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公開番号2025153523
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-10
出願番号2024056051
出願日2024-03-29
発明の名称液晶性高分子膜及びその製造方法
出願人住友化学株式会社,国立研究開発法人理化学研究所
代理人弁理士法人秀和特許事務所
主分類C08J 5/18 20060101AFI20251002BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約【課題】高周波領域において誘電正接(tanδ)が小さく、誘電損失が抑えられた液晶高分子膜を提供する。
【解決手段】式(A)で表される構造を含む液晶性高分子化合物と、式(S)で表される溶媒と、を含む液晶性高分子組成物を準備する工程、及び
前記液晶性高分子組成物を支持基板上に塗布し、該液晶性高分子組成物から溶媒を除去して成膜する工程、から得られる液晶性高分子膜であって、
前記液晶性高分子化合物は、前記式(A)で表される構造を50～100モル%含む、液晶性高分子膜。
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【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
式（Ａ）で表される構造を含む液晶性高分子化合物と、式（Ｓ）で表される溶媒と、を含む液晶性高分子組成物を準備する工程、及び
前記液晶性高分子組成物を支持基板上に塗布し、該液晶性高分子組成物から溶媒を除去して成膜する工程、から得られる液晶性高分子膜であって、
前記液晶性高分子化合物は、前記式（Ａ）で表される構造を５０～１００モル％含む、液晶性高分子膜。
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2025153523000012.tif
26
170
（式（Ａ）中、環Ｂは二価の芳香族炭化水素基及び二価の芳香族複素環基からなる群より選択される。）
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2025153523000013.tif
35
170
（式（Ｓ）中、Ｒｆはフッ素、塩素、フルオロアルキル基、クロロアルキル基及びアルキル基から選択され、ｎは１～５の整数である。Ｒｆのうち少なくとも１つはフッ素又は塩素を含み、Ｒｆが複数の場合には複数のＲｆは同一であっても、異なっていてもよい。）
続きを表示（約 840 文字）【請求項２】
前記式（Ａ）の構造は、式（Ａ
１
）～式（Ａ
５
）からなる群より選択される繰り返し構成単位により構成される、請求項１に記載の液晶性高分子膜。
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57
41
【請求項３】
式（Ａ）で表される構造を含む液晶性高分子化合物と、式（Ｓ）で表される溶媒と、を含む液晶性高分子組成物を準備する工程、及び
前記液晶性高分子組成物を支持基盤上に塗布し、該液晶性高分子組成物から溶媒を除去して成膜する工程、を含む液晶性高分子膜の製造方法であって、
前記液晶性高分子化合物は、前記式（Ａ）で表される構造を５０～１００モル％含む、液晶性高分子膜の製造方法。
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2025153523000015.tif
26
170
（式（Ａ）中、環Ｂは二価の芳香族炭化水素基及び二価の芳香族複素環基からなる群より選択される。）
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2025153523000016.tif
35
170
（式（Ｓ）中、Ｒｆはフッ素、塩素、フルオロアルキル基、クロロアルキル基及びアルキル基から選択され、ｎは１～５の整数である。Ｒｆのうち少なくとも１つはフッ素又は塩素を含み、Ｒｆが複数の場合には複数のＲｆは同一であっても、異なっていてもよい。）
【請求項４】
式（Ａ）で表される構造を含む液晶性高分子膜であって、
空洞共振器法により測定した誘電正接（ｔａｎδ）の値が、５ＧＨｚ以上の高周波領域において０．００２以下である、液晶性高分子膜。
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2025153523000017.tif
26
170
（式（Ａ）中、環Ｂは二価の芳香族炭化水素基及び二価の芳香族複素環基からなる群より選択される。）

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、液晶性高分子膜及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 2,500 文字）【背景技術】
【０００２】
芳香族液晶ポリエステルは、優れた高周波特性、低吸湿性を示すことから、エレクトロニクス基板材料としての応用に期待が集まりつつある。従来提案されている押し出し成形による芳香族液晶ポリエステルから得られる芳香族液晶ポリエステルフィルムは概して、液晶ポリエステルが押し出し方向に著しく配向する特性があるため、縦方向（流れ方向）の力学的物性に比べて、横方向のそれが弱い、すなわち異方性が生じるという欠点があった（特許文献１）。
【０００３】
