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公開番号2025081343
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-27
出願番号2025012856,2023551164
出願日2025-01-29,2021-05-19
発明の名称人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリのための精密なデータチューニング方法及び装置
出願人シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド,SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
代理人弁理士法人英知国際特許商標事務所
主分類G11C 11/56 20060101AFI20250520BHJP(情報記憶)
要約【課題】ニューラルネットワーク及びベクトルマトリックス乗算(VMM)アレイ内の不揮発性メモリセルの差動対においてゼロ値をプログラミングし、検証し、かつ、読み出す方法を提供する。
【解決手段】VMMシステム内のアルゴリズムコントローラによって実行するチューニング補正方法であって、チューニングコマンドを受信することでVMMアレイ全体を、ソフト消去法などによって消去することと、セル電流<pAレベル又は等価ゼロ重みを得るために、全ての未使用セルに対してプログラミング動作を実行することと、VMMアレイ内の全てのセルを、粗い及び/又は微細プログラミングサイクルを使用して、0.5~1.0μAなどの中間値にプログラムすることと、予測目標を、関数又はルックアップテーブルを使用して使用されるセルに設定することと、セクタチューニング方法を、VMMの各セクタに対して実行することと、を含む。
【選択図】図35A
特許請求の範囲【請求項1】
ニューラルネットワークであって、
不揮発性メモリセルのベクトルマトリックス乗算アレイを含み、重み値wは、式w=(w+)-(w-)に従って、前記アレイ内の第1の不揮発性メモリセル及び第2の不揮発性メモリセルの差動対w+及びw-として記憶され、w+及びw-は、非ゼロのオフセット値を含む、ニューラルネットワーク。
続きを表示(約 710 文字)【請求項2】
前記非ゼロのオフセット値は、正の値である、請求項1に記載のニューラルネットワーク。
【請求項3】
前記非ゼロのオフセット値は、負の値である、請求項1に記載のニューラルネットワーク。
【請求項4】
wに対して0の値が所望されるとき、前記非ゼロのオフセット値に等しい値は、w+及びw-に対して記憶される、請求項1に記載のニューラルネットワーク。
【請求項5】
wに対する0の値は、所定のスレッショルド未満のwに対する記憶された値によって示される、請求項1に記載のニューラルネットワーク。
【請求項6】
前記所定のスレッショルドは、5nAである、請求項5に記載のニューラルネットワーク。
【請求項7】
前記所定のスレッショルドは、10nAである、請求項5に記載のニューラルネットワーク。
【請求項8】
前記不揮発性メモリセルは、スプリットゲートフラッシュメモリセルである、請求項1に記載のニューラルネットワーク。
【請求項9】
前記不揮発性メモリセルは、積層ゲートフラッシュメモリセルである、請求項1に記載のニューラルネットワーク。
【請求項10】
前記第1の不揮発性メモリセルは、粗い、微細、又は超微細チューニングアルゴリズムのうちの1つ以上によってw+にチューニングされ、前記第2の不揮発性メモリセルは、微細又は超微細チューニングアルゴリズムのうちの1つ以上によってw-にチューニングされる、請求項1に記載のニューラルネットワーク。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
(優先権の主張)
本出願は、2020年1月3日に出願された「Precise Data Tuning Method and Apparatus for Analog Neuromorphic Memory in an Artificial Neural Network」という名称の米国特許仮出願第62/957,013号の優先権を主張するものである、2020年3月25日に出願された「Precise Data Tuning Method and Apparatus for Analog Neuromorphic Memory in an Artificial Neural Network」という名称の米国特許出願第16/829,757号の一部継続出願である、2021年2月25日に出願された「Precise Data Tuning Method and Apparatus for Analog Neural Memory in an Artificial Neural Network」という名称の米国特許出願第17/185,725号の優先権を主張するものである。
続きを表示(約 2,400 文字)【0002】
(発明の分野)
人工ニューラルネットワーク内のベクトルマトリックス乗算(vector-by-matrix multiplication、VMM)アレイ内の不揮発性メモリセルの浮遊ゲートに正確な量の電荷を精密かつ迅速に堆積させるための精密チューニング方法及び装置について、多数の実施形態が開示される。
