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公開番号2025107273
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-17
出願番号2025074714,2020150430
出願日2025-04-28,2020-09-08
発明の名称フィルム状接着剤、接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法
出願人株式会社レゾナック
代理人個人,個人,個人
主分類C09J 7/30 20180101AFI20250710BHJP(染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用)
要約【課題】冷却エキスパンドによる分断性に優れるフィルム状接着剤を提供すること。
【解決手段】半導体素子と半導体素子を搭載する支持部材とを接着するためのフィルム状接着剤が開示される。当該フィルム状接着剤は、フィルム状接着剤が、熱硬化性樹脂と、硬化剤と、エラストマーとを含有する。エラストマーは、下記条件(i)及び下記条件(ii)を満たすエラストマーである。
条件(i):ガラス転移温度が12℃以上である。
条件(ii):重量平均分子量が80万以下である。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
半導体素子と前記半導体素子を搭載する支持部材とを接着するためのフィルム状接着剤であって、
前記フィルム状接着剤が、熱硬化性樹脂と、硬化剤と、エラストマーとを含有し、
前記エラストマーが下記条件（ｉ）及び下記条件（ｉｉ）を満たすエラストマーを含む、フィルム状接着剤。
条件（ｉ）：ガラス転移温度が１２℃以上である。
条件（ｉｉ）：重量平均分子量が８０万以下である。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記フィルム状接着剤から断面積Ａ（ｍｍ
２
）の試料を準備する工程と、
－１５℃～０℃の範囲の低温条件下において割断試験によって前記試料の割断仕事Ｗ（Ｎ・ｍｍ）、割断強度Ｐ（Ｎ）、及び割断伸びＬ（ｍｍ）を求める工程と、
下記式（１）で表される割断係数ｍを求める工程と、
下記式（２）で表される割断抵抗Ｒ（Ｎ／ｍｍ
２
）を求める工程と、
を含み、以下の条件下で実施される分断性評価方法において、割断係数ｍが０超７０以下であり、かつ割断抵抗Ｒが０Ｎ／ｍｍ
２
超４０Ｎ／ｍｍ
２
以下である、請求項１に記載のフィルム状接着剤。
ｍ＝Ｗ／［１０００×（Ｐ×Ｌ）］（１）
Ｒ＝Ｐ／Ａ（２）
＜条件＞
試料の幅：５ｍｍ
試料の長さ：２３ｍｍ
押し込み冶具と試料との相対速度：１０ｍｍ／分
【請求項３】
前記フィルム状接着剤が、無機フィラーをさらに含有する、請求項１又は２に記載のフィルム状接着剤。
【請求項４】
基材と、
前記基材の一方の面上に設けられた請求項１～３のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤と、
を備える、接着シート。
【請求項５】
前記基材がダイシングテープである、請求項４に記載の接着シート。
【請求項６】
半導体素子と、
前記半導体素子を搭載する支持部材と、
前記半導体素子及び前記支持部材の間に設けられ、前記半導体素子と前記支持部材とを接着する接着部材と、
を備え、
前記接着部材が請求項１～３のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤の硬化物である、半導体装置。
【請求項７】
請求項１～３のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤を用いて、半導体素子と支持部材とを接着する工程を備える、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
半導体ウェハに、請求項４又は５に記載の接着シートの前記フィルム状接着剤を貼り付ける工程と、
前記フィルム状接着剤を貼り付けた前記半導体ウェハを切断することによって、複数の個片化されたフィルム状接着剤付き半導体素子を作製する工程と、
