TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
公開番号
2025091769
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-06-19
出願番号
2023207222
出願日
2023-12-07
発明の名称
磁性薄膜チップ、磁気測定装置及び磁性薄膜チップの製造方法
出願人
個人
代理人
個人
,
個人
主分類
H10N
50/10 20230101AFI20250612BHJP()
要約
【課題】高いAMR比を有することができる磁性薄膜チップを提供する。
【解決手段】本発明に係る磁性薄膜チップは、有機基板と、前記有機基板の主面に設けられた、矩形状の平面形状を有する磁性薄膜と、有し、前記磁性薄膜の表面の算術平均粗さRaが、0.65nm以下である。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
有機基板と、
前記有機基板の主面に設けられた、矩形状の平面形状を有する磁性薄膜と、
有し、
前記磁性薄膜の表面の算術平均粗さRaが、0.65nm以下である、磁性薄膜チップ。
続きを表示(約 560 文字)
【請求項2】
前記有機基板の表面の算術平均粗さRaが、0.8nm以下である、請求項1に記載の磁性薄膜チップ。
【請求項3】
前記磁性薄膜の表面の算術平均粗さと前記有機基板の表面の算術平均粗さとの比が、1.0以下である、請求項1に記載の磁性薄膜チップ。
【請求項4】
前記有機基板のヤング率が、3000MPa以上である、請求項1に記載の磁性薄膜チップ。
【請求項5】
前記有機基板の耐熱プロセス温度が、300℃以上である、請求項1に記載の磁性薄膜チップ。
【請求項6】
前記有機基板が、主面にポリイミド系樹脂層を有するポリイミドフィルムである、請求項1に記載の磁性薄膜チップ。
【請求項7】
前記磁性薄膜の厚さが、10nm~150nmである、請求項1に記載の磁性薄膜チップ。
【請求項8】
前記磁性薄膜は、軟磁性材料を含む、請求項1に記載の磁性薄膜チップ。
【請求項9】
前記磁性薄膜は、Ni-Fe系合金を含む、請求項1に記載の磁性薄膜チップ。
【請求項10】
前記磁性薄膜のNi含有量が、75at%~85at%である、請求項9に記載の磁性薄膜チップ。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁性薄膜チップ、磁気測定装置及び磁性薄膜チップの製造方法に関する。
続きを表示(約 1,200 文字)
【背景技術】
【0002】
基板上に磁性薄膜を有する磁性薄膜チップは、磁性薄膜において、異方性磁気抵抗(AMR)効果、巨大磁気抵抗(GMR)効果、トンネル磁気抵抗(TMR)効果などのように、磁界による電気抵抗(磁気抵抗)の変化を生じる効果(磁気抵抗効果)を利用して、センサ、情報記録媒体、ディスプレイなどにおいて広く使用されている。
【0003】
磁性薄膜チップの中でも、柔軟性を有する有機基板を基板として用い、単層の磁性薄膜で磁気抵抗効果としてAMR効果を発現する磁性薄膜チップの開発が検討されている。有機基板を基板として用いた磁性薄膜チップは、被検体の形状に沿って湾曲し易く、柔軟に形状を変形させ易いため、フレキシブル磁気センサとして様々な用途への適用が期待されている。
【0004】
有機基板を基板として用い、磁性薄膜のAMR効果を利用した磁性薄膜チップとして、例えば、ポリカーボネート基板上に、Ni又はNi
78
Fe
22
などの磁性薄膜を成膜し、磁性薄膜のAMR比が最大で0.42%程度を示すAMRセンサが開示されている(例えば、非特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0005】
Y. Ohashi et al., Journal of Magnetism and Magnetic Materials, Vol. 570, 170497,2023
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
ここで、非特許文献1のAMRセンサなどのように、有機基板上に形成した磁性薄膜のAMR効果を利用した磁性薄膜チップの感度をさらに高めるためには、磁性薄膜においてさらに高いAMR比を有する磁性薄膜チップが希求されている。
【0007】
本発明の一態様は、高いAMR比を有することができる磁性薄膜チップを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一態様は、
有機基板と、
前記有機基板の主面に設けられた、矩形状の平面形状を有する磁性薄膜と、
有し、
前記磁性薄膜の表面の算術平均粗さRaが、0.65nm以下である、磁性薄膜チップである。
【0009】
本発明の他の態様は、
有機基板の主面に、矩形状の平面形状を有する磁性薄膜を形成する磁性薄膜形成工程を含み、
前記磁性薄膜の表面の算術平均粗さRaが、0.65nm以下である磁性薄膜チップの製造方法である。
【発明の効果】
【0010】
本発明の一態様に係る磁性薄膜チップは、高いAMR比を有することができる。
【図面の簡単な説明】
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPatで参照する
関連特許
東レ株式会社
太陽電池の製造方法
12日前
富士電機株式会社
半導体装置
26日前
ローム株式会社
半導体発光装置
11日前
ローム株式会社
半導体装置
10日前
ローム株式会社
半導体装置
19日前
株式会社村田製作所
電子部品
12日前
三菱電機株式会社
半導体装置
12日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
11日前
株式会社エレックス
発光装置の製造方法
10日前
株式会社カネカ
太陽電池モジュール
16日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
17日前
株式会社エネコートテクノロジーズ
太陽電池
12日前
ローム株式会社
半導体装置
23日前
ローム株式会社
半導体装置
26日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法
11日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法
4日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
3日前
ローム株式会社
縦型ホール素子
25日前
株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置、及び表示装置
3日前
ローム株式会社
半導体発光装置
13日前
エイブリック株式会社
分圧回路及びそれを用いた半導体装置
11日前
富士電機株式会社
半導体装置および半導体モジュール
10日前
株式会社デンソー
半導体装置
23日前
新電元工業株式会社
半導体装置及びその製造方法
5日前
新電元工業株式会社
半導体装置及びその製造方法
25日前
TDK株式会社
電子デバイス
12日前
キヤノン株式会社
光学センサ
16日前
浜松ホトニクス株式会社
光検出素子
17日前
株式会社ニコン
半導体素子および撮像装置
3日前
富士電機株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
25日前
株式会社デンソー
半導体素子
17日前
キヤノン株式会社
光電変換装置
11日前
キヤノン株式会社
光電変換装置
11日前
ミネベアパワーデバイス株式会社
半導体装置
3日前
ミネベアパワーデバイス株式会社
半導体装置
5日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光装置用材料および発光デバイス
11日前
続きを見る
他の特許を見る