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公開番号2025078850
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-20
出願番号2025037826,2023106575
出願日2025-03-10,2018-06-25
発明の名称リフト方法、他の基板の製造方法及びリフト装置
出願人信越化学工業株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H10K 71/18 20230101AFI20250513BHJP()
要約【課題】リフト装置におけるレセプター基板の大型化、細密化、及びタクトタイムの短縮を、高いリフト位置精度を保ったまま実現する。
【解決手段】リフト対象物を載せたドナー基板及び/又はビーム整形光学系と縮小投影光学系を保持したまま移動する各ステージ群と、リフト先であるレセプター基板を保持するステージ群を別固体の定盤上に構築した機構とし、レーザ光に対する各基板の相対的な走査に伴う振動や当該走査を担うステージの同期位置精度の異常を最小化する。
【選択図】図1A

特許請求の範囲【請求項１】
レーザ光のマスクパターンを基板の裏面から前記基板の表面に設けられた対象物に向けて縮小投影し、前記対象物を前記基板から剥離させ、当該対象物を他の基板にリフトするリフト方法であって、
前記基板に照射されるレーザ光のマスクパターンと、前記基板及び前記他の基板とを、互いに相対的に変位させる、リフト方法。
続きを表示（約 650 文字）【請求項２】
前記基板に照射されるレーザ光のマスクパターンに対して、前記基板及び前記他の基板を同方向に移動させる、請求項１記載のリフト方法。
【請求項３】
前記基板に照射されるレーザ光のマスクパターンに対して、前記基板と前記他の基板とを互いに異なる速度で移動させる請求項１記載のリフト方法。
【請求項４】
前記他の基板の移動速度を、前記基板の移動速度よりも大きくする請求項２または３記載のリフト方法。
【請求項５】
レーザ光の前記基板への照射時には前記基板及び前記他の基板の移動を停止する請求項２～４いずれか一項記載のリフト方法。
【請求項６】
レーザ光の前記基板への照射時に前記基板及び前記他の基板を停止することなく走査する請求項２～４いずれか一項記載のリフト方法。
【請求項７】
前記基板は、前記レーザ光の波長に対して透過特性を有する請求項１～６いずれか一項記載のリフト方法。
【請求項８】
前記対象物は、前記基板上に形成された光吸収層上に設けられている請求項１～７いずれか一項記載のリフト方法。
【請求項９】
前記対象物は、前記基板上にベタ膜として設けられている請求項１～７いずれか一項記載のリフト方法。
【請求項１０】
前記対象物は、前記基板上にマトリックス状に設けられている請求項１～７いずれか一項記載のリフト方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドナー基板上に位置する対象物をレセプター基板上にレーザ照射を用いて精度よくリフト（ＬＩＦＴ：ＬａｓｅｒＩｎｄｕｃｅｄＦｏｒｗａｒｄＴｒａｎｓｆｅｒ）する装置に関する。
続きを表示（約 3,200 文字）【背景技術】
【０００２】
ドナー基板上の有機ＥＬ層にレーザを照射し、対向する回路基板にこれをリフトする技術がある。特許文献１には、その技術として一つのレーザ光を矩形形状の均一強度分布を備える複数の矩形レーザ光へと変換し、これらを直列且つ等間隔に配置し、ドナー基板の所定の領域に一定時間以上隔てて所定回数重畳して照射し、ドナー基板と有機ＥＬ層間に位置する金属箔に吸収させ、弾性波を発生させ、これにより剥離された有機ＥＬ層を対向する回路基板上にリフトする技術が開示されている。
【０００３】
この技術においては、ドナー基板と回路基板の間に８０～１００[μｍ]を好適値とするスペーサを挟み、これらの間隔を一定に保持した状態にて一体化したものを一台のステージ上に載置してレーザ光に対し相対的にスキャンさせる構造を用いている。しかし、この場合対向させたドナー基板と回路基板を一体化させる工程が別途必要となるほか、回路基板と同一サイズのドナー基板が必要となり、回路基板の大型化の需要に伴い製造コストや装置の大型化も必要となる。
【０００４】
同じく、ドナー基板上の有機ＥＬ層を対向する回路基板にリフトする技術として、光吸収層をドナー基板と有機ＥＬ層間に設け、この光吸収層に照射したレーザ光を吸収させ、衝撃波を発生させ、１０～１００[μｍ]の間隔が設けられて対向する回路基板にリフトする技術が特許文献２において開示されている。しかし、レーザ光の走査方法やこれを実現するステージ構成、ひいては、リフト装置としての開示がない。そのため、回路基板の大型化に対応可能なリフト位置精度を維持、向上するための技術として参照することができない。
【０００５】
