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公開番号2025068711
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-30
出願番号2023178670
出願日2023-10-17
発明の名称洗浄方法
出願人ヤマハロボティクスホールディングス株式会社,栗田工業株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250422BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体チップの表面に付着した微細な異物をより確実に除去できる洗浄方法を提供する。
【解決手段】ダイシングフィルム30に貼り付けられた半導体チップ11を洗浄する洗浄方法であって、水素水を噴射して半導体チップ11の表面に付着した異物を洗い流す第1ステップS201と、第1ステップ201の後に、半導体チップ11に水素水を噴射しながら半導体チップ11の表面に水素水を含んだワイプ材80を触れさせ、異物を取り込んで洗う第2ステップS202と、を含む。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
ダイシングフィルムに貼り付けられた半導体チップを洗浄する洗浄方法であって、
水素水を噴射して前記半導体チップの表面に付着した異物を洗い流す第１ステップと、
前記第１ステップの後に、前記半導体チップに水素水を噴射しながら前記半導体チップの表面に水素水を含んだワイプ材を触れさせ、前記異物を取り込んで洗う第２ステップと、を含む、
洗浄方法。
続きを表示（約 560 文字）【請求項２】
前記ワイプ材の保持にアームを用い、
前記アームは、センサと、駆動機構と、を備え、
前記第２ステップにおいて、
前記センサは、前記半導体チップの表面に触れた前記ワイプ材の力を測定し、
前記駆動機構は、前記第２ステップにおいて、測定された力が前記ワイプ材の最大圧縮変形量の１０％以下の力になるように制御される、
請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項３】
前記第２ステップにおいて、前記半導体チップへの液体の噴射にノズルを用い、
前記ノズルは、前記ワイプ材から所定の範囲内に液体を噴射するように前記ワイプ材の移動に追従する、
請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項４】
前記第２ステップで噴射される水素水は、超音波加振されている、
請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項５】
前記第２ステップの後に、水素水を噴射して前記半導体チップの表面を洗い流す第３ステップを更に含む、
請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項６】
前記第２ステップで噴射される水素水は、大気圧下における水素ガスの飽和度が６０％～１００％である、
請求項１から５のいずれか一項に記載の洗浄方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシングフィルムに貼り付けられた半導体チップを洗浄する洗浄方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体チップは、８インチや１２インチの大きさのウェーハを所定の大きさに切断して製造される。切断の際には切断した半導体チップがばらばらにならないように、裏面にダイシングフィルムを貼り付け、表面側からダイシングソーやレーザ光線等によってウェーハを切断する。この際、裏面に貼り付けられたダイシングフィルムは若干切り込まれるが切断されないで各半導体チップを保持した状態となっている。そして、切断された各半導体チップは一つずつダイシングフィルムからピックアップされてフリップチップボンディング等の次の工程に送られる。
【０００３】
ダイシングの際には、半導体ウェーハの切削屑やダイシングフィルムの切削屑等の異物が半導体チップの表面に付着するので、ダイシングの際やダイシング後に半導体チップの表面や切断されたウェーハの表面の洗浄が行われる。近年、半導体チップの上に他の半導体チップを直接ボンディングするダイレクトボンディングが多用されるようになってきている。ダイレクトボンディングを行う場合には、表面に数ミクロン～サブミクロンの大きさの微細な異物が付着していてもボンディング品質が低下する場合がある。
【０００４】
ダイレクトボンディングで問題になるような数ミクロン～サブミクロンの微細な異物まで除去するために、特許文献１には、ガス溶解水を半導体チップの表面に噴射してウェーハの切削屑等の無機系の微細な異物の除去を行い、拭き取りアームの先端に取り付けた拭き取り部材により半導体チップの表面に付着している有機系の微細な異物の除去を行う半導体チップ洗浄方法が提案されている。特許文献１に記載の洗浄方法によれば、半導体チップの表面に付着した数ミクロン～サブミクロンの微細な異物まできれいに除去できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
国際公開２０２１／１３２１３３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
切断される前のウェーハは、シリコン原子が正確な位置で三次元的に配列している。しかしながら、ダイシングソーやレーザ光線等によってウェーハを切断すると、機械的エネルギーや熱エネルギーによって加工変質層（ｄａｍａｇｅｄｌａｙｅｒ）と呼ばれる結晶構造の破壊、原子配列の乱れ、非晶質層の形成等の欠陥がウェーハの切断面に生じる。
【０００７】
加工変質層は、ウェーハ内部の結晶構造よりもはるかに脆弱であるため、拭き取り部材を半導体チップの表面に押し付けただけでも微細な異物が発生することがある。異物を除去するために拭き取り洗浄工程を実行して万が一その拭き取り洗浄工程によって新たな異物が発生すると、半導体チップの表面を再汚染してしまう。ボンディング品質を向上させるために、半導体チップの表面を極限まで清浄にすべきという要請がある。
【０００８】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、半導体チップの表面に付着した微細な異物をより確実に除去できる洗浄方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様に係る洗浄方法は、ダイシングフィルムに貼り付けられた半導体チップを洗浄する洗浄方法であって、水素水を噴射して半導体チップの表面に付着した異物を洗い流す第１ステップと、第１ステップの後に、半導体チップに水素水を噴射しながら半導体チップの表面に水素水を含んだワイプ材を触れさせ、異物を取り込んで洗う第２ステップと、を含む。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、半導体チップの表面に付着した微細な異物をより確実に除去できる洗浄方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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