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公開番号2025071774
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-08
出願番号2024126527
出願日2024-08-02
発明の名称液供給装置、液供給方法および記憶媒体
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250428BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】循環ライン内の処理液が汚染されることを低減することができる技術を提供する。
【解決手段】本開示による液供給装置は、処理液ラインと、加熱機構と、フィルタと、排液ラインと、第1温度センサと、制御部とを備える。処理液ラインは、基板に液処理を行う液処理部に処理液を供給する。加熱機構は、処理液ラインに設けられ、処理液ラインを流れる処理液を加熱する。フィルタは、処理液ラインにおける加熱機構の下流側に設けられる。排液ラインは、処理液ラインにおけるフィルタの下流側に設けられ、処理液ラインを流れる処理液を排液する。第1温度センサは、フィルタ、フィルタと排液ラインとの間に位置する処理液ラインまたは排液ラインに設けられ、フィルタ、処理液ライン、排液ラインまたは処理液の温度を検知する。制御部は、第1温度センサの検知結果に基づいて、処理液を排液ラインから排液するか否かを決定する。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
基板に液処理を行う液処理部に処理液を供給する処理液ラインと、
前記処理液ラインに設けられ、前記処理液ラインを流れる前記処理液を加熱する加熱機構と、
前記処理液ラインにおける前記加熱機構の下流側に設けられるフィルタと、
前記処理液ラインにおける前記フィルタの下流側に設けられ、前記処理液ラインを流れる前記処理液を排液する排液ラインと、
前記フィルタ、前記フィルタと前記排液ラインとの間に位置する前記処理液ラインまたは前記排液ラインに設けられ、前記フィルタ、前記処理液ライン、前記排液ラインまたは前記処理液の温度を検知する第１温度センサと、
制御部と
を備え、
前記制御部は、前記第１温度センサの検知結果に基づいて、前記処理液を前記排液ラインから排液するか否かを決定する、液供給装置。
続きを表示（約 1,900 文字）【請求項２】
前記処理液を貯留するタンクを備え、
前記処理液ラインは、
前記タンクから送られる前記処理液を前記タンクへ戻す循環ラインと、
前記循環ラインにおける前記処理液の循環流を形成するポンプと、
前記加熱機構と前記フィルタとの間から分岐して、前記タンクから送液された前記処理液を前記タンクへ戻す分岐循環ラインと
を備え、
前記制御部は、前記循環ラインにおける前記処理液の循環を開始する前に、前記ポンプおよび前記加熱機構を制御して、前記処理液を前記分岐循環ラインで循環させながら加熱する、請求項１に記載の液供給装置。
【請求項３】
前記分岐循環ラインに設けられ、前記分岐循環ラインを流れる前記処理液の温度を検知する第２温度センサを備え、
前記制御部は、前記第２温度センサの検知結果に基づいて、前記分岐循環ラインを循環する前記処理液の温度が安定したと判定した場合に、前記ポンプを制御して、前記処理液を前記フィルタに送液する、請求項２に記載の液供給装置。
【請求項４】
前記循環ラインにおける前記排液ラインの下流側から分岐して、前記液処理部に前記処理液を供給する供給ラインと、
前記循環ラインにおける前記排液ラインと前記供給ラインとの間で前記処理液の流出先を切り替えるバルブと
を備え、
前記制御部は、前記バルブを制御して、前記フィルタに送液された前記処理液を前記排液ラインに流して排液する、請求項３に記載の液供給装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記循環ラインにおける前記処理液の循環を開始する前に、前記処理液を前記分岐循環ラインで循環させながら加熱した後、前記分岐循環ラインを循環する前記処理液を前記フィルタに送液し、前記フィルタに送液された前記処理液を前記排液ラインに流して排液する処理を繰り返し行う、請求項４に記載の液供給装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記第１温度センサの検知結果に基づいて、前記フィルタ、前記処理液ライン、前記排液ラインまたは前記処理液の温度が閾値以上である場合に、前記バルブを制御して、前記処理液の流出先を前記排液ラインから前記供給ラインに切り替える、請求項４に記載の液供給装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記第１温度センサの検知結果に基づいて、前記フィルタ、前記処理液ライン、前記排液ラインまたは前記処理液の温度が閾値以上である場合に、前記バルブを制御して、前記処理液の流出先を前記排液ラインから前記供給ラインおよび前記排液ラインに切り替える、請求項４に記載の液供給装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記処理液の流出先を前記排液ラインから前記供給ラインおよび前記排液ラインに切り替えた後、前記処理液の流出先を前記供給ラインおよび前記排液ラインから前記供給ラインに切り替える、請求項７に記載の液供給装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記循環ラインにおける前記処理液の循環を行いながら、前記分岐循環ラインにおける前記処理液の循環を行う、請求項２に記載の液供給装置。
