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公開番号2025080484
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-26
出願番号2023193656
出願日2023-11-14
発明の名称半導体装置
出願人富士電機株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 25/07 20060101AFI20250519BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】導電基板上に設けられた半導体チップとプリント基板との電気的接続を行う構成において、サイズを小さくすることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、導電基板1aと、導電基板1a上に設けられた複数の半導体チップと、導電基板1a上に設けられた第1導電層12f、第1導電層12f上に設けられた絶縁層11、及び絶縁層11上に設けられ、複数の半導体チップの第1電極に電気的に接続された第2導電層12aを有するプリント基板と、第2導電層12a上に設けられ、第2導電層12aの上方に延伸する第1外部端子4aと、を備える。
【選択図】図10
特許請求の範囲【請求項１】
導電基板と、
第１電極を有し、前記導電基板上に設けられた複数の半導体チップと、
前記導電基板上に設けられた第１導電層、前記第１導電層上に設けられた絶縁層、及び前記絶縁層上に設けられ、前記複数の半導体チップの前記第１電極に電気的に接続された第２導電層を有するプリント基板と、
前記第２導電層上に設けられ、前記第２導電層の上方に延伸する第１外部端子と、
を備える半導体装置。
続きを表示（約 700 文字）【請求項２】
前記第１外部端子が、
前記第２導電層上に設けられた支持部と、
前記支持部に支持され、前記第２導電層の上方に延伸する延伸部と、
を備える
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記支持部が開口部を有し、
前記延伸部の端部が前記開口部に圧入されている
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁層は、
前記複数の半導体チップの間を一方向に延伸する第１領域と、
前記第１領域に直交する方向に延伸する第２領域と、
を備える平面パターンを有する
請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２導電層は、前記第１領域及び前記第２領域にまたがって設けられている
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２導電層は、前記第２領域上に複数並んで設けられ、
前記第１外部端子は、前記複数の第２導電層上に各々設けられ、前記複数の第１外部端子は列を成している
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記複数の半導体チップは、更に第２電極を有し、
前記複数の半導体チップを封止する封止樹脂と、
前記複数の半導体チップの前記第２電極に電気的に接続された第２外部端子と、
を更に備え、
前記第１外部端子の一部が前記封止樹脂の上面から突出し、
前記第２外部端子の一部が前記封止樹脂の側面から突出する
請求項１又は２に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、パワー半導体素子を搭載する半導体装置（パワー半導体モジュール）に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１及び特許文献２のそれぞれには、主面金属層上に絶縁層を介してゲート層が配置され、ゲート層にボンディングワイヤを介してゲート端子が接続された構成が開示されている。特許文献３には、絶縁回路基板が、セラミックス基板と、該セラミックス基板の一方の面に形成された回路層とを備え、回路層が、セラミックス基板の一方の面に接合された第１回路層と、該第１回路層の表面に接合された第２回路層とを有する積層構造とした構成が開示されている。
【０００３】
特許文献４には、セラミックス母材の両面のそれぞれと同種材料からなる同形状かつ同厚の金属板との間に接合材を挟んで配置し、これらの積層体をその積層方向に加圧及び加熱することにより接合した後、該積層体を冷却することによりセラミックス母材を介して対称形状の回路層及び金属層を形成する方法が開示されている。特許文献５には、セラミックス基板の一方の面に回路パターンが形成された回路層が接合され、他方の面に金属層が接合されてなる絶縁回路基板であって、回路層が、セラミックス基板に接合された第１回路層と、第１回路層の上面に接合された第２回路層とを有し、金属層が、セラミックス基板に接合された第１金属層と、第１金属層の上面に接合された第２金属層とを有する構成が開示されている。
【０００４】
特許文献６には、第１の導体層、第１の絶縁基板、第２の導体層及び第２の絶縁基板の順序で積層され、第２の絶縁基板上に第３の導体層及び第４の導体層が積層された構成が開示されている。特許文献７には、放熱板と、放熱板に固定された絶縁層と、絶縁層の放熱板とは反対側の面に固定された導電性の配線回路部とを具備し、絶縁層は少なくとも一層の樹脂層を備え、放熱板と配線回路部の熱膨張係数及び厚さが同一である配線基板が開示されている。
【０００５】
特許文献８には、絶縁基板と、絶縁基板上に配置された第１伝熱体及び第２伝熱体と、第１伝熱体及び第２伝熱体上に配置された第１基板及び第２基板と、第１基板及び第２基板上に配置された第１信号端子及び第２信号端子を有する構成が開示されている。特許文献９には、導電板上に基板を介してゲート層が配置され、ゲート層にボンディングワイヤを介してゲート端子が接続された構成が開示されている。
【０００６】
特許文献１０には、配線層上に絶縁板を介してゲート配線層が配置され、ゲート配線層にワイヤを介してゲート端子が接続された構成が開示されている。特許文献１１には、導電部材上に絶縁基板を介してゲート層が配置され、ゲート層にワイヤを介してゲート端子が接続された構成が開示されている。
【０００７】
特許文献１２には、導体板上に絶縁板を介して制御信号用パターンが配置され、制御信号用パターンにボンディングワイヤを介して制御信号端子が接続された構成が開示されている。特許文献１３には、ゲート電極端子が複数のチップ間の下方を延伸する構成が開示されている。
【０００８】
特許文献１４には、ゲート端子の端部とゲート中継層がゲート配線によって接続された構成が開示されている。特許文献１５には、半導体チップの間に配置され、ゲート配線層及びソース配線層を有する制御配線基板を備え、ゲート端子とゲート配線層が、ゲート配線ゲート配線によって接続された構成が開示されている。
【０００９】
特許文献１６には、基板と、基板上に設けられる第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子と、基板に設けられ、第１スイッチング素子の信号端子に接続される導体線とを備えた構成が開示されている。特許文献１７には、窒化珪素基板の両面に金属板を接合した窒化珪素回路基板において、窒化珪素基板に反りが形成された構成が開示されている。
【００１０】
特許文献１８及び特許文献１９のそれぞれには、プリント配線板の両側に半導体チップを配置した構成が開示されている。特許文献２０には、アルミ板上に接着樹脂を介してリードパターンが設けられ、リードパターンの貫通孔にプレスフィット部を有する挿入端子が挿入された構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
（【００１１】以降は省略されています）

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