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公開番号2025088236
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-11
出願番号2023202805
出願日2023-11-30
発明の名称弾性波デバイス、フィルタ、マルチプレクサ、及びウエハ
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人
主分類H03H 9/25 20060101AFI20250604BHJP(基本電子回路)
要約【課題】スプリアス応答を抑制し、かつ、メイン応答の劣化を抑制すること。
【解決手段】弾性波デバイス100は、支持基板10と、支持基板10上に設けられた圧電層14と、圧電層14上に設けられた一対の櫛型電極20と、支持基板10と圧電層14との間に設けられ、多結晶又は非晶質の酸化アルミニウム又はポリシリコンである第1絶縁層11と、第1絶縁層11と圧電層14との間に設けられ、窒化アルミニウム、窒化シリコン、炭化シリコン、又はダイヤモンドライクカーボンであり、第1絶縁層11側の第1面60は圧電層14側の第2面61より粗面である第2絶縁層12とを備える。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた圧電層と、
前記圧電層上に設けられた一対の櫛型電極と、
前記基板と前記圧電層との間に設けられ、多結晶又は非晶質の酸化アルミニウム又はポリシリコンである第１絶縁層と、
前記第１絶縁層と前記圧電層との間に設けられ、窒化アルミニウム、窒化シリコン、炭化シリコン、又はダイヤモンドライクカーボンであり、前記第１絶縁層側の第１面は前記圧電層側の第２面より粗面である第２絶縁層と、を備える弾性波デバイス。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記第２絶縁層の平均厚さは、前記圧電層の厚みの７．５倍以上である、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記第２絶縁層は窒化アルミニウム又は窒化シリコンであり、
前記第２絶縁層の前記第１面の凹凸の平均高さは、前記圧電層の厚みの３倍以上かつ１１倍以下である、請求項２に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記第２絶縁層の平均厚さは、前記圧電層の厚さの１１．５倍以下である、請求項３に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記第２絶縁層は炭化シリコン又はダイヤモンドライクカーボンであり、
前記第２絶縁層の前記第１面の凹凸の平均高さは、前記圧電層の厚さの８倍以上かつ１３倍以下である、請求項２に記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記第２絶縁層の平均厚さは、前記圧電層の厚さの１０．５倍以下である、請求項５に記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記第２絶縁層の前記第１面の凹凸の平均ピッチは、前記圧電層の厚さの１倍以上かつ２０倍以下である、請求項３または５に記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記圧電層と前記第２絶縁層との間に設けられ、酸化シリコン、または、フッ素、リン、もしくはボロンを添加した酸化シリコンである第３絶縁層を備え、
前記基板はサファイアであり、
前記圧電層は回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウムであり、
前記第１絶縁層は多結晶又は非晶質の酸化アルミニウムであり、
前記第２絶縁層と前記第３絶縁層との界面と、前記圧電層と前記一対の櫛型電極との界面と、の距離は、前記圧電層の厚さの２倍以下である、請求項３または５に記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記第２絶縁層の平均厚さは、前記一対の櫛型電極が設けられた領域内での断面の両端部と中央部の３点の厚さの平均である、請求項２、４、または６に記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
基板と、
前記基板上に設けられた圧電層と、
前記圧電層上に設けられた一対の櫛型電極と、
前記基板と前記圧電層との間に設けられ、前記圧電層のバルク波の音速より速いバルク波の音速を有する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層と前記圧電層との間に設けられ、前記第１絶縁層のバルク波の音速より速いバルク波の音速を有し、前記第１絶縁層側の第１面は前記圧電層側の第２面より粗面である第２絶縁層と、を備える弾性波デバイス。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイス、フィルタ、マルチプレクサ、及びウエハに関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
スマートフォン等の通信機器に用いられる弾性波デバイスとして弾性表面波共振器が知られている。弾性表面波共振器を形成する圧電層を支持基板に接合することが知られている。圧電層の厚さを弾性表面波の波長以下とすることが知られている（例えば特許文献１）。圧電層と支持基板との間に圧電層より音速の低い低音速層を設けることが知られている（例えば特許文献２から７）。低音速層と支持基板との間に圧電層より音速の速い高音速層を設けることが知られている（例えば特許文献２、３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１７－０３４３６３号公報
特開２０１５－１１５８７０号公報
特開２０１５－１２２５６６号公報
特開２０１９－２０１３４５号公報
特開２０２２－２５３７４号公報
米国特許第１００２０７９６号明細書
国際公開第２０１７／０４３４２７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
低音速層と支持基板との間に高音速層を設けることにより、メイン応答を改善することができるが、スプリアス応答が劣化してしまうことがある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、スプリアス応答を抑制し、かつ、メイン応答の劣化を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、基板と、前記基板上に設けられた圧電層と、前記圧電層上に設けられた一対の櫛型電極と、前記基板と前記圧電層との間に設けられ、多結晶又は非晶質の酸化アルミニウム又はポリシリコンである第１絶縁層と、前記第１絶縁層と前記圧電層との間に設けられ、窒化アルミニウム、窒化シリコン、炭化シリコン、又はダイヤモンドライクカーボンであり、前記第１絶縁層側の第１面は前記圧電層側の第２面より粗面である第２絶縁層と、を備える弾性波デバイスである。
【０００７】
上記構成において、前記第２絶縁層の平均厚さは、前記圧電層の厚みの７．５倍以上である構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記第２絶縁層は窒化アルミニウム又は窒化シリコンであり、前記第２絶縁層の前記第１面の凹凸の平均高さは、前記圧電層の厚みの３倍以上かつ１１倍以下である構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記第２絶縁層の平均厚さは、前記圧電層の厚さの１１．５倍以下である構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記第２絶縁層は炭化シリコン又はダイヤモンドライクカーボンであり、前記第２絶縁層の前記第１面の凹凸の平均高さは、前記圧電層の厚さの８倍以上かつ１３倍以下である構成とすることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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