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公開番号2025084256
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-03
出願番号2023198020
出願日2023-11-22
発明の名称半導体熱処理部材
出願人クアーズテック合同会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/26 20060101AFI20250527BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】熱均一性を高めることができる半導体熱処理部材を提供する。
【解決手段】半導体熱処理部材10は、ウエハWを保持するものであり、半導体熱処理装置の内部に配置されて用いられる。半導体熱処理部材10は、例えば、リング状であり、枠部11と、枠部11の内側に形成され、ウエハWを積載するためのウエハ保持部12とを有している。ウエハ保持部12の上面は、ウエハWを積載するウエハ積載面12Aとされている。ウエハ積載面12Aは、半導体熱処理部材10が半導体熱処理装置の内部に配置された際に、水平面に対して11度以上20度以下の傾斜角度θを有するように構成されている。ウエハ積載面12Aには、周方向に間隔を開けて、4個以上16個以下の溝12Bが設けられている。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
半導体熱処理装置の内部に配置され、ウエハを保持するリング状の半導体熱処理部材であって、
前記ウエハを積載するウエハ積載面を有し、
前記ウエハ積載面は、前記半導体熱処理装置の内部に配置された際に、水平面に対して１１度以上２０度以下の傾斜角度を有し、
前記ウエハ積載面には、周方向に間隔を開けて、４個以上１６個以下の溝が設けられた
ことを特徴とする半導体熱処理部材。
続きを表示（約 150 文字）【請求項２】
前記各溝は、深さが０．０５ｍｍ以上０．１０ｍｍ以下、幅が５ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体熱処理部材。
【請求項３】
炭化珪素よりなる基材の表面に酸化膜が形成されたものにより構成されたことを特徴とする請求項１記載の半導体熱処理部材。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体熱処理装置の内部に配置され、ウエハを保持するリング状の半導体熱処理部材に関するものである。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体の製造工程において、半導体熱処理装置を用いてウエハを熱処理する技術としてＲＴＰ（ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＰｒｏｃｅｓｓ；急速加熱処理）装置が用いられるようになってきている。ＲＴＰ装置は、ランプ加熱を用いた加熱方式で、数十秒でウエハを１０００℃以上に急速加熱できると共に、ランプを制御することにより面内均一性の良好な酸化膜を成膜できることを特徴としている。ＲＴＰ装置の処理室では、例えば、図６に示したようなリング状の炭化珪素からなる半導体熱処理部材１００を用いてウエハＷを保持し、熱処理を行っている。これは、炭化珪素が高い耐熱性と熱伝導率を有することから、ウエハを均一に加熱することができて破損しにくいからである。また、ウエハＷを積載するウエハ積載面１０１は、例えば、ウエハＷを積載した際に、ウエハＷの表面と略平行となるように形成されている。
【０００３】
ところが、例えば、１２インチのウエハＷは重いので、半導体熱処理部材１００のウエハ積載面１０１の内側エッジで保持されると大きく湾曲してしまう。そのため、ウエハＷが半導体熱処理部材１００に大きな力で接触することになり、ウエハＷの底面にスクラッチを付けやすくなる。スクラッチが発生するとウエハＷの結晶構造中の欠陥ではすべり（ｓｌｉｐ）が生じやすくなるため、スクラッチが発生することは好ましくない。そこで、例えば、特許文献１には、ウエハにスクラッチを発生しにくくするために、ウエハ積載面に約１度から約１０度の傾斜をつけて、ウエハのエッジ部がウエハ積載面と接触するようにした半導体処理部材が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開平１０－１７３０３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の半導体熱処理部材では、スクラッチの発生は抑制することができるものの、酸化膜の面内均一性が不十分であるという問題があった。ＲＴＰ装置等の半導体熱処理装置では、半導体熱処理部材のウエハ積載面とウエハとが接触することにより、ウエハ積載面からウエハに熱が伝わる。そのため、酸化膜の成膜を均一にするためには、ウエハ面内の熱均一性を高めることが求められ、ウエハ面内の熱均一性を高めるためには、ウエハ積載面とウエハの接触面を少なくすることが求められる。
【０００６】
本発明は、このような問題に基づきなされたものであり、熱均一性を高めることができる半導体熱処理部材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体熱処理部材は、半導体熱処理装置の内部に配置され、ウエハを保持するリング状のものであって、ウエハを積載するウエハ積載面を有し、ウエハ積載面は、半導体熱処理装置の内部に配置された際に、水平面に対して１１度以上２０度以下の傾斜角度を有し、ウエハ積載面には、周方向に間隔を開けて、４個以上１６個以下の溝が設けられたものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の半導体熱処理部材によれば、半導体熱処理装置に配置された際にウエハ積載面が水平面に対して１１度以上２０度以下の傾斜角度を有するようにし、かつ、ウエハ積載面に４個以上１６個以下の溝を周方向に間隔を開けて設けるようにしたので、ウエハ積載面とウエハとが接触する面積を小さくすることができる。よって、ウエハの熱均一性を高めることができ、酸化膜厚のばらつきを小さくすることができる。
【０００９】
特に、各溝について、深さを０．０５ｍｍ以上０．１０ｍｍ以下、幅を５ｍｍ以上１０ｍｍ以下とするようにすれば、より高い効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本発明の一実施の形態に係る半導体熱処理部材の全体構成を表す図である。
図１に示したＩ－Ｉ線に沿った断面構成を表す図である。
図１に示したＩ－Ｉ線に沿った断面構成を表す他の図である。
図１に示したＩＩ－ＩＩ線に沿った断面構成を表す図である。
図１に示した半導体熱処理部材を用いてウエハを熱処理する半導体熱処理装置の構成を表す図である。
従来の半導体熱処理部材の構成例を表す図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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