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公開番号2025097609
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-01
出願番号2023213889
出願日2023-12-19
発明の名称弾性波デバイスを備えたモジュール
出願人三安ジャパンテクノロジー株式会社
代理人個人
主分類H03H 9/25 20060101AFI20250624BHJP(基本電子回路)
要約【課題】モジュールに、デバイスチップの実装後に行われるフラックスの残渣などの洗浄を効率的に実施可能な構造を、適切に付与させる。
【解決手段】モジュール基板2は、ソルダーレジスト層2bを有し、このソルダーレジスト層2bによって実装面2aにおける要被覆領域を被覆するようになっている。デバイスチップ4の一面4a下には、ソルダーレジスト層2bのないソルダーレジスト層2bにおけるブランク部2baが形成されている。ブランク部2baの近傍においてソルダーレジスト層2bに、ブランク部2baに連通してデバイスチップ4の一面4a下に位置される第1箇所14aとデバイスチップ4の厚さとなる側面4bよりも外側にあってデバイスチップ4の一面4a下に位置しない第2箇所14bとを持った通路14を2つ以上形成させてなる。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
モジュール基板に二以上の電子デバイスを実装させてなると共に、前記二以上の電子デバイスのうちの一部を弾性波デバイスとして機能するデバイスチップとするモジュールであって、
前記デバイスチップは、その一面にＩＤＴ電極を含む機能素子及びこの機能素子に接続された半田からなるバンプを備えると共に、前記バンプを利用して前記デバイスチップの前記一面と前記モジュール基板の実装面との間に隙間を作るようにして前記モジュール基板に実装されており、
前記モジュール基板は、ソルダーレジスト層を有し、このソルダーレジスト層によって前記実装面における要被覆領域を被覆するようになっており、
前記デバイスチップの前記一面下には、前記ソルダーレジスト層のない前記ソルダーレジスト層におけるブランク部が形成されていると共に、
前記ブランク部の近傍において前記ソルダーレジスト層に、前記ブランク部に連通して前記デバイスチップの前記一面下に位置される第１箇所と前記デバイスチップの厚さとなる側面よりも外側にあって前記デバイスチップの前記一面下に位置しない第２箇所とを持った通路を２つ以上形成させてなる、弾性波デバイスを備えたモジュール。
続きを表示（約 720 文字）【請求項２】
前記デバイスチップの前記一面が前記側面と接する前記一面の外縁と、前記ブランク部の開口縁とが、前記デバイスチップの中心を囲う前記外縁のいずれの位置においても、前記一面に直交する向きから前記デバイスチップを見た状態で、重なり合うか、又は、前記外縁よりも前記開口縁が２０ないし５０μｍの範囲で前記デバイスチップの前記中心側に位置されるようにしてなる、請求項１に記載の弾性波デバイスを備えたモジュール。
【請求項３】
前記通路を溝状としてなる、請求項１に記載の弾性波デバイスを備えたモジュール。
【請求項４】
前記モジュール基板と一緒に前記デバイスチップを覆うフィルムと、このフィルム上に形成される封止樹脂とを備えてなる、請求項１に記載の弾性波デバイスを備えたモジュール。
【請求項５】
前記デバイスチップの前記一面に直交する向きにおける前記デバイスチップの前記一面と前記ソルダーレジスト層の表面との間の間隔を、前記フィルムの厚さの１．５倍未満の寸法とさせてなる、請求項４に記載の弾性波デバイスを備えたモジュール。
【請求項６】
前記通路を溝状としてなると共に、
前記モジュール基板と一緒に前記デバイスチップを覆うフィルムと、このフィルム上に形成される封止樹脂とを備えてなり、
しかも、前記通路の溝幅を、前記フィルムの厚さの１．５倍未満の寸法とさせてなる、請求項１に記載の弾性波デバイスを備えたモジュール。
【請求項７】
前記通路の溝幅を、３０ないし７５μｍの範囲とさせてなる、請求項６に記載の弾性波デバイスを備えたモジュール。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
この発明は、モジュール基板に実装された二以上の電子デバイスのうちの一部を弾性波デバイスとして機能するデバイスチップとしたモジュールの改良に関する。
続きを表示（約 3,500 文字）【背景技術】
【０００２】
モジュール基板に実装された二以上の電子デバイスのうちの一部を弾性波デバイスとして機能するデバイスチップとしたモジュールがある。
図１０にその要部を示す。
前記デバイスチップ１００は、その一面にＩＤＴ電極を含む機能素子１０１及びこの機能素子１０１に配線を介して接続された半田からなるバンプ１０２を備える。
一方、前記モジュール基板２００における電子デバイスに対する実装面における要被覆領域は、ソルダーレジスト層３００で覆われている。
前記実装面における前記デバイスチップ１００が実装される領域は、前記ソルダーレジスト層３００のないブランク部３０１とされる。ブランク部３０１内には前記実装面に前記バンプ１０２に対するバンプパッド２０１が配されている。
デバイスチップ１００は、前記バンプパッド２０１に前記バンプ１０２をリフロー処理などにより固着させることで、前記一面と前記ブランク部３０１内に位置される前記実装面との間に前記バンプ１０２の突き出し寸法分の隙間を開けた状態でモジュール基板２００に実装されている。
前記デバイスチップ１００の前記実装面上には、前記隙間を内部空間とするように、封止樹脂４００が形成されている。前記デバイスチップ１００の機能素子１０１はこの内部空間内に位置され、これにより弾性波デバイスとしての機能が発揮されるようになっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかるに、前記ブランク部３０１に対しては前記デバイスチップ１００の実装後にフラックスの残渣などの洗浄を行う必要がある。
したがって、この種のモジュールに、かかる洗浄を効率的に行える構造を適切に備えさせるべき要請がある。