一方で、異方性の小さい芳香族液晶ポリエステルのフィルムを得る方法として、溶媒に芳香族液晶ポリエステルを溶解させて液晶組成物を調製し、該液晶組成物を基板に塗布し、その後溶媒を蒸発させて芳香族液晶ポリエステルのフィルムを得る方法が知られている（特許文献２，３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００３－３２０５９２号公報
特開２００２－１１４８９４号公報
特許第７０８２１５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献で開示される芳香族液晶ポリエステルフィルムは、高速大容量通信を可能にするミリ波帯電磁波の利用、即ち高周波領域での使用において伝送損失が大きく、改善の余地を残すものであった。本発明の目的は、高周波領域において誘電正接（ｔａｎδ）が小さく、誘電損失が抑えられた液晶高分子膜、およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記問題点を解決するために鋭意検討した結果、特定の構造を含む液晶性高分子化合物を溶解させた液晶性高分子組成物を準備し、当該組成物を基板に塗布し、その後溶媒を除去することで得られる液晶性高分子膜により、上記目的を達成できることを見出し本発明に至った。
本開示は以下の発明を含み得る。
【０００７】
［１］式（Ａ）で表される構造を含む液晶性高分子化合物と、式（Ｓ）で表される溶媒と、を含む液晶性高分子組成物を準備する工程、及び
前記液晶性高分子組成物を支持基板上に塗布し、該液晶性高分子組成物から溶媒を除去して成膜する工程、から得られる液晶性高分子膜であって、
前記液晶性高分子化合物は、前記式（Ａ）で表される構造を５０～１００モル％含む、液晶性高分子膜。
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2025153523000002.tif
26
170
（式（Ａ）中、環Ｂは二価の芳香族炭化水素基及び二価の芳香族複素環基からなる群より選択される。）
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2025153523000003.tif
35
170
（式（Ｓ）中、Ｒｆはフッ素、塩素、フルオロアルキル基、クロロアルキル基及びアルキル基から選択され、ｎは１～５の整数である。Ｒｆのうち少なくとも１つはフッ素又は塩素を含み、Ｒｆが複数の場合には複数のＲｆは同一であっても、異なっていてもよい。）［２］前記式（Ａ）は、式（Ａ
１
）～式（Ａ
５
）からなる群より選択される繰り返し構成単位により構成される、［１］に記載の液晶性高分子膜。
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2025153523000004.tif
57
41
［３］式（Ａ）で表される構造を含む液晶性高分子化合物と、式（Ｓ）で表される溶媒と、を含む液晶性高分子組成物を準備する工程、及び
前記液晶性高分子組成物を支持基盤上に塗布し、該液晶性高分子組成物から溶媒を除去して成膜する工程、を含む液晶性高分子膜の製造方法であって、
前記液晶性高分子化合物は、前記式（Ａ）で表される構造を５０～１００モル％含む、液晶性高分子膜の製造方法。
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2025153523000005.tif
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170
（式（Ａ）中、環Ｂは二価の芳香族炭化水素基及び二価の芳香族複素環基からなる群より
選択される。）
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2025153523000006.tif
35
170
（式（Ｓ）中、Ｒｆはフッ素、塩素、フルオロアルキル基、クロロアルキル基及びアルキル基から選択され、ｎは１～５の整数である。Ｒｆのうち少なくとも１つはフッ素又は塩素を含み、Ｒｆが複数の場合には複数のＲｆは同一であっても、異なっていてもよい。）［４］式（Ａ）で表される構造を含む液晶性高分子膜であって、
空洞共振器法により測定した誘電正接（ｔａｎδ）の値が、５ＧＨｚ以上の高周波領域において０．００２以下である、液晶性高分子膜。
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26
170
（式（Ａ）中、環Ｂは二価の芳香族炭化水素基及び二価の芳香族複素環基からなる群より選択される。）
【発明の効果】
【０００８】
本開示により、高周波領域において誘電正接（ｔａｎδ）が小さく、誘電損失が抑えられた液晶高分子膜を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
実施例１及び比較例１で得られたフィルムの、誘電率の測定結果を示すグラフ。
実施例１及び比較例１で得られたフィルムの、誘電正接（ｔａｎδ）の測定結果を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に本発明の実施形態を詳細に説明するが、以下の説明は本発明の実施の形態の一例であり、本発明はその要旨を超えない限り、以下の記載内容に限定されるものではない。なお、本明細書において「～」という表現を用いる場合、その前後の数値又は物性値を含む表現として用いるものとする。
（【００１１】以降は省略されています）

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