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公開番号2025155671
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-14
出願番号2024192340
出願日2024-10-31
発明の名称光学積層体及び偏光積層体
出願人住友化学株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類G02B 5/30 20060101AFI20251002BHJP(光学)
要約【課題】塗工ムラの抑制に優れた光学積層体等を得る。
【解決手段】光学積層体は、第一基材層、第一液晶位相差層、第一貼合層、第二液晶位相差層、第二基材層をこの順に備える。第一液晶位相差層及び第二液晶位相差層の少なくとも一方がF原子及び/又はSi原子を含み、前記少なくとも一方の液晶位相差層のそれぞれにおける前記第一貼合層側の表面の前記F原子及びSi原子の合計原子濃度が、前記液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面から前記光学積層体の積層方向に10nm地点の前記F原子及びSi原子の合計原子濃度よりも大きい。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
第一基材層、第一液晶位相差層、第一貼合層、第二液晶位相差層、第二基材層をこの順に備える光学積層体であって、
前記第一液晶位相差層及び第二液晶位相差層の少なくとも一方又は両方が独立にＦ原子及び／又はＳｉ原子を含み、
前記少なくとも一方又は両方の液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面の前記Ｆ原子及びＳｉ原子の合計原子濃度が、各前記液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面から前記光学積層体の積層方向に１０ｎｍ地点の前記Ｆ原子及びＳｉ原子の合計原子濃度よりも大きい、光学積層体。
続きを表示（約 990 文字）【請求項２】
前記少なくとも一方又は両方の液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面のＦ原子及びＳｉ原子の合計原子濃度が０．５ａｔ％以上１０ａｔ％以下である、請求項１に記載の光学積層体。
【請求項３】
前記少なくとも一方又は両方の液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面から前記光学積層体の積層方向に１０ｎｍ地点の前記Ｆ原子及びＳｉ原子の合計原子濃度が０．５ａｔ％未満である、請求項１又は２に記載の光学積層体。
【請求項４】
前記少なくとも一方又は両方の液晶位相差層がＳｉ原子を含む、請求項１又は２に記載の光学積層体。
【請求項５】
前記第一液晶位相差層及び第二液晶位相差層の両方が、それぞれ独立に、Ｆ原子及び／又はＳｉ原子を含み、
各液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面の前記Ｆ原子及びＳｉ原子の合計原子濃度が、各前記液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面から前記光学積層体の積層方向に１０ｎｍ地点の前記Ｆ原子及びＳｉ原子の合計原子濃度よりも大きい、請求項１又は２に記載の光学積層体。
【請求項６】
前記両方の液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面のＦ原子及びＳｉ原子の合計原子濃度が０．５ａｔ％以上１０ａｔ％以下である、請求項５に記載の光学積層体。
【請求項７】
前記両方の液晶位相差層がＳｉ原子を含む、請求項５に記載の光学積層体。
【請求項８】
前記第一貼合層がＦ原子及び／又はＳｉ原子を含む、請求項１又は２に記載の光学積層体。
【請求項９】
前記第一貼合層がＳｉ原子を含む、請求項１又は２に記載の光学積層体。
【請求項１０】
前記第一液晶位相差層、前記第一貼合層、及び、前記第二液晶位相差層の積層体が、下記式（１）及び（２）の関係を満たす、請求項１又は２に記載の光学積層体。
１００≦Ｒｅ（５５０）≦１８０（１）
Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≦１．００（２）
［式（１）及び式（２）中、
Ｒｅ（４５０）は波長４５０ｎｍの光に対する面内位相差値ｎｍを表し、
Ｒｅ（５５０）は波長５５０ｎｍの光に対する面内位相差値ｎｍを表す。］
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学積層体及び偏光積層体に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
従来より、基材フィルムと、液晶位相差層と、接着剤層と、液晶位相差層と、基材フィルムと、をこの順に備える光学積層体が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－１４７０２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、基材層上への液晶位相差層形成用組成物の塗工時や液晶位相差層上への接着剤の塗工時の塗工性において、改善の余地があった。上記の塗工性が低い場合、各部材について塗工ムラが発生し、光学積層体の生産性低下や視認性低下を招く恐れがあった。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、塗工ムラの抑制に優れた光学積層体等を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
