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公開番号2025092622
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-19
出願番号2025054901,2023103990
出願日2025-03-28,2010-07-27
発明の名称液晶表示装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類H10D 30/67 20250101AFI20250612BHJP()
要約【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを
課題の一とする。
【解決手段】ボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化
物半導体層の一部にチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その酸化物絶縁層の形
成時に酸化物半導体層の周縁部(側面を含む)を覆う酸化物絶縁層を形成する。酸化物半
導体層の周縁部(側面を含む)を覆う酸化物絶縁層は、ゲート電極層と、その上方または
周辺に形成される配線層(ソース配線層や容量配線層など)との距離を大きくし、寄生容
量の低減を図る。酸化物半導体層の周縁部を覆う酸化物絶縁層は、チャネル保護層と同一
工程で形成されるため、工程数の増加なく、寄生容量を低減できる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に酸化物絶縁層と、
前記酸化物絶縁層上にソース電極層またはドレイン電極層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物絶縁層と接する第１の領域と、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と接する第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記ゲート電極層と前記ゲート絶縁層を介して重なるチャネル形成領域と、前記酸化物半導体層の周縁及び側面を覆う前記酸化物絶縁層と重なる領域と、を有し、
前記酸化物半導体層の端面は、前記酸化物絶縁層を介して前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と重なる半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
酸化物半導体を用いる半導体装置及びその作製方法に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指し、表示装置などの電気光学装置、半導体回路及び電子機器は全て半導体装置で
ある。
【背景技術】
【０００３】
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数～数百ｎｍ程度）を用い
て薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタはＩ
Ｃや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチン
グ素子として開発が急がれている。金属酸化物は多様に存在しさまざまな用途に用いられ
ている。酸化インジウムはよく知られた材料であり、液晶ディスプレイなどで必要とされ
る透明電極材料として用いられている。
【０００４】
金属酸化物の中には半導体特性を示すものがある。半導体特性を示す金属酸化物としては
、例えば、酸化タングステン、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛などがあり、このよう
な半導体特性を示す金属酸化物をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタが既に知られ
ている（特許文献１及び特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２００７－１２３８６１号公報
特開２００７－９６０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
絶縁表面上に複数の薄膜トランジスタを作製する場合、例えばゲート配線とソース配線と
で交差する部分がある。交差する部分には、ゲート配線と、該ゲート配線と電位が異なる
ソース配線の間に絶縁層が設けられ、該絶縁層が誘電体となって容量が形成される。この
容量は、配線間の寄生容量とも呼ばれ、信号波形のなまりが生じる恐れがある。また、寄
生容量が大きいと信号の伝達が遅くなる恐れがある。
【０００７】
また、寄生容量の増加は、配線間で電気信号が漏れてしまうクロストーク現象や、消費電
力の増大に繋がる。
【０００８】
また、アクティブマトリクス型の表示装置において、特に映像信号を供給する信号配線と
、他の配線または電極との間に大きな寄生容量が形成されると、表示品質が低下する恐れ
がある。
【０００９】
また、回路の微細化を図る場合においても、配線間隔が狭くなり、配線間の寄生容量が増
加する恐れがある。
【００１０】
本発明の一態様は、配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供
することを課題の一とする。
（【００１１】以降は省略されています）

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