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公開番号
2025119686
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-08-15
出願番号
2024014608
出願日
2024-02-02
発明の名称
セラミックス組成物、積層型セラミックスコンデンサおよびセラミックス組成物の製造方法
出願人
リードテクノ株式会社
,
国立大学法人山梨大学
代理人
個人
,
個人
主分類
C04B
35/468 20060101AFI20250807BHJP(セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物)
要約
【課題】広範囲な温度領域(室温~150℃)において、比較的高い比誘電率(ε≧500)を維持し、なおかつ、DCバイアス依存性が低い誘電特性を有しているセラミックス組成物、これを用いた積層型セラミックスコンデンサ、およびセラミックス組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】化学式Ba
(1-x)
Sr
x
Ti
(1-y―z)
Ga
y
Nb
z
O
3
で表される母材に由来する成分を含み、xが0.01以上0.30以下の範囲にあり、yおよびzは、y+zが0.04以上0.20以下の範囲にあり、y/zが0.8以上1.2以下の範囲にあることを特徴とするセラミックス組成物。
【選択図】図6
特許請求の範囲
【請求項1】
化学式Ba
(1-x)
Sr
x
Ti
(1-y-z)
Ga
y
Nb
z
O
3
で表される母材に由来する成分を含み、
前記xが0.10以上0.30以下の範囲にあり、
前記yおよび前記zは、y+zが0.04以上0.20以下の範囲にあり、
前記yおよび前記zは、y/zが0.8以上1.2以下の範囲にあることを特徴とする、セラミックス組成物。
続きを表示(約 1,000 文字)
【請求項2】
化学式Ba
(1-x)
Sr
x
Ti
(1-y-z)
Ga
y
Nb
z
O
3
で表される母材に由来する成分を含み、
前記xが0.10以上0.30以下の範囲にあり、
前記yおよび前記zは、y+zが0.04以上0.20以下の範囲にあり、
前記yおよび前記zは、y/zが0.8以上1.2以下の範囲にあり、
少なくとも前記母材および添加剤を本焼成して得られるセラミックス組成物であって、
前記母材は、BaCO
3
、TiO
2
、SrCO
3
およびGa
2
O
3
を固相法で第1の仮焼をした後、Nb
2
O
5
との混合物とし、さらに第2の仮焼をして得られる仮焼粉を母材とすることを特徴とする、セラミックス組成物。
【請求項3】
セラミックス組成物を含む層と内部電極とが交互に積層された構造素体を有し、
前記セラミックス組成物が、請求項1または2記載のセラミックス組成物であることを特徴とする、積層型セラミックスコンデンサ。
【請求項4】
BaCO
3
、TiO
2
、SrCO
3
およびGa
2
O
3
を固相法で仮焼して第1仮焼粉を形成する第1仮焼工程と、
前記第1仮焼粉と、Nb
2
O
5
との混合物を、さらに仮焼してセラミックス組成物の母材を形成する第2仮焼工程と、
前記母材と添加剤を本焼成してセラミックス組成物を得る本焼成工程、とを含み、
前記母材は、化学式Ba
(1-x)
Sr
x
Ti
(1-y-z)
Ga
y
Nb
z
O
3
で表され、
前記xが0.10以上0.30以下の範囲にあり、
前記yおよび前記zは、y+zが0.04以上0.20以下の範囲にあり、
前記yおよび前記zは、y/zが0.8以上1.2以下の範囲にあることを特徴とする、セラミックス組成物の製造方法。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、セラミックス組成物、これを用いた積層型セラミックスコンデンサ、およびセラミックス組成物の製造方法に関する。
続きを表示(約 2,000 文字)
【背景技術】
【0002】
近年、車載用の電子部品としてDCバイアス(直流電圧)フリー誘電特性を有する積層セラミックスコンデンサ(MLCC)が求められている。車載用MLCCは、高電場下で使用されるため、既存のMLCCでは比誘電率の大きな電場依存性および温度依存性が課題となっている。具体的には、広範囲の温度領域(-55℃~150℃)において、比較的高い比誘電率(ε≧500)を維持し、なおかつ、DCバイアス依存性が低い誘電特性を有している材料が求められている。
【0003】
比誘電率が高い材料としては、チタン酸バリウム(BaTiO
3、
以降「BT」と記載することがある)にGaとNbが同時にTiサイトを置換したBaTiO
3
系半導体セラミックスが提案されている(例えば、特許文献1、2参照)。前記材料組成については、いずれも比誘電率が高く、室温付近では強誘電体材料であるため、DCバイアスを印加すると比誘電率は大きく低下し、DCバイアス特性は十分ではない。対象的に、室温付近で常誘電体の材料は、DCバイアス特性に優れ、DCバイアスを印加しても比誘電率は大きく低下することがない。しかし、常誘電体であるために、比誘電率が低くなる傾向がある。
【0004】
また、チタン酸バリウム(BT)に電気的中性条件を満足させながら異種元素Nb-Mnを共ドープさせることで、長距離秩序を破壊する化学グレインサイズモデルに基づいた研究が報告されている(非特許文献1参照)。前記研究の結果により、DCバイアスフリー誘電特性は実現できたものの、比誘電率は十分なものとはいえなかった。より高い比誘電率を実現できれば、より広い応用が期待できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
特開2012-206890号公報
特表2009-509906号公報
【非特許文献】
【0006】
P. Sapkota et al., Jpn. J. Appl. Phy., 61, SN1023 (2022).
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
そこで、発明者らは、キュリー温度が70℃付近にあり、室温でBTよりも大きな比誘電率を持つチタン酸バリウムストロンチウム(以降「BST」と記載することがある)誘電体セラミックスに注目した。そして、そのチタンサイト(Ti
4+
サイト)に異種元素Ga
3+
-Nb
5+
を共ドープさせることで、BSTに顕著に現れる電場・温度依存性を克服した、高比誘電率の新規誘電体材料の開発を試みた。
【0008】
本発明は、広範囲な温度領域(室温~150℃)において、比較的高い比誘電率(ε≧500)を維持し、なおかつ、DCバイアス依存性が低い誘電特性を有しているセラミックス組成物、これを用いた積層型セラミックスコンデンサ、およびセラミックス組成物の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
前記目的を達成するために、本発明のセラミックス組成物は、化学式Ba
(1-x)
Sr
x
Ti
(1-y-z)
Ga
y
Nb
z
O
3
で表される母材に由来する成分を含み、
前記xが0.10以上0.30以下の範囲にあり、
前記y+zが0.04以上0.20以下の範囲にあり、
前記yおよび前記zは、y/zが0.8以上1.2以下の範囲にあることを特徴とする。
【0010】
また、本発明のセラミックス組成物は、化学式Ba
(1-x)
Sr
x
Ti
(1-y-z)
Ga
y
Nb
z
O
3
で表される母材に由来する成分を含み、
前記xが0.10以上0.30以下の範囲にあり、
前記yおよび前記zは、y+zが0.04以上0.20以下の範囲にあり、
前記yおよび前記zは、y/zが0.8以上1.2以下の範囲にあり、
少なくとも前記母材および添加剤を本焼成して得られるセラミックス組成物であって、
前記母材は、BaCO
3
、TiO
2
、SrCO
3
およびGa
2
O
3
を固相法で第1の仮焼をした後、Nb
2
O
5
との混合物とし、さらに第2の仮焼をして得られる仮焼粉を母材とすることを特徴とする。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPat(特許庁公式サイト)で参照する
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