また、半導体デバイスの製造に用いられる露光装置において、ステップアンドスキャン法に関する技術が特許文献３に開示されている。その基本的な考え方は、ウエハステージの走査露光方向に沿った一列分のショット領域を、途中いくつかのショット領域を飛ばしながら間欠的に露光して、その途中でウエハステージを停止させないというものである。すなわち、レチクルを保持するレチクルステージと、ウエハを保持するウエハステージと、レチクルのパターンをウエハに投影する投影光学系を備え、投影光学系に対してレチクルステージとウエハステージを共に走査しながら露光を行い、レチクルのパターンをウエハの複数のショット領域に順に投影する露光装置であって、走査方向に沿って並んだウエハ上の複数のショット領域に対して、該ウエハステージを静止させることなく走査移動させながら、間欠的に露光を行う装置である。これにより、ウエハの大型化且つ処理速度の高速化の要求において、ウエハステージの加減速を繰り返すステップアンドリピート方式と比べ、そのステージの走査に伴う振動や揺れの露光精度に対する影響を軽減することができる。
【０００６】
しかし、この特許文献３に開示されている技術は、縮小投影露光を基本とする半導体露光装置の技術であり、本発明であるリフト技術とはその技術分野を異にするものである。すなわち、露光装置におけるレチクルステージとウエハステージの構成及び走査技術と、本発明に係るマスクパターンをドナー基板上の対象物に位置精度よく縮小投影し、さらに当該対象物を同じく高い位置精度にてレセプター基板にリフトするためのステージ構成及び走査技術とは全く異なるものである。従って、本発明における具体的なステージ構成及びその走査技術としては、これを参照することができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
特開２０１４－６７６７１号公報
特開２０１０－４０３８０号公報
特開２０００－２１７０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ドナー基板を保持するドナーステージ及びこれに載置される光学系を保持する光学ステージの両ステージと、レセプター基板を保持するレセプターステージを独立の機構とする構成、さらには、ドナーステージに光学ステージを直接載置するのではなく、剛性の高い定盤にそれぞれが独立して設置される機構とする構成により、各ステージの走査に伴う振動や各種エラーがステージ間の同期位置精度に影響を与えることを最小化する。その結果として、リフト位置精度を維持したままレセプター基板の大型化、細密化、及びタクトタイムの短縮に寄与するリフト装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１の発明は、移動するドナー基板の表面上に位置する対象物に向けて当該ドナー基板の裏面からパルスレーザ光を照射することで当該対象物を選択的に剥離し、これを当該ドナー基板と対向しながら移動するレセプター基板上にリフトする装置であって、パルス発振するレーザ装置と、前記レーザ装置から出射したパルスレーザ光を平行光にするテレスコープと、前記テレスコープを通過したパルスレーザ光の空間強度分布を均一に整形する整形光学系と、前記整形光学系により整形されたパルスレーザ光を所定のパターンにて通過させるマスクと、前記整形光学系と前記マスクとの間に位置するフィールドレンズと、前記マスクのパターンを通過したレーザ光をドナー基板の表面に縮小投影する投影レンズと、前記フィールドレンズとマスクを保持するマスクステージと、前記整形光学系と前記マスクステージと前記投影レンズを保持する光学ステージと、ドナー基板をその裏面がレーザ光の入射側となる向きにて保持するドナーステージと、レセプター基板を保持するレセプターステージと、前記パルスレーザ光発振用のトリガー出力機能及びステージ制御機能を有するプログラマブル多軸制御装置と、を含み、前記レセプターステージは、水平面をＸＹ平面としたときのＹ軸、鉛直方向のＺ軸及びＸＹ平面内のθ軸を持ち、前記ドナーステージは、Ｘ軸、Ｙ軸及びθ軸を持ち、前記投影レンズは、当該投影レンズ用のＺ軸ステージと共に前記光学ステージに保持され、前記テレスコープ、前記整形光学系、前記フィールドレンズ、前記マスク及び前記投影レンズは、当該マスクのパターンをドナー基板表面にて縮小投影する縮小投影光学系を構成し、前記ドナーステージのＸ軸は、定盤１に設置され、前記レセプターステージのＹ軸は、当該定盤１とは異なる定盤２に設置され、前記ドナーステージのＹ軸は、前記ドナーステージのＸ軸に吊設されていることを特徴とするリフト装置である。
【００１０】
ここで、「移動する」基板とは、パルスレーザ光（図１Ａにおいて「ＬＳ」と表示。但し、図１Ａは第２の発明の主要構成部を示すものの、第１の発明の構成と共通する構成部分を含むため参照する。以下、同様。）の照射の際も停止せずに移動している場合と、パルスレーザ光の照射の際は停止し、移動と停止を繰り返す場合とを含み、これらは本発明に係るリフト装置によるリフト工程と要求されるタクトタイム等により選択される。また、ドナー基板（Ｄ）が移動と停止を繰り返し、レセプター基板（Ｒ）は停止しない構成や、その逆の場合の構成も含む。ドナー基板からの対象物の剥離に１ショットのみを用いる場合であって高タクトタイムが要求される場合は、好適に、ドナー基板とレセプター基板は同一又は異なる速度で停止することなく移動する構成が選択される。他方、対象物を一定厚積層させたい場合など、ドナー基板は停止することなく移動し、レセプター基板は一定ショット数の間停止する構成が選択される場合もある。
（【００１１】以降は省略されています）

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