特許ウォッチ

公開番号2025088308
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-11
出願番号2023202933
出願日2023-11-30
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人
主分類H01L 23/48 20060101AFI20250604BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】小型化を図ることが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置A1は、第1半導体素子1と、第1リード2と、第2電極12に導通接合された第2リード3と、封止樹脂4と、を備える。第1素子本体10は、第1斜面部101を含む。第1リード2は、第1電極11に導通接合された第1接合部21と、第1接合部21に対して第1方向の第2側z2であって第1方向zと直交する第2方向xの第1側x1に位置し且つ封止樹脂4から第1方向zの第2側z2に露出する第1端子面221を有する第1端子部22と、第1接合部21に対して第2方向xの第1側x1に延出する延出部23と、第1端子部22および延出部23に繋がる連絡部24と、を含む。第2リード3は、封止樹脂4から第1方向zの第2側z2に露出する第2端子面31を有する。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
第１素子本体、第１方向の第１側に位置する第１電極、および前記第１方向の第２側に位置する第２電極を有する第１半導体素子と、
前記第１電極に導電性接合材によって導通接合された第１リードと、
前記第２電極に導通接合された第２リードと、
前記第１半導体素子と、前記第１リードおよび前記第２リードの一部ずつと、を覆う封止樹脂と、を備え、
前記第１素子本体は、前記第１方向の前記第１側に位置するほど前記第１方向と直角である断面積が小となる部位であって、前記第１方向に視て前記第１電極を囲む第１斜面部を含み、
前記第１リードは、前記第１電極に導通接合された第１接合部と、前記第１接合部に対して前記第１方向の前記第２側であって前記第１方向と直交する第２方向の第１側に位置し且つ前記封止樹脂から前記第１方向の前記第２側に露出する第１端子面を有する第１端子部と、前記第１接合部に対して前記第２方向の前記第１側に延出する延出部と、前記第１端子部および前記延出部に繋がる連絡部と、を含み、
前記第２リードは、前記封止樹脂から前記第１方向の前記第２側に露出する第２端子面を有する、
半導体装置。
続きを表示（約 580 文字）【請求項２】
前記延出部は、前記第１方向の第１側に凹む凹部を有する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記凹部は、前記第１方向に視て、前記第１斜面部と重なる、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記凹部は、前記第１方向および前記第２方向と直交する第３方向に延びた形状である、請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記凹部は、前記延出部の前記第３方向の両端に接する、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記延出部は、前記第２方向に並ぶ複数の前記凹部を含む、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記凹部の前記第３方向と直交する断面形状は、Ｖ字状である、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記凹部の前記第２方向と直交する断面形状は、湾曲形状である、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記延出部は、前記第１方向および前記第２方向と直交する第３方向に並ぶ複数の前記凹部を有する、請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１接合部は、前記導電性接合材が接する粗面部を含む、請求項１に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、従来の半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、半導体素子、リード、接続リードおよび封止樹脂を備えている。接続リードは、半導体素子に導通接合されている。接続リードは、厚さ方向において半導体素子から離れるように屈曲している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開２０２３／２８６７２０号公報
【０００４】
［概要］
封止樹脂は、屈曲した接続リードを覆っている。このため、半導体装置の厚さ方向の寸法が拡大する。
【０００５】
本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、小型化を図ることが可能な半導体装置を提供することをその課題とする。
【０００６】
本開示によって提供される半導体装置は、第１素子本体、第１方向の第１側に位置する第１電極、および前記第１方向の第２側に位置する第２電極を有する第１半導体素子と、前記第１電極に導電性接合材によって導通接合された第１リードと、前記第２電極に導通接合された第２リードと、前記第１半導体素子と、前記第１リードおよび前記第２リードの一部ずつと、を覆う封止樹脂と、を備え、前記第１素子本体は、前記第１方向の前記第１側に位置するほど前記第１方向と直角である断面積が小となる部位であって、前記第１方向に視て前記第１電極を囲む第１斜面部を含み、前記第１リードは、前記第１電極に導通接合された第１接合部と、前記第１接合部に対して前記第１方向の前記第２側であって前記第１方向と直交する第２方向の第１側に位置し且つ前記封止樹脂から前記第１方向の前記第２側に露出する第１端子面を有する第１端子部と、前記第１接合部に対して前記第２方向の前記ｘ１側に延出する延出部と、前記第１端子部および前記延出部に繋がる連絡部と、を含み、前記第２リードは、前記封止樹脂から前記第１方向の前記第２側に露出する第２端子面を有する。
【０００７】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。
図２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。
図３は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す正面図である。
図４は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。
図５は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す右側面図である。
図６は、図２のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。
図７は、図２のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。
図８は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第１リードを示す部分底面図である。
図９は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第１リードの他の例を示す部分底面図である。
図１０は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第１リードのさらに他の例を示す部分底面図である。
図１１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第１リードのさらに他の例を示す部分断面図である。
図１２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第１リードの他の例を示す部分底面図である。
図１３は、図１２のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う部分断面図である。
図１４は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第１リードの他の例を示す部分底面図である。
図１５は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第１リードの他の例を示す部分底面図である。
図１６は、図１５のＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿う部分断面図である。
図１７は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
図１８は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置の第１リードを示す部分底面図である
図１９は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
図２０は、本開示の第４実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。
図２１は、図２０のＸＸI－ＸＸI線に沿う断面図である。
【０００９】
［詳細な説明］
以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００１０】
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に識別のために用いたものであり、それらの対象物に順列を付することを意図していない。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許