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公開番号2025079604
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-22
出願番号2023192391
出願日2023-11-10
発明の名称半導体基板
出願人日本特殊陶業株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 23/34 20060101AFI20250515BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体基板において、基材と金属部材との密着性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板は、基材と、非磁性材料を含み、非磁性を有する金属部材と、金属部材上に形成された導電膜であって、金属部材に含まれる非磁性材料と同じ材料からなる導電膜と、金属部材のうちの導電膜が形成されている側を基材と接合する接合部であって、非磁性材料からなる接合部と、を備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体基板であって、
基材と、
非磁性材料を含み、非磁性を有する金属部材と、
前記金属部材上に形成された導電膜であって、前記金属部材に含まれる非磁性材料と同じ材料からなる導電膜と、
前記金属部材のうちの前記導電膜が形成されている側を前記基材と接合する接合部であって、非磁性材料からなる接合部と、を備える、
半導体基板。
続きを表示（約 290 文字）【請求項２】
請求項１に記載の半導体基板であって、
前記基材は、
非磁性材料からなる絶縁部材と、
前記絶縁部材上に形成された非磁性膜と、を備える、
半導体基板。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体基板は、さらに、
前記導電膜と前記接合部との間に形成されたバリア膜を備える、
半導体基板。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の半導体基板であって、
前記金属部材は、タングステンと銅との合金からなり、
前記導電膜は、銅からなる、
半導体基板。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
従来から、基材に金属部材が接合されている半導体基板が知られている（例えば、特許文献１，２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許６６２９３１７号公報
特許６８８３５１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１，２のような先行技術によっても、半導体基板において、基材と金属部材との密着性を向上させる技術については、なお、改善の余地があった。
【０００５】
本発明は、半導体基板において、基材と金属部材との密着性を向上させる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
【０００７】
（１）本発明の一形態によれば、半導体基板が提供される。この半導体基板は、基材と、非磁性材料を含み、非磁性を有する金属部材と、前記金属部材上に形成された導電膜であって、前記金属部材に含まれる非磁性材料と同じ材料からなる導電膜と、前記金属部材のうちの前記導電膜が形成されている側を前記基材と接合する接合部であって、非磁性材料からなる接合部と、を備える。
【０００８】
この構成によれば、金属部材上に形成された導電膜は、金属部材に含まれる非磁性材料と同じ材料からなる。これにより、金属部材と導電膜との密着性が向上するため、導電膜と接合部とを介して接合される基材と金属部材との密着性を向上させることができる。
【０００９】
（２）上記形態の半導体基板において、前記基材は、非磁性材料からなる絶縁部材と、前記絶縁部材上に形成された非磁性膜と、を備えてもよい。この構成によれば、基材は、非磁性材料からなる絶縁部材と、絶縁部材上に形成された非磁性膜と、を備えるため、非磁性を有する。これにより、非磁性を有する基材と非磁性を有する金属部材とが、非磁性材料からなる接合部によって接合されることで、半導体基板は、非磁性を有する。したがって、半導体基板の全体が磁界による影響を受けにくくなるため、非磁性が必要な分野に適用することができる。
【００１０】
（３）上記形態の半導体基板は、さらに、前記導電膜と前記接合部との間に形成されたバリア膜を備えてもよい。この構成によれば、導電膜と接合部との間に形成されたバリア膜は、接合部に含まれる材料が導電膜に拡散することを抑制することができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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