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公開番号2025078334
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-20
出願番号2023190816
出願日2023-11-08
発明の名称発光装置の製造方法
出願人日亜化学工業株式会社
代理人弁理士法人iX
主分類H10H 20/857 20250101AFI20250513BHJP()
要約【課題】発光素子と、基板の配線部との接合強度を高くできる発光装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】発光装置の製造方法は、半導体構造体と、電極と、半導体構造体側に位置する第1部分と、第1部分上に配置され、平面視において第1部分よりも面積が小さい第2部分とを有する外部端子とを有する発光素子を準備する工程と、配線部を有する基板を準備する工程と、外部端子の第2部分を配線部に接触させ、発光素子と配線部とを接合する工程と、発光素子と配線部とを接合する工程の後、第1部分の側面と、第2部分の側面とに連続するめっきを形成する工程とを備える。第2部分の厚さは5μm以下である。第1部分と配線部との間の空間において、配線部上に形成されるめっきと、第1部分上に形成されるめっきとが接するように、めっきを形成する。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
半導体構造体と、前記半導体構造体に電気的に接続された電極と、前記電極と電気的に接続された外部端子であって、前記半導体構造体側に位置する第１部分と、前記第１部分上に配置され、平面視において前記第１部分よりも面積が小さい第２部分とを有する外部端子と、を有する発光素子を準備する工程と、
絶縁基材と、前記絶縁基材の上面に配置された配線部とを有する基板を準備する工程と、
前記外部端子の前記第２部分を前記配線部に接触させ、前記発光素子と前記配線部とを接合する工程と、
前記発光素子と前記配線部とを接合する工程の後、前記第１部分の側面と、前記第２部分の側面とに連続するめっきを形成する工程と、
を備え、
前記第２部分の厚さは、５μｍ以下であり、
前記めっきを形成する工程において、前記第１部分と前記配線部との間の空間において、前記配線部上に形成されるめっきと、前記第１部分上に形成されるめっきとが接するように前記めっきを形成する、発光装置の製造方法。
続きを表示（約 990 文字）【請求項２】
平面視において、前記第２部分の中心と前記発光素子の中心との第２距離は、前記第１部分の中心と前記発光素子の中心との第１距離よりも短い、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
平面視において、前記第２部分の面積は前記第１部分の面積の８０％以下である、請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２部分の厚さは、前記第１部分の厚さよりも薄い、請求項１～３のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体構造体は、ｎ側半導体層と、ｐ側半導体層と、前記ｎ側半導体層と前記ｐ側半導体層との間に位置する活性層と、を有し、
前記電極は、前記ｎ側半導体層に電気的に接続されたｎ側電極と、前記ｐ側半導体層に電気的に接続されたｐ側電極と、を有し、
前記外部端子は、前記ｎ側電極と電気的に接続されたｎ側外部端子と、前記ｐ側電極と電気的に接続されたｐ側外部端子と、を有し、
前記ｎ側外部端子の前記第２部分の前記側面に形成された前記めっきのうち、前記ｐ側外部端子側に位置する前記めっきの厚さは、前記ｐ側外部端子とは反対側に位置する前記めっきの厚さよりも薄い、及び／又は、
前記ｐ側外部端子の前記第２部分の前記側面に形成された前記めっきのうち、前記ｎ側外部端子側に位置する前記めっきの厚さは、前記ｎ側外部端子とは反対側に位置する前記めっきの厚さよりも薄い、請求項１～３のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体構造体は、ｎ側半導体層と、ｐ側半導体層と、前記ｎ側半導体層と前記ｐ側半導体層との間に位置する活性層と、を有し、
前記電極は、前記ｎ側半導体層に電気的に接続されたｎ側電極と、前記ｐ側半導体層に電気的に接続されたｐ側電極と、を有し、
前記外部端子は、前記ｎ側電極と電気的に接続されたｎ側外部端子と、前記ｐ側電極と電気的に接続されたｐ側外部端子と、を有し、
前記ｎ側外部端子及び前記ｐ側外部端子は、前記ｎ側半導体層と前記ｎ側電極とが電気的に接続される位置及び前記ｐ側半導体層と前記ｐ側電極とが電気的に接続される位置に、平面視において重ならない、請求項１～３のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１には、半導体素子の金属バンプと、絶縁性基板の配線とを接合させることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平９－１２９６４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、発光素子と、基板の配線部との接合強度を高くできる発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、発光装置の製造方法は、半導体構造体と、前記半導体構造体に電気的に接続された電極と、前記電極と電気的に接続された外部端子であって、前記半導体構造体側に位置する第１部分と、前記第１部分上に配置され、平面視において前記第１部分よりも面積が小さい第２部分とを有する外部端子と、を有する発光素子を準備する工程と、絶縁基材と、前記絶縁基材の上面に配置された配線部とを有する基板を準備する工程と、前記外部端子の前記第２部分を前記配線部に接触させ、前記発光素子と前記配線部とを接合する工程と、前記発光素子と前記配線部とを接合する工程の後、前記第１部分の側面と、前記第２部分の側面とに連続するめっきを形成する工程と、を備え、前記第２部分の厚さは、５μｍ以下であり、前記めっきを形成する工程において、前記第１部分と前記配線部との間の空間において、前記配線部上に形成されるめっきと、前記第１部分上に形成されるめっきとが接するように前記めっきを形成する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、発光素子と、基板の配線部との接合強度を高くできる発光装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態の発光装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
実施形態の発光装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
実施形態の発光装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
実施形態の発光装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
実施形態の発光素子の模式平面図である。
図５のＶI-ＶI線における模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。各図面中、同じ構成には同じ符号を付している。なお、各図面は、実施形態を模式的に示したものであるため、各部材のスケール、間隔若しくは位置関係などが誇張、又は部材の一部の図示を省略する場合がある。また、断面図として、切断面のみを示す端面図を示す場合がある。
【０００９】
以下の説明において、実質的に同じ機能を有する構成要素は共通の参照符号で示し、説明を省略することがある。また、特定の方向又は位置を示す用語（例えば、「上」、「下」及びそれらの用語を含む別の用語）を用いる場合がある。しかしながら、それらの用語は、参照した図面における相対的な方向又は位置を分かり易さのために用いているに過ぎない。参照した図面における「上」、「下」等の用語による相対的な方向又は位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。
【００１０】
実施形態の発光装置の製造方法は、発光素子を準備する工程と、基板を準備する工程と、発光素子と基板の配線部とを接合する工程と、めっきを形成する工程とを備える。以下、各工程について説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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