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公開番号2025103968
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-09
出願番号2023221745
出願日2023-12-27
発明の名称弾性波デバイス
出願人三安ジャパンテクノロジー株式会社
代理人個人
主分類H03H 9/145 20060101AFI20250702BHJP(基本電子回路)
要約【課題】多層配線を備えた弾性波デバイスにおいて製造プロセスにおけるステップ数を増加させることなく熱を効率的に外部に逃がす新たな構造を提供する。
【解決手段】信号配線8aaと、グランド配線8abと、信号配線8aaとグランド配線8abとを接続する熱伝達ライン14とを備える。共振器7aを導電性材料からなる第1層M1により構成し、信号配線8aa及びグランド配線8abを第1層M1及び導電性材料からなる第3層M3の双方またはいずれか一方から構成し、熱伝達ライン14を絶縁性材料からなる第2層D2によって構成する。熱伝達ライン14における信号配線8aaに対する第1接続端部14a、及び、熱伝達ライン14におけるグランド配線8abに対する第2接続端部14bはそれぞれ三層領域11にあり、かつ、第1接続端部14aと第2接続端部14bとの間に前記第2層D2のみからなる単層領域13を形成させてなる。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
デバイスチップにおける圧電体から構成される機能面上に、少なくとも、導電性材料よりなる第１層と、絶縁性材料よりなる第２層と、導電性材料よりなる第３層とを持ったパターンを、
前記３つの層の全てが重なり合う三層領域では、前記第１層の上に前記第２層が位置し、かつ、前記第２層の上に前記第３層が位置するようにし、
前記３つの層のうちのいずれか２つの層が重なり合う二層領域では、前記第１層の上に前記第２層が位置するか、前記第１層の上に前記第３層が位置するか、又は、前記第２層の上に前記第３層が位置するようにして、形成させると共に、
２以上の共振器と、前記共振器同士を接続する信号配線と、前記共振器の一部をグランド電極に接地させるグランド配線と、前記信号配線と前記グランド配線とを接続する熱伝達ラインとを備え、
前記共振器を、前記第１層により構成し、
前記信号配線及び前記グランド配線を、前記第１層及び前記第３層の双方、または、いずれか一方から構成し、
前記熱伝達ラインを、前記第２層によって構成するようにしており、
しかも、前記熱伝達ラインにおける前記信号配線に対する第１接続端部、及び、前記熱伝達ラインにおける前記グランド配線に対する第２接続端部はそれぞれ前記三層領域にあり、かつ、前記第１接続端部と前記第２接続端部との間に前記第２層のみからなる単層領域を形成させてなる、弾性波デバイス。
続きを表示（約 410 文字）【請求項２】
前記三層領域では、前記第２層によって前記第１層と前記第３層との電気的絶縁をさせてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記第２層を、熱伝導率を１Ｗ／ｍＫ以上とさせる樹脂から構成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記熱伝達ラインにおける前記第２層のみからなる前記単層領域を挟んだ少なくとも一方側において、前記第１層と前記第２層との重なり合う面積よりも前記第２層と前記第３層との重なり合う面積が小さくなるようにしてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記熱伝達ラインにおける前記第２層のみからなる前記単層領域を挟んだ少なくとも一方側において、前記第２層と前記第３層との重なり合う面積よりも前記第１層と前記第２層との重なり合う面積が小さくなるようにしてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
この発明は、モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用するのに適した弾性波デバイスの改良に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
ＣＳＰ（Chip Size Package）構造の弾性波デバイス、ＷＬＰ（Wafer Level Package）構造の弾性波デバイス、ベアチップとして他の電子デバイスと一緒にモジュール基板に実装される弾性波デバイスはいずれも、少なくとも一面を圧電体によって構成させたデバイスチップを構成要素とする。
このデバイスチップの前記一面すなわち機能面には、フォトリソグラフィ技術及びエッチングにより、導電性材料よって共振器と配線が形成される。
【０００３】
図１０はかかる共振器と配線とからなる回路の一例を示し、図１１はデバイスチップの機能面に設けられた前記回路を実現したパターンの一例を示す。
