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公開番号2025084570
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-03
出願番号2023198566
出願日2023-11-22
発明の名称熱伝導性樹脂組成物、及び半導体装置
出願人住友ベークライト株式会社
代理人個人
主分類C08L 101/00 20060101AFI20250527BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約【課題】フィラーとして炭化ケイ素粒子を含み、かつ絶縁性に優れる熱伝導性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】熱硬化性樹脂と、フィラーを含み、フィラーは、炭化ケイ素を含む炭化ケイ素粒子を含み、炭化ケイ素粒子は、表面の少なくとも一部に、炭化ケイ素よりも体積抵抗率が高い絶縁性材料を含有する領域を有する、熱伝導性樹脂組成物。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
熱硬化性樹脂と、フィラーを含み、
前記フィラーは、炭化ケイ素を含む炭化ケイ素粒子を含み、
前記炭化ケイ素粒子は、表面の少なくとも一部に、炭化ケイ素よりも体積抵抗率が高い絶縁性材料を含有する領域を有する、熱伝導性樹脂組成物。
続きを表示（約 730 文字）【請求項２】
前記炭化ケイ素粒子の含有量は、前記フィラー１００体積％に対して、３０体積％以下である、
請求項１に記載の熱伝導性樹脂組成物。
【請求項３】
前記絶縁性材料は、二酸化ケイ素を含む、
請求項１又は２に記載の熱伝導性樹脂組成物。
【請求項４】
シラン系カップリング剤をさらに含む、
請求項３に記載の熱伝導性樹脂組成物。
【請求項５】
少なくとも一部の前記炭化ケイ素粒子は、表面全体が前記絶縁性材料を含む膜によって覆われている、
請求項１又は２に記載の熱伝導性樹脂組成物。
【請求項６】
前記炭化ケイ素粒子の粒径クラス４５μｍ以上における球形度は、０．８以上である、
請求項１又は２に記載の熱伝導性樹脂組成物。
【請求項７】
前記炭化ケイ素粒子の５０％体積累積粒径Ｄ５０は、４０μｍ以上６０μｍ以下である、
請求項１又は２に記載の熱伝導性樹脂組成物。
【請求項８】
回路素子を封止するために用いられる、
請求項１又は２に記載の熱伝導性樹脂組成物。
【請求項９】
半導体素子を搭載するための回路層と、前記回路層を保持する基板とを含む半導体装置において、前記回路層と前記基板を接着するために用いられる、
請求項１又は２に記載の熱伝導性樹脂組成物。
【請求項１０】
半導体素子を搭載するための回路層と、前記回路層を保持する基板とを含む半導体装置であって、前記回路層と前記基板が請求項１又は２に記載の熱伝導性樹脂組成物によって接着されている、半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱伝導性樹脂組成物、及び半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化及び高機能化が進むにつれ、半導体装置における基板には、半導体素子が発生した熱を放熱させるために十分な放熱性が求められてきている。
【０００３】
特許文献１には、ペースト状樹脂組成物を使用した回路基板であって、ペースト状樹脂組成物中に炭化ケイ素を含む、熱伝導性フィラーを含むことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特許第７０５６６４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば半導体素子を封止する樹脂などには、熱伝導性と絶縁性の双方が求められる。樹脂の熱伝導率を高める方法の一例には、フィラーとして炭化ケイ素を用いることがある。しかしながら、炭化ケイ素をフィラーとして用いる場合、絶縁性が低下する可能性がある。
【０００６】
本発明が解決しようとする課題の一例は、フィラーとして炭化ケイ素粒子を含み、かつ絶縁性に優れる熱伝導性樹脂組成物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、以下の熱伝導性樹脂組成物、及び半導体装置が提供される。
［１］
熱硬化性樹脂と、フィラーを含み、
前記フィラーは、炭化ケイ素を含む炭化ケイ素粒子を含み、
前記炭化ケイ素粒子は、表面の少なくとも一部に、炭化ケイ素よりも体積抵抗率が高い絶縁性材料を含有する領域を有する、熱伝導性樹脂組成物。
［２］
前記炭化ケイ素粒子の含有量は、前記フィラー１００体積％に対して、３０体積％以下である、
［１］に記載の熱伝導性樹脂組成物。
［３］
前記絶縁性材料は、二酸化ケイ素を含む、
［１］又は［２］に記載の熱伝導性樹脂組成物。
［４］
シラン系カップリング剤をさらに含む、
［３］に記載の熱伝導性樹脂組成物。
［５］
少なくとも一部の前記炭化ケイ素粒子は、表面全体が前記絶縁性材料を含む膜によって覆われている、
［１］乃至［４］のいずれかに記載の熱伝導性樹脂組成物。
［６］
前記炭化ケイ素粒子の粒径クラス４５μｍ以上における球形度は、０．８以上である、
［１］乃至［５］のいずれかに記載の熱伝導性樹脂組成物。
［７］
前記炭化ケイ素粒子の５０％体積累積粒径Ｄ５０は、４０μｍ以上６０μｍ以下である、
［１］乃至［６］のいずれかに記載の熱伝導性樹脂組成物。
［８］
回路素子を封止するために用いられる、
［１］乃至［７］のいずれかに記載の熱伝導性樹脂組成物。
［９］
半導体素子を搭載するための回路層と、前記回路層を保持する基板とを含む半導体装置において、前記回路層と前記ベース基板を接着するために用いられる、
［１］乃至［８］のいずれかに記載の熱伝導性樹脂組成物。
［１０］
半導体素子を搭載するための回路層と、前記回路層を保持する基板とを含む半導体装置であって、前記回路層と前記ベース基板が［１］乃至［８］のいずれかに記載の熱伝導性樹脂組成物によって接着されている、半導体装置。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、フィラーとして炭化ケイ素粒子を含み、かつ絶縁性に優れる熱伝導性樹脂組成物を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本実施形態に係る半導体装置の一例の断面図を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。
（【００１１】以降は省略されています）

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