前記フィルム状接着剤付き半導体素子を支持部材に接着する工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルム状接着剤、接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子（半導体チップ）を多段に積層したスタックドＭＣＰ（ＭｕｌｔｉＣｈｉｐＰａｃｋａｇｅ）が普及しており、携帯電話、携帯オーディオ機器用のメモリ半導体パッケージ等として搭載されている。また、携帯電話等の多機能化に伴い、半導体パッケージの高速化、高密度化、高集積化等も推し進められている。
【０００３】
現在、半導体装置の製造方法として、半導体ウェハの裏面に、フィルム状接着剤及びダイシングテープを貼付け、その後、半導体ウェハ、フィルム状接着剤、及びダイシングテープの一部をダイシング工程で切断する半導体ウェハ裏面貼付け方式が、一般的に用いられている。このような方式では、半導体ウェハのダイシング時にフィルム状接着剤も同時に切断することが必要であるが、ダイヤモンドブレードを用いた一般的なダイシング方法においては、半導体ウェハとフィルム状接着剤とを同時に切断することから、切断速度を遅くする必要があり、コストの上昇を招くおそれがある。
【０００４】
一方、半導体ウェハを区分する方法として、切断予定ライン上の半導体ウェハ内部にレーザー光を照射して改質領域を形成する方法等、半導体ウェハを容易に区分する工程を施し、その後外周部をエキスパンドすることによって半導体ウェハを切断する方法が近年提案されている（例えば、特許文献１）。この方法は、ステルスダイシングと呼ばれる。ステルスダイシングは、特に半導体ウェハの厚さが薄い場合にチッピング等の不良を低減する効果があり、収率向上効果等を期待することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２００２－１９２３７０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、フィルム状接着剤は、柔軟で伸び易いため、ダイシングテープのエキスパンドによって分断され難い傾向にある。フィルム状接着剤のエキスパンド（特に、低温（例えば、－１５℃～０℃の範囲）における冷却エキスパンド）による分断性を向上させるためには、ダイシングテープのエキスパンド量を大きくする必要性があるが、エキスパンド量を大きくすることで、ダイシングテープのたわみ量も増えることから、その後の搬送工程等に悪影響を及ぼすおそれがある。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、冷却エキスパンドによる分断性に優れるフィルム状接着剤を提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面は、半導体素子と半導体素子を搭載する支持部材とを接着するためのフィルム状接着剤を提供する。フィルム状接着剤は、熱硬化性樹脂と、硬化剤と、エラストマーとを含有する。エラストマーは、下記条件（ｉ）及び下記条件（ｉｉ）を満たすエラストマーを含む。このようなフィルム状接着剤は、冷却エキスパンドによる分断性に優れるものとなり得る。
条件（ｉ）：ガラス転移温度が１２℃以上である。
条件（ｉｉ）：重量平均分子量が８０万以下である。
【０００９】
本発明者らの検討によると、フィルム状接着剤において、特定のエラストマーを用いることによって、フィルム状接着剤の柔軟性を抑制できる傾向にあることが見出された。そのため、本発明者らは、このような特定のエラストマーを用いることによって、フィルム状接着剤の柔軟性の過度の向上を抑制し、結果として、冷却エキスパンドにおけるフィルム状接着剤の分断性を向上させることができると考えている。
【００１０】
フィルム状接着剤は、フィルム状接着剤から断面積Ａ（ｍｍ
２
）の試料を準備する工程と、－１５℃～０℃の範囲の低温条件下において割断試験によって試料の割断仕事Ｗ（Ｎ・ｍｍ）、割断強度Ｐ（Ｎ）、及び割断伸びＬ（ｍｍ）を求める工程と、下記式（１）で表される割断係数ｍを求める工程と、下記式（２）で表される割断抵抗Ｒ（Ｎ／ｍｍ
２
）を求める工程とを含み、以下の条件下で実施される分断性評価方法において、割断係数ｍが０超７０以下であり、かつ割断抵抗Ｒが０Ｎ／ｍｍ
２
超４０Ｎ／ｍｍ
２
以下である、フィルム状接着剤であってよい。
ｍ＝Ｗ／［１０００×（Ｐ×Ｌ）］（１）
Ｒ＝Ｐ／Ａ（２）
＜条件＞
試料の幅：５ｍｍ
試料の長さ：２３ｍｍ
押し込み冶具と試料との相対速度：１０ｍｍ／分
（【００１１】以降は省略されています）

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