【請求項１０】
基板に液処理を行う液処理部に処理液を供給する処理液ラインと、
前記処理液ラインに設けられ、前記処理液ラインを流れる前記処理液を加熱する加熱機構と、
前記処理液ラインにおける前記加熱機構の下流側に設けられるフィルタと、
前記処理液ラインにおける前記フィルタの下流側に設けられ、前記処理液ラインを流れる前記処理液を排液する排液ラインと、
前記処理液を貯留するタンクと、
前記タンクに前記フィルタの洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
制御部と
を備え、
前記処理液ラインは、
前記タンクから送られる前記処理液を前記タンクへ戻す循環ラインと、
前記循環ラインにおける前記処理液の循環流を形成するポンプと、
前記加熱機構と前記フィルタとの間から分岐して、前記タンクから送液された前記処理液を前記タンクへ戻す分岐循環ラインと
を備え、
前記制御部は、前記洗浄液供給部を制御して、前記タンクへの前記洗浄液の供給を開始した後、前記ポンプおよび前記加熱機構を制御して、前記洗浄液を前記分岐循環ラインで循環させながら加熱する、液供給装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、液供給装置、液供給方法および記憶媒体に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板用の処理液を循環ライ
ンで循環させるとともに、かかる循環ラインから分岐する分岐ラインを介して処理部に処
理液を供給する液処理装置が知られている。かかる液処理装置の循環ラインには、処理液
から異物を除去するフィルタが設けられている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１９－４１０３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、循環ライン内の処理液が汚染されることを低減することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様による液供給装置は、処理液ラインと、加熱機構と、フィルタと、排液ラインと、第１温度センサと、制御部とを備える。処理液ラインは、基板に液処理を行う液処理部に処理液を供給する。加熱機構は、処理液ラインに設けられ、処理液ラインを流れる処理液を加熱する。フィルタは、処理液ラインにおける加熱機構の下流側に設けられる。排液ラインは、処理液ラインにおけるフィルタの下流側に設けられ、処理液ラインを流れる処理液を排液する。第１温度センサは、フィルタ、フィルタと排液ラインとの間に位置する処理液ラインまたは排液ラインに設けられ、フィルタ、処理液ライン、排液ラインまたは処理液の温度を検知する。制御部は、第１温度センサの検知結果に基づいて、処理液を排液ラインから排液するか否かを決定する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、循環ライン内の処理液が汚染されることを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
図１は、第１実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。
図２は、第１実施形態に係る処理ユニットの構成を示す模式図である。
図３は、実施形態に係る処理液供給源の概略構成を示す図である。
図４は、ポンプ、第１バルブ～第４バルブ、第１加熱機構および第２加熱機構の状態の推移の一例を示す図である。
図５は、第１実施形態に係る処理液供給源の動作の一例を示す模式図である。
図６は、第１実施形態に係る処理液供給源の動作の一例を示す模式図である。
図７は、第１実施形態に係る処理液供給源の動作の一例を示す模式図である。
図８は、第２実施形態に係る処理液供給源の概略構成を示す図である。
図９は、第３実施形態に係る処理液供給源の概略構成を示す図である。
図１０は、ポンプ、第１バルブ～第４バルブ、第７バルブ、第８バルブ、第１加熱機構および第２加熱機構の状態の推移の一例を示す図である。
図１１は、第３実施形態に係る処理液供給源の動作の一例を示す模式図である。
図１２は、第３実施形態に係る処理液供給源の動作の一例を示す模式図である。
図１３は、第３実施形態に係る処理液供給源の動作の一例を示す模式図である。
図１４は、第３実施形態に係る処理液供給源の動作の一例を示す模式図である。
図１５は、第５実施形態に係る処理液供給源の概略構成を示す図である。
図１６は、第６実施形態に係る処理液供給源の概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本開示による液供給装置、液供給方法および記憶媒体を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
【０００９】
また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、例えば製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。
【００１０】
また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。また、鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向と呼ぶ場合がある。
（【００１１】以降は省略されています）

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