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公開番号2025125484
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-27
出願番号2024021572
出願日2024-02-15
発明の名称構造体および構造体の製造方法
出願人株式会社FLOSFIA
代理人
主分類C30B 29/16 20060101AFI20250820BHJP(結晶成長)
要約【課題】品質の優れた構造体を提供することを課題とする。
【解決手段】基板と、前記基板上に直接または他の層を介して配置されて互いに隣り合い、且つ、結晶性酸化物を有する複数の半導体膜と、前記複数の半導体膜を互いに隔てる縁切部とを備える構造体。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
前記基板上に直接または他の層を介して配置されて互いに隣り合い、且つ、結晶性酸化物を有する複数の半導体膜と、
前記複数の半導体膜を互いに隔てる縁切部とを備える構造体。
続きを表示（約 630 文字）【請求項２】
前記縁切部は、非晶質構造または前記複数の半導体膜の結晶構造とは異なる結晶構造を有する請求項１に記載の構造体。
【請求項３】
前記結晶性酸化物および前記縁切部の各々は、ガリウムを含む請求項２に記載の構造体。
【請求項４】
前記縁切部の上端は、前記複数の半導体膜よりも上方に位置する請求項１～３のいずれかに記載の構造体。
【請求項５】
前記縁切部の幅は、前記複数の半導体膜の厚さの３倍以上である請求項１～３のいずれかに記載の構造体。
【請求項６】
前記基板の表面には、前記複数の半導体膜の厚さよりも深い溝が形成され、
前記縁切部は、前記溝上に位置する請求項１～３のいずれかに記載の構造体。
【請求項７】
前記溝の縁は、前記基板の表面よりも上方に位置する請求項６に記載の構造体。
【請求項８】
前記基板の表面の一部には、他の部分よりも結晶成長が生じ難い領域が形成され、
前記縁切部は、前記領域に形成された請求項１に記載の構造体。
【請求項９】
前記縁切部は、前記結晶性酸化物に含まれる化合物とは異なる化合物を含む請求項１に記載の構造体。
【請求項１０】
前記複数の半導体膜の厚さと前記縁切部の厚さとの差は、前記縁切部の幅よりも小さい請求項９に記載の構造体。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、構造体および構造体の製造方法に関する。
続きを表示（約 910 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、下地基板上に、結晶性応力緩和層、半導体層、キャップ層および絶縁膜が形成された結晶体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第５３９７７９４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述した結晶体にあっては、反り、歪またはクラックなどが生じて、品質が低下する恐れがある。
【０００５】
本開示は、品質の優れた構造体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様の構造体は、基板と、前記基板上に直接または他の層を介して配置されて互いに隣り合い、且つ、結晶性酸化物を有する複数の半導体膜と、前記複数の半導体膜を互いに隔てる縁切部とを備える。
【０００７】
本開示の一態様の構造体は、互いに隣り合い、且つ、結晶性酸化物を有する複数の半導体膜と、前記複数の半導体膜を互いに隔てる縁切部とを備える。
【０００８】
本開示の一態様の構造体の製造方法は、基板の表面の一部を荒らして粗面を形成することと、前記粗面に縁切部を形成することと、前記基板の表面のうち前記粗面以外の部分に、前記縁切部を介して隔てられ、且つ、結晶性酸化物を有する複数の半導体膜を形成することとを含む。
【０００９】
本開示の一態様の構造体の製造方法は、基板の表面に溝を形成することと、前記溝に縁切部を形成することと、前記基板の表面のうち前記溝以外の部分に、前記縁切部を介して隔てられ、且つ、結晶性酸化物を有する複数の半導体膜を形成することとを含む。
【００１０】
本開示の一態様の構造体の製造方法は、基板の表面の一部に縁切部を形成することと、前記基板の表面のうち前記縁切部以外の部分に、前記縁切部を介して隔てられ、且つ、結晶性酸化物を有する複数の半導体膜を形成することとを含む。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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