［１」第一基材層、第一液晶位相差層、第一貼合層、第二液晶位相差層、第二基材層をこの順に備える光学積層体であって、
前記第一液晶位相差層及び第二液晶位相差層の少なくとも一方がＦ原子及び／又はＳｉ原子を含み、
前記少なくとも一方の液晶位相差層のそれぞれにおける前記第一貼合層側の表面の前記Ｆ原子及びＳｉ原子の合計原子濃度が、前記液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面から前記光学積層体の積層方向に１０ｎｍ地点の前記Ｆ原子及びＳｉ原子の合計原子濃度よりも大きい、光学積層体。
［２］前記少なくとも一方の液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面のＦ原子及びＳｉ原子の合計原子濃度が０．５ａｔ％以上１０ａｔ％以下である、［１］に記載の光学積層体。
［３］前記少なくとも一方の液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面から前記光学積層体の積層方向に１０ｎｍ地点の前記Ｆ原子及びＳｉ原子の合計原子濃度が０．５ａｔ％未満である、［１］は［２」に記載の光学積層体。
［４］前記少なくとも一方の液晶位相差層がＳｉ原子を含む、請求項［１］～［３］のいずれかに記載の光学積層体。
［５］前記第一貼合層がＦ原子及び／又はＳｉ原子を含む、［１］～［４］のいずれか一項に記載の光学積層体。
［６］前記第一貼合層がＳｉ原子を含む、［５］に記載の光学積層体。
［７］前記第一液晶位相差層及び第二液晶位相差層の両方が、それぞれ独立に、Ｆ原子及び／又はＳｉ原子を含み、
一方の液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面の前記Ｆ原子及びＳｉ原子の合計原子濃度が、前記一方の液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面から前記光学積層体の積層方向に１０ｎｍ地点の前記Ｆ原子及び／又はＳｉ原子の合計原子濃度よりも大きく、
他方の液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面の前記Ｆ原子及びＳｉ原子の合計原子濃度が、前記他方の液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面から前記光学積層体の積層方向に１０ｎｍ地点の前記Ｆ原子及び／又はＳｉ原子の合計原子濃度よりも大きい、［１］～［６］のいずれか一項に記載の光学積層体。
［８］前記両方の液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面のＦ原子及びＳｉ原子の合計原子濃度が０．５ａｔ％以上１０ａｔ％以下である［７］に記載の光学積層体。
［９］前記両方の液晶位相差層がＳｉ原子を含む、［７］又は［８］記載の光学積層体。
［１０］前記第一液晶位相差層、前記第一貼合層、及び、前記第二液晶位相差層の積層体が、下記式（１）及び（２）の関係を満たす、［１］又は［２］に記載の光学積層体。
１００≦Ｒｅ（５５０）≦１８０（１）
Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≦１．００（２）
［式（１）及び式（２）中、
Ｒｅ（４５０）は波長４５０ｎｍの光に対する面内位相差値ｎｍを表し、
Ｒｅ（５５０）は波長５５０ｎｍの光に対する面内位相差値ｎｍを表す。］
［１１］直線偏光子の片面又は両面に保護層を有する偏光板と、第二貼合層と、位相差層積層体と、をこの順に備える偏光積層体であって、
前記位相差層積層体は、第一液晶位相差層、第一貼合層、及び、第二液晶位相差層をこの順又はこの逆の順に有し、
前記第一液晶位相差層及び第二液晶位相差層の少なくとも一方がＦ原子及び／又はＳｉ原子を含み、
前記少なくとも一方の液晶位相差層のそれぞれにおける前記第一貼合層側の表面の前記Ｆ原子及びＳｉ原子の合計原子濃度が、前記液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面から前記光学積層体の積層方向に１０ｎｍ地点の前記Ｆ原子及びＳｉ原子の合計原子濃度よりも大きい、偏光積層体。
【発明の効果】
【０００７】
塗工ムラの抑制に優れた光学積層体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、光学積層体１００の一実施形態を示す概略断面図である。
図２は、偏光積層体４００の一実施形態を示す概略断面図である。
図３は、偏光積層体４００の他の一実施形態を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（光学積層体１００）
一実施形態にかかる光学積層体１００は、図１に示すように、第一基材層１０、第一液晶位相差層３０、第一貼合層４０、第二液晶位相差層５０、第二基材層７０をこの順に備える。
【００１０】
第一基材層１０と第一液晶位相差層３０との間には、第一配向膜２０を有していてもよく、第二基材層７０と第二液晶位相差層５０との間には、第二配向膜６０を有していてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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