公開番号2025094273
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-24
出願番号2025058434,2023193533
出願日2025-03-31,2015-11-19
発明の名称半導体装置用基板、半導体装置
出願人マクセル株式会社
代理人
主分類H01L 23/12 20060101AFI20250617BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体素子の電極(実装基板の電極)が多数設けられているときに有効な半導体装置用基板、当該半導体装置用基板を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】母型基板10上に少なくとも電極部11bとなる金属部11が複数形成されている半導体装置用基板である。金属部11は、一端が外周部分に配設され、他端が中心部分に集中するように配設されている。金属部11上の他端側に半導体素子の搭載領域を有する。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
母型基板（１０）上に少なくとも電極部（１１ｂ）となる金属部（１１）が複数形成されている半導体装置用基板であって、
前記金属部（１１）は、一端が外周部分に配設され、他端が中心部分に集中するように配設され、
前記金属部（１１）上の他端側に半導体素子の搭載領域を有することを特徴とする半導体装置用基板。
続きを表示（約 730 文字）【請求項２】
前記金属部（１１）の他端側には、前記半導体素子と電気的に接続される接続領域を有し、
前記接続領域は、前記半導体素子とフリップチップ方式で電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用基板。
【請求項３】
前記金属部（１１）の上端部には、張出部（１１ｃ）が形成されており、
前記金属部（１１）の厚み方向において、前記張出部（１１ｃ）の形成領域と前記半導体素子の搭載領域とが重なるように構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置用基板。
【請求項４】
半導体素子（１４）と、前記半導体素子（１４）と電気的に接続される電極部（１１ｂ）となる複数の金属部（１１）とが封止材（１９）によって封止された半導体装置であって、
前記金属部（１１）は、一端が外周部分に配設され、他端が中心部分に集中するように配設され、
前記金属部（１１）上の他端側に前記半導体素子（１４）が搭載されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記金属部（１１）の他端側には、前記半導体素子（１４）と電気的に接続される接続領域を有し、
前記接続領域は、前記半導体素子（１４）とフリップチップ方式で電気的に接続されることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記金属部（１１）の上端部には、張出部（１１ｃ）が形成されており、
前記金属部（１１）の厚み方向において、前記張出部（１１ｃ）の形成領域と前記半導体素子（１４）の搭載領域とが重なるように構成されていることを特徴とする請求項４または５に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、母型基板上に金属部が形成された半導体装置用基板と、この半導体装置用基板を用いた半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体素子支持用の基板上に半導体素子を搭載し、半導体素子と外部導出用の金属端子とを配線接続した上で、樹脂等の保護材で半導体素子を含む基板全体を被覆した旧来の構造の半導体装置は、その構造上、小型化には限界があった。これに対し、半導体素子搭載部分や電極部分となる金属部を形成し、この金属部上に半導体素子を搭載し配線等の処理後、半導体素子や配線等のある金属部の表面側を樹脂等の封止材で封止し、金属部が底部に一部露出した構成とされる半導体装置は、その高さを低くして省スペース化が図れ、チップサイズなど超小型の半導体装置の分野で利用が進んでいる。
【０００３】
こうした半導体装置は、主に、導電性を有する母型基板上に半導体素子搭載部分や電極部分となる金属部を、メッキ（電鋳）により、半導体装置の所望個数分まとめて形成し、半導体素子が搭載され配線等の処理を経た金属部の表面側を封止材で封止した後、母型基板のみを除去し、一体にまとまった状態の多数の半導体装置を個別に切り分ける、といった製造過程を経て製造される。このような半導体装置の製造方法の一例として、特開２００２－９１９６号公報に開示されるものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００２－９１９６号公報
特開２００４－２１４２６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、電子機器の小型化を実現するために、実装基板の電極部分や配線部分が密集して形成されつつある。
【０００６】
本発明の目的は、半導体素子の電極（実装基板の電極）が多数設けられているときに有効な半導体装置用基板および半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体装置用基板は、母型基板１０上に少なくとも電極部１１ｂとなる金属部１１が複数形成されており、金属部１１は、一端が外周部分に配設され、他端が中心部分に集中するように配設され、金属部１１上の他端側に半導体素子の搭載領域を有することを特徴とする。
【０００８】
また、金属部１１の他端側には、半導体素子と電気的に接続される接続領域を有し、接続領域は、半導体素子とフリップチップ方式で電気的に接続されることを特徴とする。
【０００９】
また、金属部１１の上端部には、張出部１１ｃが形成されており、金属部１１の厚み方向において、張出部１１ｃの形成領域と半導体素子の搭載領域とが重なるように構成されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る半導体装置は、半導体素子１４と、半導体素子１４と電気的に接続される電極部１１ｂとなる複数の金属部１１とが封止材１９によって封止され、金属部１１は、一端が外周部分に配設され、他端が中心部分に集中するように配設され、金属部１１上の他端側に半導体素子１４が搭載されることを特徴とする。
（【００１１】以降は省略されています）

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