図１１中、符号１００はデバイスチップを、符号１０１は共振器を、符号１０２は配線を、符号１０３は入力パッドを、符号１０４は出力パッドを、符号１０５はグランドパッドを、符号１０６はアンテナパッドを示している。
図１１において、符号１０７で示す部分では、図１２に示されるように、２つの共振器１００同士を接続する信号配線１０２ａの上を、共振器１００の一部とグランドパッド１０５とを接続させるグランド配線１０２ｂが通過するレイアウトになっている。以下このような部分を配線交叉部分１０７と称する。このような配線交叉部分１０７では、信号配線１０２ａを第１層Ｍ１として形成させた後、絶縁性材料からなる第２層Ｄ２を形成させ、この第２層Ｄ２上にグランド配線１０２ｂを第３層Ｍ３として形成させる必要が生じる。したがって、弾性波デバイスの製造プロセスにおいては、前記第１層Ｍ１を形成させるステップと、前記第２層Ｄ２を形成させるステップと、前記第３層Ｍ３を形成させるステップとが必要となる。
【０００４】
一方、図１１において、符号Ｓで示す部分では、信号配線１０２ａとグランド配線１０２ｂとの間には隙間が形成されたレイアウトになっており、信号配線１０２ａにおける図１１において符号Ｎ１ないしＮ４で示す箇所はいずれのグランド配線１０２ｂにも接続されていない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
弾性波デバイスへの信号の入力によって共振器１０１の形成領域には熱が生じる。前記グランド配線１０２ｂに接続されている共振器１０１の形成領域の熱はこのグランド配線１０２ｂを伝達経路として外部に効率的に逃がすことが可能である。一方、かかる熱は、前記信号配線１０２ａの形成領域においては外部に効率的に逃がし難い。
この発明が解決しようとする主たる問題点は、この種の多層から構成される回路（多層配線）を備えた弾性波デバイスにおいて、その製造プロセスにおけるステップ数（工程数）を増加させることなく、弾性波デバイスへの信号の入力によりデバイスチップに生じる熱を効率的に外部に逃がすことが可能な新たな構造を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を達成するために、この発明にあっては、弾性波デバイスを、デバイスチップにおける圧電体から構成される機能面上に、少なくとも、導電性材料よりなる第１層と、絶縁性材料よりなる第２層と、導電性材料よりなる第３層とを持ったパターンを、
前記３つの層の全てが重なり合う三層領域では、前記第１層の上に前記第２層が位置し、かつ、前記第２層の上に前記第３層が位置するようにし、
前記３つの層のうちのいずれか２つの層が重なり合う二層領域では、前記第１層の上に前記第２層が位置するか、前記第１層の上に前記第３層が位置するか、又は、前記第２層の上に前記第３層が位置するようにして、形成させると共に、
２以上の共振器と、前記共振器同士を接続する信号配線と、前記共振器の一部をグランド電極に接地させるグランド配線と、前記信号配線と前記グランド配線とを接続する熱伝達ラインとを備え、
前記共振器を、前記第１層により構成し、
前記信号配線及び前記グランド配線を、前記第１層及び前記第３層の双方、または、いずれか一方から構成し、
前記熱伝達ラインを、前記第２層によって構成するようにしており、
しかも、前記熱伝達ラインにおける前記信号配線に対する第１接続端部、及び、前記熱伝達ラインにおける前記グランド配線に対する第２接続端部はそれぞれ前記三層領域にあり、かつ、前記第１接続端部と前記第２接続端部との間に前記第２層のみからなる単層領域を形成させてなる、ものとした。
【０００７】
前記三層領域では、前記第２層によって前記第１層と前記第３層との電気的絶縁をさせるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【０００８】
また、前記第２層を、熱伝導率を１Ｗ／ｍＫ以上とさせる樹脂から構成させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【０００９】
また、前記熱伝達ラインにおける前記第２層のみからなる前記単層領域を挟んだ少なくとも一方側において、前記第１層と前記第２層との重なり合う面積よりも前記第２層と前記第３層との重なり合う面積が小さくなるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【００１０】
また、前記熱伝達ラインにおける前記第２層のみからなる前記単層領域を挟んだ少なくとも一方側において、前記第２層と前記第３層との重なり合う面積よりも前記第１層と前記第２層との重なり合う面積が小さくなるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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