【背景技術】
【0003】
人工ニューラルネットワークは、生物学的ニューラルネットワーク(動物の中枢神経系、特に脳)を模倣しており、多数の入力に依存し得、かつ、一般的に未知である関数を推定する又は近似するために使用される。人工ニューラルネットワークは、概して、お互いの間でメッセージを交換する相互接続した「ニューロン」の層を含む。
【0004】
図1は人工ニューラルネットワークを示しており、図中、円は、入力又はニューロンの層を表す。接続(シナプスと呼ばれる)は、矢印によって表され、経験に基づいてチューニングされ得る数値の重みを有する。これにより、人工ニューラルネットワークは入力に適応し、学習可能になる。典型的には、人工ニューラルネットワークは、複数の入力の層を含む。典型的には、1つ以上のニューロンの中間層、及びニューラルネットワークの出力を提供するニューロンの出力層が存在する。各レベルでニューロンは、シナプスから受信したデータに基づいて個々に又は集合的に決定を行う。
【0005】
高性能情報処理用の人工ニューラルネットワークの開発における主要な課題のうちの1つは、適切なハードウェア技術の欠如である。実際には、実用人工ニューラルネットワークは、非常に多数のシナプスに依拠しており、これによりニューロン間の高い接続性、すなわち、非常に高度な計算処理の並列化が可能となる。原理的には、このような複雑性は、デジタルスーパーコンピュータ又は専用グラフィックプロセッシングユニットクラスタによって実現が可能である。しかしながら、高コストに加え、これらのアプローチはまた、生物学的ネットワークが主として低精度のアナログ計算を実施するのではるかに少ないエネルギーしか消費しないのと比較して、エネルギー効率が劣っていることに悩まされている。人工ニューラルネットワークにはCMOSアナログ回路が使用されてきたが、ほとんどのCMOS実装シナプスは、多数のニューロン及びシナプスを前提とすると、嵩高過ぎていた。
【0006】
出願人は以前に、参照により組み込まれる米国特許公開第2017/0337466号として公開された米国特許出願第15/594,439号において、シナプスとして1つ以上の不揮発性メモリアレイを利用する人工(アナログ)ニューラルネットワークを開示した。不揮発性メモリアレイは、アナログニューロモーフィックメモリとして動作する。本明細書で使用される場合、ニューロモーフィックという用語は、神経システムのモデルを実装する回路を意味する。アナログニューロモーフィックメモリは、第1の複数の入力を受信して、それから第1の複数の出力を生成するように構成されている第1の複数のシナプス、及び第1の複数の出力を受信するように構成された第1の複数のニューロンを含む。第1の複数のシナプスは複数のメモリセルを含み、メモリセルの各々は、半導体基板内に形成された、間にチャネル領域が延在する離間したソース領域及びドレイン領域と、チャネル領域の第1の部分の上方に絶縁されて配設される浮遊ゲートと、チャネル領域の第2の部分の上方に絶縁されて配設される非浮遊ゲートと、を含む。複数のメモリセルの各々は、浮遊ゲートの多くの電子に対応する重み値を記憶するように構成されている。複数のメモリセルは、第1の複数の入力に、記憶された重み値を乗算して第1の複数の出力を生成するように構成される。この様式で配置されるメモリセルのアレイは、ベクトルマトリックス乗算(VMM)アレイと称され得る。
【0007】
VMMアレイに使用される各不揮発性メモリセルは、浮遊ゲート内に電荷、すなわち電子の数、を非常に具体的かつ精密な量で保持するように消去及びプログラムされなければならない。例えば、各浮遊ゲートはN個の異なる値のうちの1つを保持しなければならず、ここで、Nは、各セルによって示され得る異なる重みの数である。Nの例としては、16、32、64、128及び256が挙げられる。1つの課題は、異なるNの値に必要な精度及び粒度で選択されたセルをプログラムする能力である。例えば、選択されたセルが64個の異なる値のうちの1つを含み得る場合、極めて高い精度がプログラム動作で必要とされる。
【0008】
必要とされるのは、アナログニューロモーフィックメモリにおいてVMMアレイと共に使用するのに適した、改善されたプログラミングシステム及び方法である。
【発明の概要】
【0009】
アナログニューロモーフィックメモリシステム内のVMMアレイ内の不揮発性メモリセルの浮遊ゲートに正確な量の電荷を精密かつ迅速に堆積させるための精密チューニングアルゴリズム及び装置について、多数の実施形態が開示される。それにより、選択されたセルは、N個の異なる値のうちの1つを保持するために、極めて高い精度でプログラムすることができる。
【0010】
一実施形態では、ニューラルネットワークは、不揮発性メモリセルのベクトルマトリックス乗算アレイを含み、重み値wは、式w=(w+)-(w-)に従って、アレイ内の第1の不揮発性メモリセル及び第2の不揮発性メモリセルの差動対w+及びw-として記憶され、w+及びw-は、非ゼロのオフセット値を含む。
(【0011】以降は省略されています)

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