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公開番号2025097483
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-01
出願番号2023213700
出願日2023-12-19
発明の名称クロムシリサイド膜及びその製造方法
出願人東ソー株式会社
代理人
主分類H01C 7/00 20060101AFI20250624BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】
従来のクロムシリサイドの抵抗膜と比べ、温度変化による抵抗率の変化が小さく、なおかつ、光透過性にも優れるクロムシリサイド膜を有する膜付基板及びその製造方法の少なくともいずれかを提供することを目的とする。
【解決手段】
クロム、シリコン、窒素及び酸素を含有し、なおかつ、膜厚が300nm以下であるクロムシリサイド膜、並びに、基板を備えることを特徴とする、膜付基板。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
クロム、シリコン、窒素及び酸素を含有し、なおかつ、膜厚が３００ｎｍ以下であるクロムシリサイド膜、並びに、基板を備えることを特徴とする、膜付基板。
続きを表示（約 660 文字）【請求項２】
前記クロムシリサイド膜は、クロム、シリコン、窒素及び酸素の合計含有量が１００ａｔｍ％であり、なおかつ、クロムの含有量が１０ａｔｏｍ％以上３０ａｔｏｍ％以下、シリコンの含有量が３０ａｔｏｍ％以上６０ａｔｏｍ％以下、窒素の含有量が１ａｔｏｍ％以上４０ａｔｏｍ％以下、及び、酸素の含有量が１ａｔｏｍ％以上１０ａｔｏｍ％以下である、請求項１に記載の膜付基板。
【請求項３】
前記基板が、平均全光線透過率が８０％以上の基板である、請求項１又は請求項２に記載の膜付基板。
【請求項４】
前記クロムシリサイド膜の４０℃から１５０℃までの温度範囲における平均｜ＴＣＲ｜が０ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下である、請求項１又は請求項２に記載の膜付基板。
【請求項５】
前記クロムシリサイド膜の３０℃での抵抗率が３０００μΩ・ｃｍ以上である、請求項１又は請求項２に記載の膜付基板。
【請求項６】
クロム及びシリコンを含有するスパッタリングターゲットを使用し、窒素及び酸素含有雰囲気で、基板にクロムシリサイド膜をスパッタリング成膜する成膜工程、並びに、クロムシリサイド膜を備える膜付基板を加熱処理する加熱処理工程を有する、請求項１又は請求項２に記載の膜付基板の製造方法。
【請求項７】
前記スパッタリング成膜の窒素ガス流量比が１以上１５以下であり、なおかつ、酸素ガス流量比が０．１以上５以下である、請求項６に記載の膜付基板の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、クロムシリサイド膜及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
クロムシリサイド（ＣｒＳｉ
２
）をはじめとするシリサイド材料は、その特性から半導体や太陽電池の用途においてシリサイド膜として使用されている。シリサイド材料は結晶相の状態を制御することによって、半導体特性又は金属特性のいずれかに特性が制御できることから各種センサーの抵抗膜として使用されている。
【０００３】
シリサイドの抵抗膜を備えたセンサーは、自動車など、室温～１５０℃程度の温度変化を伴う環境において適用されている。温度変化を伴う環境における検出精度向上のため、温度変化に依存しない抵抗特性を有するシリサイド膜が求められる。
【０００４】
さらに、シリサイド膜は、イメージセンサー等、抵抗特性に加え、光学特性も要求されるセンサーへの適用も期待されており、抵抗特性に加え、光学特性にも優れた抵抗膜としてシリサイド膜が検討されている。
【０００５】
例えば、特許文献１では、炭素及び酸素を含むクロムシリサイド膜及びこれを備えた抵抗素子が抵抗特性に優れることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開平０８－２６４３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１で開示された炭素及び酸素を含むクロムシリサイド膜を有する抵抗素子はシリコン基板又はセラミックス基板に形成された膜付基板からなるため、そもそも、光透過性を有さず、イメージセンサー等に適用し得る光学特性を有していなかった。
【０００８】
本開示は、従来のクロムシリサイドの抵抗膜と比べ、温度変化による抵抗率の変化が小さく、なおかつ、光透過性にも優れるクロムシリサイド膜を有する膜付基板及びその製造方法の少なくともいずれかを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、主としてクロム及びシリサイドからなるシリサイド膜からなる抵抗膜について、そのクロム及びケイ素以外の成分の影響に着目して検討した。その結果、特定の成分を含み、かつ、その成膜条件を制御することによりシリサイド膜の物性が制御され、抵抗膜として適した抵抗特性を有し、なおかつ、光学特性が良好なシリサイド膜を有する膜付基板となることを見出した。
【００１０】
すなわち、本発明は特許請求の範囲に記載の通りであり、また、本開示の要旨は以下の通りである。
［１］クロム、シリコン、窒素及び酸素を含有し、なおかつ、膜厚が３００ｎｍ以下であるクロムシリサイド膜、並びに、基板を備えることを特徴とする、膜付基板。
［２］前記クロムシリサイド膜は、クロム、シリコン、窒素及び酸素の合計含有量が１００ａｔｍ％であり、なおかつ、クロムの含有量が１０ａｔｏｍ％以上３０ａｔｏｍ％以下、シリコンの含有量が３０ａｔｏｍ％以上６０ａｔｏｍ％以下、窒素の含有量が１ａｔｏｍ％以上４０ａｔｏｍ％以下、及び、酸素の含有量が１ａｔｏｍ％以上１０ａｔｏｍ％以下である、上記［１］に記載の膜付基板。
［３］前記基板が、平均全光線透過率が８０％以上の基板である、上記［１］又は［２］に記載の膜付基板。
［４］前記クロムシリサイド膜の４０℃から１５０℃までの温度範囲における平均｜ＴＣＲ｜が０ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下である、上記［１］乃至［３］のいずれかひとつに記載の膜付基板。
［５］前記クロムシリサイド膜の３０℃での抵抗率が３０００μΩ・ｃｍ以上である、上記［１］乃至［４］のいずれかひとつに記載の膜付基板。
［６］クロム及びシリコンを含有するスパッタリングターゲットを使用し、窒素及び酸素含有雰囲気で、基板にクロムシリサイド膜をスパッタリング成膜する成膜工程、並びに、クロムシリサイド膜を備える膜付基板を加熱処理する加熱処理工程を有する、上記［１］乃至［５］のいずれかひとつに記載の膜付基板の製造方法。
［７］前記スパッタリング成膜の窒素ガス流量比が１以上１５以下であり、なおかつ、酸素ガス流量比が０．１以上５以下である、上記［６］に記載の膜付基板の製造方法。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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