ここで、図１０に示されるように、前記デバイスチップ１００の一面の外縁１０３よりもデバイスチップ１００の中心側にブランク部３０１の開口縁３０１ａが位置されるようにブランク部３０１を形成した場合に比べ、図１１に示されるように、前記デバイスチップ１００の一面の外縁１０３よりも外側にブランク部３０１の開口縁３０１ａが位置されるようにブランク部３０１を形成した方が、前記外縁１０３と前記開口縁３０１ａとの間の間隔Ｌを大きくできることから、図１１に示される構造の方が前記洗浄の効率化に適している。
しかし、この種のモジュールでは、前記内部空間を確実に形成させるために、封止樹脂４００の形成前にモジュール基板２００と一緒にデバイスチップ１００をフィルム５００で覆う手法がとられることが多い。
かかるフィルム５００は、典型的には、デバイスチップ１００の実装後に真空雰囲気下でデバイスチップ１００上に重ねられ、この後、フィルム５００上の空間の空気圧を高めることでデバイスチップ１００及びモジュール基板２００に密着される。
しかるに、単純に図１１に示される構造を採用すると、このようにフィルム５００を密着させたときに、ブランク部３０１内へのフィルム５００の引き込み量が多くなりこの引き込まれた箇所に破断を生じさせることが想定される。
【０００４】
この発明が解決しようとする主たる問題点は、この種のモジュールに、前記デバイスチップの実装後に行われる前記ブランク部に対するフラックスの残渣などの洗浄を効率的に実施可能な構造を、適切に付与させる点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を達成するために、この発明にあっては、弾性波デバイスを備えたモジュールを、
モジュール基板に二以上の電子デバイスを実装させてなると共に、前記二以上の電子デバイスのうちの一部を弾性波デバイスとして機能するデバイスチップとするモジュールであって、
前記デバイスチップは、その一面にＩＤＴ電極を含む機能素子及びこの機能素子に接続された半田からなるバンプを備えると共に、前記バンプを利用して前記デバイスチップの前記一面と前記モジュール基板の実装面との間に隙間を作るようにして前記モジュール基板に実装されており、
前記モジュール基板は、ソルダーレジスト層を有し、このソルダーレジスト層によって前記実装面における要被覆領域を被覆するようになっており、
前記デバイスチップの前記一面下には、前記ソルダーレジスト層のない前記ソルダーレジスト層におけるブランク部が形成されていると共に、
前記ブランク部の近傍において前記ソルダーレジスト層に、前記ブランク部に連通して前記デバイスチップの前記一面下に位置される第１箇所と前記デバイスチップの厚さとなる側面よりも外側にあって前記デバイスチップの前記一面下に位置しない第２箇所とを持った通路を２つ以上形成させてなる、ものとした。
【０００６】
前記デバイスチップの前記一面が前記側面と接する前記一面の外縁と、前記ブランク部の開口縁とが、前記デバイスチップの中心を囲う前記外縁のいずれの位置においても、前記一面に直交する向きから前記デバイスチップを見た状態で、重なり合うか、又は、前記外縁よりも前記開口縁が２０ないし５０μｍの範囲で前記デバイスチップの前記中心側に位置されるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【０００７】
また、前記通路を溝状とすることが、この発明の態様の一つとされる。
【０００８】
また、前記弾性波デバイスを備えたモジュールがさらに、前記モジュール基板と一緒に前記デバイスチップを覆うフィルムと、このフィルム上に形成される封止樹脂とを備えたものとすることが、この発明の態様の一つとされる。
この場合には、さらに、前記デバイスチップの前記一面に直交する向きにおける前記デバイスチップの前記一面と前記ソルダーレジスト層の表面との間の間隔を、前記フィルムの厚さの１．５倍未満の寸法とさせることが、この発明の態様の一つとされる。
また、前記通路を溝状としてなると共に、前記モジュール基板と一緒に前記デバイスチップを覆うフィルムと、このフィルム上に形成される封止樹脂とを備えてなり、
しかも、前記通路の溝幅を、前記フィルムの厚さの１．５倍未満の寸法とさせたものとすることが、この発明の態様の一つとされる。
この場合さらに、前記通路の溝幅を、３０ないし７５μｍの範囲とさせるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、前記ブランク部の近傍において前記デバイスチップとモジュール基板を構成するソルダーレジスト層との間の距離をいたずらに広げることなく、前記通路によってこの種のモジュールに、前記デバイスチップの実装後に行われる前記ブランク部に対するフラックスの残渣などの洗浄を効率的に実施可能な構造を、適切に付与させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
図１は、この発明の一実施の形態にかかるモジュール（第１例）の側面構成図である。
図２は、前記第１例の要部分解斜視構成図である。
図３は、前記第１例の要部断面構成図であり、図５におけるＣ－Ｃ位置で第１例を断面にして示している。
図４は、前記第１例の要部断面構成図であり、図５におけるＤ－Ｄ位置で第１例を断面にして示している。
図５は、前記第１例の要部断面構成図であり、図３におけるＡ－Ａ位置で第１例を断面にして示している。
図６は、前記第１例の要部断面構成図であり、図３におけるＢ－Ｂ位置で第１例を断面にして示している。
図７は、第１例における弾性波デバイスを構成するデバイスチップの機能面に形成される共振器の一例を示した構成図である。
図８は、第１例における弾性波デバイスを構成するデバイスチップの機能面に形成される回路の一例を示した構成図である。
図９は、この発明の一実施の形態にかかるモジュール（第２例）の要部断面構成図である。
図１０は、検討例のモジュールの断面構成図である。
図１１は、検討例の要部断面構成図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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