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公開番号2025110776
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-29
出願番号2024004815
出願日2024-01-16
発明の名称積層セラミック電子部品及びその製造方法
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人
主分類H01G 4/30 20060101AFI20250722BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】信頼性を向上することができる積層セラミック電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】積層セラミック電子部品は、複数の第1誘電体層と、前記複数の第1誘電体層より平均厚みが小さい複数の第2誘電体層と、複数の内部電極層とが積層された略直方体形状の積層体を有し、前記第1誘電体層及び前記第2誘電体層は、前記内部電極層を介して交互に積層され、少なくとも1種類の希土類元素をそれぞれ含有し、前記第2誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも1種類の希土類元素の濃度は、前記第1誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも1種類の希土類元素の濃度より高い。
【選択図】図3

特許請求の範囲【請求項１】
複数の第１誘電体層と、前記複数の第１誘電体層より平均厚みが小さい複数の第２誘電体層と、複数の内部電極層とが積層された略直方体形状の積層体を有し、
前記第１誘電体層及び前記第２誘電体層は、前記内部電極層を介して交互に積層され、少なくとも１種類の希土類元素をそれぞれ含有し、
前記第２誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素の濃度は、前記第１誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素の濃度より高いことを特徴とする積層セラミック電子部品。
続きを表示（約 2,500 文字）【請求項２】
前記第２誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素の濃度は、前記第１誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素の濃度の１．０８倍以上であることを特徴とする請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記第２誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素の濃度は、前記第１誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素の濃度の１．７倍以下であることを特徴とする請求項２に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記第１誘電体層及び前記第２誘電体層は、それぞれ、マグネシウム及びマンガンをさらに含有し、
前記第２誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素、前記マグネシウム、及び前記マンガンの濃度の合計は、前記第１誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素、前記マグネシウム、及び前記マンガンの濃度の合計の１．０５倍以上であることを特徴とする請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記第２誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素、前記マグネシウム、及び前記マンガンの濃度の合計は、前記第１誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素、前記マグネシウム、及び前記マンガンの濃度の合計の１．５倍以下であることを特徴とする請求項４に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記第１誘電体層に含まれるセラミック粒子の平均粒径は、前記第２誘電体層に含まれるセラミック粒子の平均粒径より大きいことを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記積層体には、さらに前記第２誘電体層より平均厚みが小さい複数の第３誘電体層が積層され、
前記第３誘電体層は、前記内部電極層を介して前記第１誘電体層及び前記第２誘電体層の間に積層され、前記少なくとも１種類の希土類元素をそれぞれ含有し、
前記第３誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素の濃度は、前記第２誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素の濃度より高いことを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
少なくとも１種類の希土類元素が添加されたセラミックスラリーを基材上に塗布することにより第１グリーンシートを形成する工程と、
前記第１グリーンシート上に第１内部電極パターンを形成する工程と、
前記セラミックスラリーを、前記第１グリーンシートより平均厚みが小さくなるように前記第１グリーンシート及び前記第１内部電極パターン上に塗布することにより第２グリーンシートを形成する工程と、
前記第２グリーンシート上に第２内部電極パターンを形成する工程と、
前記第１グリーンシート及び前記第２グリーンシートを前記基材から剥離する工程と、
複数組の前記第１グリーンシート及び前記第２グリーンシートを積層して圧着する工程と、
圧着された複数組の前記第１グリーンシート及び前記第２グリーンシートを積層方向に沿って複数個の積層体に分断する工程と、
前記積層体を焼成する工程とを有し、
前記第２グリーンシートを形成する工程において、前記第２グリーンシートの主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素の濃度が、前記第１グリーンシートの主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素の濃度より高くなるように、前記セラミックスラリーを調整することを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項９】
少なくとも１種類の希土類元素が添加されたセラミックスラリーを基材上に塗布することにより第１グリーンシートを形成する工程と、
前記第１グリーンシート上に第１内部電極パターンを形成する工程と、
前記セラミックスラリーを、前記第１グリーンシートより平均厚みが小さくなるように前記第１グリーンシート及び前記第１内部電極パターン上に塗布することにより第２グリーンシートを形成する工程と、
前記第２グリーンシート上に第２内部電極パターンを形成する工程と、
前記セラミックスラリーを、前記第２グリーンシートより平均厚みが小さくなるように前記第２グリーンシート及び前記第２内部電極パターン上に塗布することにより第３グリーンシートを形成する工程と、
前記第３グリーンシート上に第３内部電極パターンを形成する工程と、
前記第１グリーンシート、前記第２グリーンシート、及び前記第３グリーンシートを前記基材から剥離する工程と、
複数組の前記第１グリーンシート、前記第２グリーンシート、及び前記第３グリーンシートを積層して圧着する工程と、
圧着された複数組の前記第１グリーンシート、前記第２グリーンシート、及び前記第３グリーンシートを積層方向に沿って複数個の積層体に分断する工程と、
前記積層体を焼成する工程とを有し、
前記第２グリーンシートを形成する工程において、前記第２グリーンシートの主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素の濃度が、前記第１グリーンシートの主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素の濃度より高くなるように、前記セラミックスラリーを調整し、
前記第３グリーンシートを形成する工程において、前記第３グリーンシートの主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素の濃度が、前記第２グリーンシートの主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素の濃度より高くなるように、前記セラミックスラリーを調整することを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品に対する高容量化の要求に応じ、その積層数が増加するようにセラミック素体中の内部電極間の誘電体層の薄層化が進んでいる（例えば特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１９－９２９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、誘電体層を薄く形成する場合、例えば基材のＰＥＴ（PolyethyleneTerephthalate）フィルムからグリーンシートを損傷せずに剥離することが難しいだけでなく、焼成時に誘電体層が急激に収縮することにより、誘電体層に隣接するサイドマージン部との収縮量の差が増加してセラミック素体にクラックが生じやすい。また、誘電体層が薄いほど、焼成時の誘電体層内の酸素空孔の移動により絶縁性が低下しやすく、信頼性が低下するおそれがある。
【０００５】
そこで本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、信頼性を向上することができる積層セラミック電子部品及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の積層セラミック電子部品は、複数の第１誘電体層と、前記複数の第１誘電体層より平均厚みが小さい複数の第２誘電体層と、複数の内部電極層とが積層された略直方体形状の積層体を有し、前記第１誘電体層及び前記第２誘電体層は、前記内部電極層を介して交互に積層され、少なくとも１種類の希土類元素をそれぞれ含有し、前記第２誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素の濃度は、前記第１誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素の濃度より高いことを特徴とする。
【０００７】
上記の積層セラミック電子部品において、前記第２誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素の濃度は、前記第１誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素の濃度の１．０８倍以上であってもよい。
【０００８】
上記の積層セラミック電子部品において、前記第２誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素の濃度は、前記第１誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素の濃度の１．７倍以下であってもよい。
【０００９】
上記の積層セラミック電子部品において、前記第１誘電体層及び前記第２誘電体層は、それぞれ、マグネシウム及びマンガンをさらに含有し、前記第２誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素、前記マグネシウム、及び前記マンガンの濃度の合計は、前記第１誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素、前記マグネシウム、及び前記マンガンの濃度の合計の１．０５倍以上であってもよい。
【００１０】
上記の積層セラミック電子部品において、前記第２誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素、前記マグネシウム、及び前記マンガンの濃度の合計は、前記第１誘電体層の主成分のセラミックに対する前記少なくとも１種類の希土類元素、前記マグネシウム、及び前記マンガンの濃度の合計の１．５倍以下であってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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