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公開番号2025102576
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-08
出願番号2023220110
出願日2023-12-26
発明の名称化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、及びパターン化されたレジスト膜の製造方法
出願人東京応化工業株式会社
代理人個人,個人
主分類G03F 7/004 20060101AFI20250701BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】側壁におけるラフネスが抑制されたパターン化されたレジスト膜を与える化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物と、感光性ドライフィルムと、パターン化されたレジスト膜の製造方法と、鋳型付き基板の製造方法と、めっき造形物の製造方法と、プラズマエッチング用のマスク付き基板の製造方法と、基板のエッチング加工方法とを提供すること。
【解決手段】活性光線又は放射線の照射により酸を発生する光酸発生剤(A)と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)と、有機溶剤(S)とを含む化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物において、大気圧下での沸点が210℃以上であるか、大気圧下において沸点を有さない有機溶剤(S1)と、大気圧下での沸点が210℃未満である有機溶剤(S2)とを含む有機溶剤(S)を用いる。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤（Ａ）と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂（Ｂ）と、有機溶剤（Ｓ）とを含み、
前記有機溶剤（Ｓ）が、大気圧下での沸点が２１０℃以上であるか、大気圧下において沸点を有さない有機溶剤（Ｓ１）と、大気圧下での沸点が２１０℃未満である有機溶剤（Ｓ２）とを含む、化学増幅型ポジ型感光性組成物。
続きを表示（約 930 文字）【請求項２】
前記有機溶剤（Ｓ１）の含有量が、前記樹脂（Ｂ）１００質量部に対して、０．１質量部以上２０質量部以下である、請求項１に記載の化学増幅型ポジ型感光性組成物。
【請求項３】
前記有機溶剤（Ｓ１）の大気圧下での沸点が、２４０℃以上３００℃以下である、請求項１に記載の化学増幅型ポジ型感光性組成物。
【請求項４】
前記有機溶剤（Ｓ２）の大気圧下での沸点が、８０℃以上１８０℃以下である、請求項１に記載の化学増幅型ポジ型感光性組成物。
【請求項５】
前記樹脂（Ｂ）が、少なくとも一部のフェノール性水酸基が酸解離性溶解抑制基で保護されているノボラック樹脂（Ｂ１）、又は少なくとも一部のフェノール性水酸基が酸解離性溶解抑制基で保護されているポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｂ２）である、請求項１に記載の化学増幅がポジ型感光性組成物。
【請求項６】
前記樹脂（Ｂ）が、少なくとも一部のフェノール性水酸基が酸解離性溶解抑制基で保護されているポリヒドロキシスチレン樹脂（Ｂ２）である、請求項５に記載の化学増幅型ポジ型感光性組成物。
【請求項７】
前記酸解離性溶解抑制基が、アセタール型保護基である、請求項５に記載の化学増幅型ポジ型感光性組成物。
【請求項８】
めっき造形物を形成するための鋳型の形成、又はプラズマエッチング用のマスクの形成に用いられる、請求項１に記載の化学増幅型ポジ型感光性組成物。
【請求項９】
基材フィルムと、前記基材フィルムの表面に形成された感光性層とを有し、前記感光性層が請求項１～８のいずれか１項に記載の化学増幅型ポジ型感光性組成物からなる感光性ドライフィルム。
【請求項１０】
基板上に、請求項１～８のいずれか１項に記載の化学増幅型ポジ型感光性組成物からなる感光性層を積層する積層工程と、
前記感光性層に、位置選択的に活性光線又は放射線を照射する露光工程と、
露光後の前記感光性層を現像する現像工程と、を含む、パターン化されたレジスト膜の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物と、当該化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性層を備える感光性ドライフィルムと、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いるパターン化されたレジスト膜の製造方法と、鋳型付き基板の製造方法と、めっき造形物の製造方法と、プラズマエッチング用のマスク付き基板の製造方法と、基板のエッチング加工方法とに関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
現在、ホトファブリケーションが精密微細加工技術の主流となっている。ホトファブリケーションとは、ホトレジスト組成物を被加工物表面に塗布してホトレジスト層を形成し、ホトリソグラフィー技術によってホトレジスト層をパターニングし、パターニングされたホトレジスト層（ホトレジストパターン）をマスクとして化学エッチング、電解エッチング、又は電気めっきを主体とするエレクトロフォーミング等を行って、半導体パッケージ等の各種精密部品を製造する技術の総称である。
