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公開番号2025118125
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-13
出願番号2024013260
出願日2024-01-31
発明の名称半導体装置の製造方法及び積層体
出願人三井化学株式会社
代理人弁理士法人鷲田国際特許事務所
主分類H01L 21/02 20060101AFI20250805BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】工程を煩雑にすることなく、複数の基板を積層することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板と仮固定用基板とを接着層を介して接着する工程と、前記仮固定用基板が接着された状態で、前記基板を薄化する工程と、前記薄化された基板から、前記接着層を残して前記仮固定用基板を除去する工程と、前記仮固定用基板が除去された前記基板と本固定用基板とを前記接着層を介して接着する工程と、を含む。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
基板と仮固定用基板とを、接着層を介して接着する工程と、
前記仮固定用基板が接着された状態で、前記基板を薄化する工程と、
前記薄化された基板から、前記接着層を残して前記仮固定用基板を除去する工程と、
前記仮固定用基板が除去された前記基板と本固定用基板とを、前記接着層を介して接着する工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。
続きを表示（約 830 文字）【請求項２】
前記基板は、デバイス付き基板である、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記仮固定用基板を接着する工程では、
前記仮固定用基板の前記接着層と対向する面には、剥離層が形成されている、
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記接着層の厚みは１０μｍ以下である、
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記仮固定用基板を接着する工程では、
前記基板上に形成された前記接着層を介して、前記基板と前記仮固定用基板とを接着させる、
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記仮固定用基板を接着する工程では、
前記仮固定用基板と前記基板とを、前記接着層の硬化率が７０％以上であり、１５０℃以下の温度で接着させる、
請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記接着層は、表面にシラノール基を有する、
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記接着層は、イミド結合、アミド結合、シロキサン結合、エポキシ基、及びベンゾシクロブテン構造からなる群より選択される少なくとも１つを含む樹脂を含む、
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記接着層は、シロキサン結合と、アミド結合及びイミド結合の少なくとも一方とを含む樹脂を含む、
請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記仮固定用基板を接着する工程又は前記本固定用基板を接着する工程の前に、前記接着層の表面をプラズマ処理する工程をさらに含む、
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び積層体に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型軽量化、高性能化に伴い、半導体ウェハや半導体チップ等の基板の高集積化が求められている。近年、基板の高集積化は、面内の集積度を向上させる２次元から、複数の基板を縦に積層する３次元に移行している。
【０００３】
複数の基板を積層するためには、基板は、できるだけ厚さが薄いことが要求される。そのような基板は、通常、裏面を研削して薄化する工程を経て得られる。基板の薄化加工は、仮固定材によって基板を仮固定用基板に仮固定した状態で行われる（例えば、特許文献１参照）。また、複数の基板の積層は、例えば接着剤を用いて行われる（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
図１Ａ～１Ｈは、従来の半導体装置の製造方法を示す模式的な部分断面図である。
具体的には、基板１と仮固定用基板２とを、仮固定材３を介して積層し、接着させる（図１Ａ及び１Ｂ）。次いで、仮固定用基板２で固定した状態で、基板１を薄化し、電極４等を形成する（図１Ｃ及び１Ｄ）。次いで、薄化した基板１から仮固定用基板２を除去した後（図１Ｅ）、仮固定材３をさらに除去する（図１Ｆ）。仮固定用基板２及び仮固定材３を除去した基板１と他の基板５とを、別の接着剤６を介して接着させる（図１Ｇ及び１Ｈ）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１６－２１９５１１号公報
特開２０１０－２２６０６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
薄化された基板からの仮固定材を除去するには、仮固定材を溶剤で溶解させたり、ドライエッチングしたりする必要があった。そして、薄化された基板を積層して接着するためには、別途、新たな接着剤を用いる必要があった。このように、薄化された基板の積層に必要となる工程が多く、煩雑であった。
【０００７】
また、仮固定材を除去するための溶剤やドライエッチングにより、基板に配置されたデバイスへのダメージが残ることも懸念される。そのようなデバイスへのダメージを低減できることも望まれている。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、工程を煩雑にすることなく、複数の基板を積層することができる、半導体装置の製造方法及び積層体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題は、以下の構成によって解決することができる。
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法は、基板と仮固定用基板とを、接着層を介して接着する工程と、前記仮固定用基板が接着された状態で、前記基板を薄化する工程と、前記薄化された基板から、前記接着層を残して前記仮固定用基板を除去する工程と、前記仮固定用基板が除去された前記基板と本固定用基板とを、前記接着層を介して接着する工程と、を含む。
（【００１１】以降は省略されています）

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