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公開番号2025105404
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-10
出願番号2024097953,2023222778
出願日2024-06-18,2023-12-28
発明の名称ダイシング用保護膜組成物、ウエハの製造方法、及びウエハの加工方法
出願人東京応化工業株式会社
代理人弁理士法人薫風国際特許商標事務所
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250703BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】経時的な吸光度の低下を抑制でき、かつ、経時的なディフェクト数の増加を抑制できるダイシング用保護膜組成物、これを用いたウエハの製造方法並びにウエハの加工方法を提供する。
【解決手段】ダイシング用保護膜組成物は、下記一般式(1)で表される化合物を含む紫外線吸収剤と、水溶性樹脂と、ギ酸イオンと、水と、を含有し、ギ酸イオンの含有量が、300～6000質量ppmである。
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式中、Xは、水素原子、-OR¹を表す。R¹は、置換又は無置換の炭素数1～5のアルキル基を表す。nは、1～5の数を表し、mは、0～4の数を表す。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
下記一般式（１）で表される化合物（１）を含む紫外線吸収剤と、水溶性樹脂と、ギ酸イオンと、水と、を含有し、
前記ギ酸イオンの含有量が、３００～６０００質量ｐｐｍである、
ダイシング用保護膜組成物。
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2025105404000007.jpg
41
160
（式中、Ｘは、水素原子、－ＯＲ
１
を表す。Ｒ
１
は、置換又は無置換の炭素数１～５のアルキル基を表す。ｎは、１～５の数を表し、ｍは、０～４の数を表す。）
続きを表示（約 980 文字）【請求項２】
前記紫外線吸収剤は、フェルラ酸、２－ヒドロキシけい皮酸、４－ヒドロキシけい皮酸、２，３－ジヒドロキシけい皮酸、及び３，４－ジヒドロキシけい皮酸からなる群より選択される少なくとも１種である、
請求項１に記載のダイシング用保護膜組成物。
【請求項３】
前記水溶性樹脂は、下記式（２ａ－１）で表される構成単位と下記式（２ａ－２）で表される構成単位とを含む樹脂（２ａ）、及び下記式（２ｂ）で表される構成単位を含む樹脂（２ｂ）からなる群より選択される少なくとも１種の樹脂である、
請求項１又は２に記載のダイシング用保護膜組成物。
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2025105404000008.jpg
88
160
【請求項４】
さらに、水系有機溶剤を含有する、
請求項１又は２に記載のダイシング用保護膜組成物。
【請求項５】
前記水系有機溶剤は、グリコール系溶剤、及びアルコール系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種である、
請求項４に記載のダイシング用保護膜組成物。
【請求項６】
前記水系有機溶剤として、２種以上の水系有機溶剤を含有する、
請求項５に記載のダイシング用保護膜組成物。
【請求項７】
固形分濃度が、１～９０質量％である、
請求項１又は２に記載のダイシング用保護膜組成物。
【請求項８】
ウエハの加工面に、請求項１又は２に記載のダイシング用保護膜組成物を塗布して保護膜を形成する成膜工程と、
前記保護膜を介して加工面にレーザー光を照射して加工を施す加工工程と
を含む、ウエハの製造方法。
【請求項９】
前記ウエハには、格子状のストリートにより区画された複数の半導体チップが形成されており、
前記加工工程は、前記保護膜を介して前記ストリートにレーザー光が照射することによって溝を形成する工程である、
請求項８に記載のウエハの製造方法。
【請求項１０】
前記加工工程の後に、前記保護膜を水洗により除去する工程を含む、
請求項８に記載のウエハの製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシング用保護膜組成物、ウエハの製造方法、及びウエハの加工方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程において形成されるウエハは、シリコン等の半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体を、ストリートと呼ばれる格子状の分割予定ラインによって区画したものであり、ストリートで区画されている各領域が、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップとなっている。即ち、このストリートに沿ってウエハを加工・切断するによって複数の半導体チップが得られる。
【０００３】
ウエハの加工・切断は、例えば、レーザーダイシング等によって行われている。レーザーダイシングを行う際には、デブリの付着を防ぐために、ウエハの表面にダイシング用保護膜を設ける。このようなダイシング用保護膜に関する技術として、例えば、特許文献１には、水溶性樹脂と、水溶性染料、水溶性色素及び水溶性紫外線吸収剤からなる群より選択された少なくとも１種の水溶性のレーザー光吸収剤とが溶解した溶液からなることを特徴とするレーザーダイシング用保護膜剤が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００６－１４０３１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ダイシング用保護膜は、上述したようにダイシング時に発生するデブリの付着を防ぐものであるが、その性能について、未だ改善の余地がある。
【０００６】
まず、ダイシング用保護膜を形成するための組成物（ダイシング用保護膜組成物）には、ダイシング時に使用するレーザー光を吸収する吸収剤を配合するものがあるが、保管日数の経過に伴い、経時的に吸光度が低下してしまうという問題がある。意図せずに吸光度が低下してしまうと、ストリートラインに沿った精度の高いレーザー光による切断ができなくなったり、均一な線幅のレーザー加工が困難になったりする。
【０００７】
次に、ダイシング用保護膜によって保護されたウエハをレーザーダイシングによって切断した後に、洗浄によってダイシング用保護膜を除去することが行われる。近年、精密な構造体を作製するため、基板上の欠陥管理が厳しくなってきており、そのため保護膜洗浄後の表面欠陥もこれまで以上に改善することが求められている。しかし、従来のダイシング用保護膜組成においては、基板洗浄後の残渣が経時的に悪化するという問題があった。
【０００８】
本発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、経時的な吸光度の低下を抑制でき、かつ、経時的なディフェクト数の増加を抑制できるダイシング用保護膜組成物、並びに、これを用いたウエハの製造方法及びウエハの加工方法を提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上述した目的を達成するために鋭意検討した結果、特定の構造を有する化合物（１）を含む紫外線吸収剤と、水溶性樹脂と、ギ酸イオンと、水と、を含有し、ギ酸イオンの含有量が、３００～６０００質量ｐｐｍである、ダイシング用保護膜組成物とすることに知見を得て、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明は以下のとおりである。
＜１＞
下記一般式（１）で表される化合物（１）を含む紫外線吸収剤と、水溶性樹脂と、ギ酸イオンと、水と、を含有し、前記ギ酸イオンの含有量が、３００～６０００質量ｐｐｍである、ダイシング用保護膜組成物である。
（【００１１】以降は省略されています）

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