【０００３】
また、近年、電子機器のダウンサイジングに伴い、半導体パッケージの高密度実装技術が進み、パッケージの多ピン薄膜実装化、パッケージサイズの小型化、フリップチップ方式による２次元実装技術、３次元実装技術に基づいた実装密度の向上が図られている。このような高密度実装技術においては、接続端子として、例えば、パッケージ上に突出したバンプ等の突起電極（実装端子）や、ウェーハ上のペリフェラル端子から延びる再配線（ＲＤＬ）と実装端子とを接続するメタルポスト等が基板上に高精度に配置される。
【０００４】
上記のようなホトファブリケーションにはホトレジスト組成物が使用される。そのようなホトレジスト組成物としては、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と、ナフトキノンジアジド基を有する化合物のような感光剤を含むポジ型ホトレジスト組成物が知られている（特許文献１等を参照）。
【０００５】
このようなポジ型ホトレジスト組成物は、例えばめっき工程によるバンプ、メタルポスト、及びＣｕ再配線のようなめっき造形物の形成等に用いられている。具体的には、ポジ型ホトレジスト組成物を用いて、金属基板のような支持体上に所望の膜厚のホトレジスト層を形成し、所定のマスクパターンを介して露光し、現像して、めっき造形物を形成する部分が選択的に除去（剥離）された鋳型として使用されるホトレジストパターンを形成する。そして、この除去された部分（非レジスト部）に銅等の導体をめっきによって埋め込んだ後、その周囲のホトレジストパターンを除去することにより、バンプ、メタルポスト、及びＣｕ再配線を形成することができる。
また、ポジ型ホトレジスト組成物は、例えば、基板をエッチングにより加工する時のエッチングマスクの形成にも利用される。具体的には、化学増幅型ホトレジスト組成物を用いて基板上に所望の膜厚のホトレジスト層を形成し、次いで、所定のマスクパターンを介してホトレジスト層のエッチング対象箇所に該当する部分のみを露光した後、露光されたホトレジスト層を現像して、エッチングマスクとして使用されるホトレジストパターンが形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２００９－６９２８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載のされるようなポジ型ホトレジスト組成物を用いて、パターン化されたレジスト膜を形成する場合、基板からの反射の影響で、パターンの側面にラフネスが生じる場合がある。パターンの側面のラフネス、パターン化されたレジスト膜をめっき用の鋳型として用いたり、エッチングマスクとして用いたりする場合に、めっき造形物の形状や、エッチング加工された基板の形状に対して悪影響を与える。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、側壁におけるラフネスが抑制されたパターン化されたレジスト膜を与える化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物と、当該化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性層を備える感光性ドライフィルムと、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いるパターン化されたレジスト膜の製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いる鋳型付き基板の製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いるめっき造形物の製造方法と、プラズマエッチング用のマスク付き基板の製造方法と、基板のエッチング加工方法とを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意研究を重ねた結果、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する光酸発生剤（Ａ）と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂（Ｂ）と、有機溶剤（Ｓ）とを含む化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物において、大気圧下での沸点が２１０℃以上であるか、大気圧下において沸点を有さない有機溶剤（Ｓ１）と、大気圧下での沸点が２１０℃未満である有機溶剤（Ｓ２）とを含む有機溶剤（Ｓ）を用いることにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下のようなものを提供する。
【００１０】
本発明の第１の態様は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤（Ａ）と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂（Ｂ）と、有機溶剤（Ｓ）とを含み、
有機溶剤（Ｓ）が、大気圧下での沸点が２１０℃以上であるか、大気圧下において沸点を有さない有機溶剤（Ｓ１）と、大気圧下での沸点が２１０℃未満である有機溶剤（Ｓ２）とを含む、化学増幅型ポジ型感光性組成物である。
（【００１１】以降は省略されています）

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